碳化硅、氮化硅材料力学性能的研究

用电显微技术研究了纳米Si3N4-SiC复相陶瓷的显微结构，分析了显微结构与力学性能的关系。     

传统扩频与混沌扩频的CDMA系统在Rappaport Indoor信道下的性能比较

 对Logistic映射的混沌序列作为扩频序列构成的混沌扩频CDMA系统与传统的m序列扩频CDMA系统进行了对比研究,并且对其二者在Rappaport Indoor信道下的性能在SPW上进行了仿真、分析,具有重要实际意义.     

环境空气中臭氧的催化消除

在涂有γ-Al2O3的蜂窝陶瓷上担载贵金属，以过渡金属氧化物作助剂，通过改变助剂含量及焙烧温度，寻找较佳的催化剂组成和制备条件，对活性较好的nM/MnO2/γ-Al2O3-蜂窝陶瓷和MnO2/C进行了较详细的考察。     

固相法制备含铋层状结构PBN压电陶瓷

研究了固相反应法合成PbBi2Nb2O9(PBN)层状结构压电陶瓷粉体的化学反应过程,发现固相反应主要发生在590,710,820℃·590℃时反应产物为Pb2Bi6O11、Pb5Bi8O17、Pb3Nb4O13及PBN;710℃时反应产物为Pb5Bi8O17和PBN;在820℃保温1h,可以获得单相PBN·PBN粉体在1080℃进行烧结,可获得相对密度达975%,组织细小均匀的PBN陶瓷·     

含金属间化合物的Al基合金半固态加压连接Si3N4陶瓷

用含金属间化合物Al3Ti或Al3Zr的Al基合金作连接材料,研究了半固态加压连接Si3N4陶瓷时接头的形成,以及Al基合金种类和连接压力对接头组织与强度的影响。结果表明:半固态连接可获得性能良好的陶瓷接头;连接过程中加压能提高连接层金属中耐高温金属间化合物的含量,达到提高接头高温性能的目的;连接压力适当时,接头在室温和600℃下的剪切强度可分别达到126～136MPa和32～34MPa,明显比用纯Al连接的接头强度高;在结合界面形成过程中,第二活性元素Ti和Zr也参与了界面反应。     

稀土陶瓷釉料的研究

利用我国资源丰富的稀土 ,结合瓷厂的釉料 ,研制了变色、着色新型稀土陶瓷釉料 .配合X—射线、差热分析确定其组成和烧结温度 ,并进行烧结温度、烧结时间、原料配比对成釉影响的研究 .     

掺纳米Al2O3的纳米8YSZ相变及电导率

掺8mol%Y2O3的纳米ZrO2粉体中加入0－5wt%纳米Al2O3，在1100℃、1200℃、1300℃不同温度下烧结2h，烧结样品在烧结温度达1200℃以上，掺1wt%以上的纳米Al2O3的四方相完全转变为立方相。初步探讨掺纳米Al2O3的8YSZ陶瓷烧结体相变机理及纳米Al2O3对8YSZ烧结体的晶参数和电导率影响。     

蜂窝移动通信系统的全向小区容量分析

首先推出了容量公式，然后分析了影响容量的若干因素，并将CDMA系统和GSM系统容量进行了比较。     

蜂窝梁的静力分析

对一单跨简支24m跨的钢蜂窝梁进行了有限元分析，总结了简支钢蜂窝梁的受力性能，指出工程设计时应注意的事项，供结构设计人员设计时参考。     

NZP族陶瓷材料的制备工艺及其性能研究进展

NZP族陶瓷是一类热膨胀系数可设计的低热膨胀材料 ,综述了NZP族陶瓷材料的制备工艺 ,较全面地总结了前人对这类材料性能的研究工作 ,展望了未来的研究方向