吸尘电场与负离子发生器

本文分析讨论了室内空气净化器用的吸尘电场与负离子发生器的型式，结构、工作机理及主要参数。     

定向井环空内岩屑运移机理的研究

运用实验观察方法,对定向井环空内岩屑的运移情况进行了研究和分析。从宏观上看,斜井环空内岩屑的运移状况有四种不同的流动物理模型,即:均称悬浮流动、非均称悬浮流动、移动床流动和固定床流动。在不同斜度的井眼中分别存在一个对应的临界流速.从微观上分析,岩屑床床面的岩屑颗粒承受液流的拖曳力和上举力、粒间离散力、重力和浮力的作用。对于极细的岩屑颗粒,还承受粒间粘结力。研究结果表明,环空倾角对岩屑运移有一定的影响。倾角越大,越不利于岩屑的运移。液流流速越大,岩屑的运移越快。     

烷氧基钛水解制备TiO_2超细粒子 Ⅱ.水解反应动力学及粒子形成

测定了烷氧基钛水解成核的诱导时间,研究了水解反应形成TiO_2超细粒子的机理,及溶剂和反应底物对水解反应机理的影响规律。导出了丁氧基钛在醇溶剂中的水解反应速率方程与对应的水解和聚结反应历程该机理同实验结果相吻合。     

溴代双酚A型不饱和聚酯树脂的阻燃机理

利用TGA、DSC、热解-电导率仪,研究了文题内容。实验结果说明了溴的引入,使树脂具有良好的阻燃性,当溴含量大于7.63%(wt)时,树脂即能自熄。溴使树脂热解过程成碳倾向增加,分解生成的溴化氢是有效的自由基捕获剂。三氧化二锑和溴同时引入,对阻燃具有协同效应。     

关于非晶态离子导体Ag_5I_2PO_4的研究 (Ⅱ)晶化过程中内部结构变化模型与导电机理探讨

本文报导了Ag_5I_2PO_4样品从非晶态向晶态转化时的内部结构变化模型;描述了部分晶化过程中离子传输的微观机制;根据弥散系(超微不均匀系)的特点,给出了相界面处高导电层存在的必然性与普遍性。     

冲天炉过热区热交换机理新探

本文通过模拟研究,得出了冲天炉过热区内对铁水的四种传热方式的传热系数。四种传热方式中,焦炭对铁水的接触传热与辐射传热共占85％左右,焦炭表面燃烧温度的高低对热交换有决定性的影响。焦炭表面温度与炉气温度有较大差别,它主要受焦炭性能影响,是衡量铸造用焦炭质量的一项不可替代的综合性指标。     

镨黄颜料的研制及其生成机理的探讨（Ⅰ）

本文报导从SiO_2-ZrO_2-Pr_6O_(11)-NaF-CeO_2-NH_4Cl与SiO_2-ZrO_2-Pr_6O_(11)-NaF-CdCO_3-Na_2SO_3-S两个体系烧成镨黄颜料的研究结果。烧制温度只要950～1000℃,保温时间只要2小时多。研究表明,ZrSiO_4不要在1200℃,只需在1000℃以下即可大量生成。显色作用是镨(Ⅳ)进入ZrSiO_4晶格,以及CeO_2或CdO起协同作用导制的。烧制过程要在物料表面有一种中性或还原性气氛的保护下进行,使在中等温度下产生的PrO_2不会在高温下氧化分解为合镨(Ⅲ)的复杂氧化物,这在配料时需予注意。     

硅中硼磷的横向扩散及其引起的CMOS LSI失效问题

实验发现,硼磷通过掩膜窗口向硅中扩散时,横向与纵向扩散深度之比 y_j/x_j 不是一个常数,而是随扩散温度的降低增大。此外,对于硼和磷的扩散来说,这个比值是不同的,且有(y_j/x_j)_B>(y_j/x_j)_P。通过解剖一些实际的 CMOS LSI 芯片结构发现,无论是采用常规工艺,或者是采用全离子注入技术,其失效的一种重要模式是 PMOS FET源、漏区硼扩散横向连通。分析了产生这种失效模式的机理。并提出在设计 CMOS LSI 时,适当调整 NMOS FET 和 PMOS FET 的沟道长度,有利于提高成品率和电路性能。