长时程光流刺激对猫PMLS区神经元自发活动的影响

采用胞外记录技术, 研究了猫PMLS区神经元在长时程光流刺激(包括平动、径向和旋转3种基本模式)后自发活动的变化. 结果显示, 细胞的视觉诱发反应随刺激时间的延长而下降, 在刺激撤除后, 细胞的自发活动普遍减弱. 通常在非最优方向的适应后, 细胞自发活动的下降程度较最优方向的适应后小. 此差异在平动刺激后尤为显著, 而在径向和旋转运动刺激后相对不明显. 这提示非特异的疲劳机制可能在对平动刺激的适应中起主要作用, 而对复杂光流的适应, 可能需要有较复杂的、具有方向特异性的机制参与. PMLS区可能在对较复杂运动的感知和适应、以及与此相关的运动后效应的产生中起重要作用.     

MPCVD金刚石膜的拉曼光谱学

研究了MPCVD生长的金刚石膜的拉曼光谱. 除给出它们的全部一级谱外, 还根据纳米结构特有的共振尺寸选择效应, 认为MPCVD金刚石膜中不含有纳米晶成分, 并认为1145 cm^−1峰不能作为生成纳米晶金刚石的判断标准, 虽然这个标准已被人们广泛地应用了许多年.     

混凝土结构中箍筋的锈蚀机理分析

根据金属腐蚀的电化学原理分析了混凝土结构中箍筋的锈蚀机理，认为在混凝土碳化过程中在箍筋与纵筋间存在宏观电池腐蚀及其它增加箍筋锈蚀量因素，利用已有的试验结果证明本文提出的观点，并提出了箍筋与纵筋的联合经时模型．     

取向多晶Fe-Ga合金结构与磁致伸缩应变研究

采用定向凝固的方法实验研究了取向多晶Fe-Ga合金的磁致伸缩性能.发现〈110〉轴向取向的Fe-Ga合金具有较大的磁致伸缩应变.在零预压力下,其饱和磁致伸缩应变λs为188×10-6;在20 MPa预压力下,λs可以达到286×10,具有明显的压力效应.还观察到在大的预压力(＞15 MPa)作用下,在低磁场范围出现负磁致伸缩应变现象.     

微波的危害及微波防护膜的研究

从近期的国内外研究报告看出，人们对微波生物效应有了新的认识。为了消除微波对人体辐射的不良影响，笔研究了有效的防护措施，提出一种由微波吸收材料和微波反射材料组成的防护膜，设置在微波源与保护主体之间。经实验测得手机上采用微波防护膜后，防护区域微波射场强可降至5μW/cm^2以下，符合国家的卫生标准，有效地多功能解决了微波辐射的危害问题。     

HgBa2Can-1CunO2n+2+δ(n=1,2,3)体系的压力效应

和的超导转变温度分别为97,128和135K,是迄今为止具有一层、二层和三层CuO_2平面铜氧化物超导体中的最高值。令人感兴趣的是,Hg系超导体对压力非常敏感,当压力P增加到31 GPa时,理想掺杂的HgBa_2Ca_2Cu_3O_8 δ的T_c可达到创纪录高的164 K。研究表明体系在整个掺杂范围表现出超导性质,T_c与CuO_2平面内的空穴浓度(n_H)之间存在着倒抛物线的依赖关系。而且,初始压力系数随氧含量(δ)而变化,并且在过掺杂区也保持正值。这些结果暗示了在常压下通过元素替代或电荷转移以施加“内压力”获得同样高T_c的可能性。     

纳米软磁合金薄带的巨磁致阻抗效应

自从在CoFeSiB非晶丝(带)及FeCuNbSiB的纳米晶丝(薄膜)材料中发现巨磁致阻抗效应以来,GMI效应在实际运用中有广阔的前景,而且在理论上探讨GMI的起因也是非常有意义的,所以受到普遍的关注。非晶(纳米晶)软磁合金具有高的磁导率,在一定频率的交流驱动电流作用下,外加直流磁场阻碍了交流电流所感生的磁通量的变化,从而降低磁导率,提高趋肤深度,降低了交流阻抗,引起效应。及非晶薄带在不同的温度下热处理可以形成纳米级软磁合金,降低各向异性常数和磁致伸缩系数,提高磁导率,有利于GMI效应的出现。本文对以上三类材料进行不同温度下的热处理,研究GMI效应随外加磁场及驱动电流频率(f)的变化关系,并探讨GMI的来源。定义。     

GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构量子受限Stark效应的实验研究

半导体量子阱超晶格作为一种新型的人工剪裁结构受到人们的普遍重视.该结构的特点之一就是可以利用在外电场调制作用下光学性质的变化来实现其在光电子学方面的应用,量子受限Stark效应(Quantum confined stark effect,简称QCSE)就是一个例子,它是指在外加垂直电场的作用下,跃迁能级能量的变化,这种能量的变化称为Stark位移.其不仅存在于半导体量子阱的带间跃迁中,同时也存在于子带间跃迁中.在包络函数近似下,利用求解一维Schr(?)dinger方程,研究了GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构中的Stark位移,通过微扰理论计算指出在一定的结构设计下,Stark位移量可以达到方形量子阱结构的两倍.根据理论计算,考虑到生长条件的具体限制,在半绝缘GaAs衬底上外延生长了样品.1μm GaAs缓冲层之上是50 nm的AlAs剥离层,然后是300 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As层,接下来为50周期的阶梯量子阱结构.每个结构单元由 2 nm的 GaAs,8 nm的Al_(0.15)Ga_(0.85)As和4 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As构成.在阶梯量子阱结构之后是200 nm的 Al_(0.3)Ga_(0.7)AS和     

经济增长过程中知识积累效应的混沌经济模型

本文根据新经济增长理论关于知识是经济增长的原动力这一重点观点，结合混沌经济学的动态经济系统变量的倍周期交叉变换的思想，建立了知识积累效应变量x;变换的混沌经济模型，分析并发现了xt变量倍周期变换的数值规律，确立了xt- μ（μ是xt的控制参数）的对应关系，分析并发现了μ与其组成因子之间的关系，指出政府科技调控参数（w)和知识增长率（α＋β）是决定μ值的关键，同时也是确定xt值的周期性状的关键的初始条件。发现一个知识增长率可能会引发两个数值的经济增长率的出现，甚至产生无穷多个数值的经济增长率的结果（即混沌的结果）。     

589nm可调谐法拉第反常色散滤光器特性分析

考虑到钠原子Ｄ２线（３Ｓ１／２→３Ｐ３／２）５８９ｎｍ的超精细结构，以及具有Ｖｏｉｇｔ线型的左右旋园偏振谱线的贡献，我们对钠原子气体的法拉第反常色散滤光器的透过率、中心频率移动、通频带宽等跟外加纵向磁场强度、原子汽室温度的关系进行了理论分析．结果表明：该滤光器的中心工作频率磁场调谐能力约为８０ＧＨｚ／Ｔ，通频带宽为０．００１～０．０１ｎｍ，透过率约可达１００％．