整体无阀机构太阳能冰箱的应用研究

在太阳能固体吸附循环制冷的基础上，采用无阀机构连接优化设计后的吸附床、冷凝器、蒸发器，构建成新型无阀机构的太阳能冰箱．将该太阳能冰箱分别在实验室内及实验室外进行静态实验及动态实验，得出了系统在一定辐射能量后的对外性能特性．所开展的研究工作为实用化的太阳能冰箱奠定了基础．     

高压受限电弧等离子体发生器实验研究

电热化学发射中，等离子体发生器的放电是电能转化为热能的重要阶段。该文在自由喷射等离子体发生器实验装置上分别对不同毛细管几何参数、不同贮能水平以及不同毛细管材料等3种情况进行了放电实验研究及分析，得出了负载效率、峰值电流、平均电阻等测量参数与贮能水平和毛细管几何参数之间的关系。     

电爆炸过程导体放电电阻的一种计算模型

电爆炸过程是电热炮等离子体发生器工作中重要的组成部分。该文将电爆炸过程分为5个阶段加以讨论，同时应用了等离子体电导率的计算模型以及脉冲功率源放电回路模型，最终建立了可以应用于等离子体发生器数值模拟的电爆炸过程导体放电电阻的计算模型。     

正棒—板短间隙雷电冲击放电电压的海拔修正

多功能人工气候室内模拟高海拔地区的气压，按照IEC对棒－板间隙试验方法的要求对200mm、300mm和450mm3种正棒－板短空气间隙雷电冲击放电特性进行了系统的试验研究。根据理论分析，提出了由于气压是大气3个基本参数即温度、空气相对密度和绝对湿度的综合反映，因此可以作为表征大气条件对空气间隙击穿电压影响的特征量；根据试验结果，提出了高海拔地区的短空气间隙雷电冲击击穿电压的是相对气压的幂函数，且其特征指数小于1，并因此得出海拔每升高1km，其击穿电压下降8.7%。     

压力性溃疡的预防与“波浪床”

压力性溃疡(PU)的发生与众多危险因素有关，持续压力、剪切力、磨擦力及潮湿四大外因是在其发病中起主要作用，而持续压力的存在是导致PU的关键因素。95％的PU是可以预防的，如在其形成过程中及时去除外因则可以起到有效的预防和治疗作用。减压设施在PU防治中起了关键作用，分为三类。“波浪床”通过在国内外首创机械“波浪”形式规律改变人体与床面的接触部位、把任一身体接触部位的持续压力变成间歇压力，并同时解决了导致PU的四大外因，从理论和临床都显示出其肯定的PU防治作用。该床适用于各类PU高危病人和临床各期PU患，与普通病床及其他类型的减压床相比，有独特的优势并适合中国国情，值得在临床上推广。     

低含水率沙床的临界起沙风速

针对目前对风沙起动机制的认识有限的现状，采用量钢分析法推导出对湿沙床的起沙有影响的4个无量纲数。经分析得到起沙风速与沙床沙粒粒径和沙床粘结力间的数量关系。通过建立沙床粘结力与含水率、沙粒粒径的关系式，得到临界起沙风速和沙粒粒径，含水率间的定量关系式。认为低含水率沙床的风沙起动风速与颗粒粒径的一次方和沙床含水率的1／4次方成线性关系，此结论与前人的实验结果符合得很好。     

高岭土机械力化学改性研究

利用物料在超细粉碎过程中的机械力效应,以振动磨为载体和工具,对用作橡胶补强剂的高岭土材料进行了一系列机械力化学改性实验,探讨了偶联剂种类、改性剂投入时间和持续作用时间等工艺参数对改性效果的影响,实验结果对同类的研究提供了借鉴依据.     

纳米碳管的管内物理化学过程

纳米碳管所特有的接近理想一维的中空管内腔可以引发很多宏观表面上不可能发生的物理化学过程, 吸附、填充于其中的反应物可实现纳米尺度内的反应, 因此纳米碳管可视为“纳米试管”. 从纳米碳管的化学性质入手, 对纳米碳管管中化学(纳米碳管中空管中发生的物理化学过程)这一新兴研究领域的起源、研究进展进行了评述, 讨论了纳米碳管中发生的超常吸附、充填、纳米级反应过程, 并对“纳米试管”这种纳米级反应器的特点和可能发生的奇特物化过程进行了展望, 同时还讨论了对纳米碳管中空管结构进行控制的方法.     

AIP吸收器传质特性中试装置及KLa测试方法研究

基于不依赖空气动力装置（AIP）排出CO2气体旋转床吸收器传质特性研究要求，选择S-195型柴油机为AIP排出气体发生器，优化设计了气、水流程，建立了波纹碟片填料旋转床吸收器的传质特性中间试验装置（简称中试装置），该装置具有多参数调节和测试功能。针对在较高气体压力下，AIP排出气体旋转床传质试验无法直接测算其体积传质系数（Kla），提出了一种间接测算Kla实验值的方法。实验结果表明，用间接测算方法求取的Kla实验值与直接测算值相对误差小于10％。     

氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用

研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5～106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150～200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重.