首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13636篇
  免费   335篇
  国内免费   737篇
系统科学   468篇
丛书文集   634篇
教育与普及   559篇
理论与方法论   95篇
现状及发展   93篇
综合类   12859篇
  2024年   50篇
  2023年   215篇
  2022年   231篇
  2021年   253篇
  2020年   196篇
  2019年   201篇
  2018年   125篇
  2017年   178篇
  2016年   216篇
  2015年   348篇
  2014年   583篇
  2013年   540篇
  2012年   590篇
  2011年   674篇
  2010年   615篇
  2009年   744篇
  2008年   788篇
  2007年   753篇
  2006年   597篇
  2005年   611篇
  2004年   570篇
  2003年   607篇
  2002年   528篇
  2001年   562篇
  2000年   474篇
  1999年   401篇
  1998年   380篇
  1997年   430篇
  1996年   339篇
  1995年   311篇
  1994年   266篇
  1993年   229篇
  1992年   241篇
  1991年   235篇
  1990年   212篇
  1989年   197篇
  1988年   95篇
  1987年   52篇
  1986年   32篇
  1985年   14篇
  1984年   3篇
  1983年   4篇
  1982年   2篇
  1981年   2篇
  1980年   2篇
  1958年   2篇
  1957年   6篇
  1956年   1篇
  1943年   1篇
  1926年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 234 毫秒
71.
本文根据X—O—ict复平面上坐标系旋转和洛伦兹变换的等价性,提出和利用坐标系旋转下的“投影关系”,对狭义相对论的时空理论作出较为直观的表述,进而对著名的时钟佯谬问题给出一种简明的解释。  相似文献   
72.
我们通过一个反例说明下述问题的解答是否定的,假若Z-完备偏序集P可用保任意存在交与Z-并映射嵌入到某方体之中,则P是否为Z-拟连续的?  相似文献   
73.
74.
定义了Ⅰ类不变拟凸、Ⅰ类严格不变拟凸、KT-Ⅰ类严格不变拟凸的向量值函数,并在目标规划中,获得了每个驻点(或KT-T点)是有效点的等价条件。  相似文献   
75.
76.
何红雨 《松辽学刊》2003,24(3):86-88
由静态场的泊松方程求出任意形状导体空腔内的电位和场强分布,说明即使导体空腔表面的电荷分布不均匀,但空腔内部的电位仍然处处相等,整个导体是等位体,场强分布为零,与导体空腔形状无关.这一结论在分析静电屏蔽及TEM波在空芯金属波导管中的传播有一定的意义。  相似文献   
77.
对于广义互补问题,本文给出了它的约束优化问题的两种转化形式,讨论了它们的KKT点为原问题的解的充分条件.  相似文献   
78.
月季离体培养及瓶内开花简报   总被引:2,自引:0,他引:2  
以月季茎段在MS+NAA0.5mgL~(-1)+BA5mgL~(-1)中进行诱导培养在MS+NAA0.1mgL~(-1)+BA3mgL~(-1)中增殖培养,在培养基MS+NAA0.1mgL~(-1)+BA2mgL~(-1)中,大苗开花。  相似文献   
79.
On Mar.23,2006,a project in the Major Program of NSFC-"Evolutionary computation and its application",managed by Prof.Licheng Jiao,Prof.Lishan Kang,Prof.Zhenya He,and Prof.Tao Xie,passed its Final Qualification Process and was evaluated as Excellent.  相似文献   
80.
在癫痫的发生与发展过程中,多巴胺(DA)受体密度及PDA可以发生改变,其变化情况因癫痫类型及不同脑区而异。不同的DA受体在癫痫发生与发展过程中发挥不同的作用,其作用也与癫痫类型等因素有关。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号