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161.
Pt/C电催化剂碳载体热处理条件和性能研究 总被引:1,自引:1,他引:1
采用浸溃还原法,优化碳载体热处理条件,制备出具有高分散性、平均粒径为3.3nm的Pt/C电催化剂.通过TEM、XRD方法对催化剂进行结构表征;利用Pt/C薄膜电极结合CV法评价了电催化剂的性能,测试结果表明,采用Vulcan XC-72碳黑,在600℃下、氮气(或氩气)中进行热处理,所制得的Pt/C电催化剂对氧还原反应具有良好的电催化活性。 相似文献
162.
盐碱土壤修复材料对作物生长影响研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本实验是利用以牡蛎壳为主要材料的3种不同用量的盐碱土壤修复材料,处理含盐量为2的低度盐碱土壤,对作物油菜的形态及其生理生化指标进行对比测量,用以观察此修复材料对盐碱土壤的修复作用。实验表明,此修复材料对种植40d后的油菜的出苗率无显著影响,而对叶长、叶宽等形态有明显影响。改良后的盐碱土上生长的油菜的叶绿素含量及叶绿素a与叶绿素b的比值均上升;叶片类囊体膜H —ATPase活性上升,证明此盐碱土壤修复材料对盐碱土壤具一定的修复作用,且其修复作用与修复材料的添加用量有关。 相似文献
163.
多井口多风机矿井反风的非稳定流动模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
针对多井口多风机复杂通风系统反风决策的要求,利用计算机模拟,对多井口多风机矿井各种反风方式下风流流动的动态变化规律进行了分析研究,根据矿井风流非稳定流动计算数学模型的特点,并结合反风的具体要求编制了FORTRAN程序,用编写的程序对某矿各种组合形式的反风进行了模拟计算,结果与实测值吻合性较好。 相似文献
164.
地下厂房试验洞的粘弹性反分析 总被引:5,自引:0,他引:5
结合某地下厂房试验洞量测资料的分析,研究成层各向异性岩体中洞室工程粘弹性问题的反分析方法。反分析计算时采用分层均质模型,将计算区域内各层岩层分别视为均质各向同性体,初始地应力假设成线性分布。有限元分析中,对倾斜成层的岩层、软弱夹层及断层节理等分别划分了单元,以模拟成层岩体的分布特征及其对洞室工程在受力与变形方面所产生的一些各向异性宏观效应。为使计算过程简化,对离洞室较远的地层按地质资料对材料特性参数赋值,通过弹性反分析计算出地层初始地应力;采用三元件模型,建立围岩粘弹性反分析模型,反演求得试验洞相邻围岩的粘弹性参数值。为工程设计与支护提供了可靠的依据。 相似文献
165.
壳聚糖在膜分离上的应用 总被引:4,自引:0,他引:4
膜分离是工业上能耗最低的一种分离过程,选择合适的膜材料和制膜工艺,一直是分离膜研究的核心.随着全球新材料的开发朝着环境友好材料方向的发展,壳聚糖作为一种无毒、无污染、可生物降解的天然高分子,受到了国内外学者的广泛关注.文章综述了壳聚糖在反渗透膜、超滤膜、渗透-蒸发膜和气体分离膜上的应用及其研究进展. 相似文献
166.
高忠 《太原师范学院学报(自然科学版)》2003,2(4):74-76
房屋增层是近年我国各城市为提高房屋利用所采用的一种行之有效的方法,并且已取得了很好的经济效益,文章中列举了国内的一些房屋增层所出现的事故,并对其作出分析,最后又提出了预防事故发生的措施。 相似文献
167.
SBR工艺中DO和C/N对同步硝化反硝化的影响 总被引:8,自引:0,他引:8
采用SBR工艺处理氨氮废水,研究不同的DO和C/N对同步硝化反硝化的影响,探索硝化反硝化一体化工艺的规律和特性.发现当DO=1.60~1.80mg/L、CODCr/CNH+4-N=6.5或BOD5/NH+4-N=4时,TN的去除率分别达到最大. 相似文献
168.
应用于微波电磁场FDTD数值模拟的吸收边界条件 总被引:1,自引:0,他引:1
在应用FDTD方法模拟复杂空间中微波电磁场分布时,不仅要考虑入射电磁波的贡献,还要考虑反射电磁波的影响。对于后者,一般常采用吸收边界条件的方法予以处理。针对TEM电磁波的传播特点,推导出了一种新的吸收边界条件的表达式,并利用其对微波法金刚石膜沉积系统沉积室中电磁场的分布进行了数值模拟。 相似文献
169.
动态接触角与接触线上的应力奇点 总被引:2,自引:0,他引:2
应用经典的Moffatt解, 通过引入接触线特征参数λ′, 给出了接触线上的黏性剪切应力, 导出了动态接触角和接触线移动速度的关系, 解释了文献中两种不同测量方法所得静态接触角不一致的现象. 理论所揭示的动态接触角和接触线移动速度的关系曲线和以往文献中的曲线形式基本一致. 通过和Hoffman试验数据的比较发现: λ′与流体性质无关, 是表征壁面性质的特征参数. 初步探讨了λ′的数理意义. 相似文献
170.
使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性。采用乙酰丙酮铜作为前驱体,在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行Cu薄膜金属化。利用热重分析、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、Cu薄膜进行分析观察。结果表明:影响Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度。在温度为290~310℃,N2气流量为200~350mL/min和H2气流量为450~600mL/min的条件下,获得了致密的Cu薄膜,Cu导体方块电阻为25mΩ。 相似文献