Ga2Se3:Co2+光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。     

重介子谱的相对论动能修正

使用超弦理论激发的伸缩子--胶子有效耦合得到的重夸克势研究了重介子的能谱，采用统一的方式来求解Salpeter方程和SchrEodinger方程，以便能真实地比较相对论动能修正的效应。发现相对论Salpeter方程更好地说明了实验上观察到的重介子能级。     

Fe-Mn-Si基形状记忆合金中FCC相的电子结构与稳定性

利用基于第一原理的离散变分法研究了Fe-Mn-Si合金的电子结构与FCC相稳定性的关系. Si元素使Fe原子的d带空穴数减少, 而Mn的影响较复杂. 以此为基础, 从电子浓度的角度解释了这两种元素对合金层错能的影响, 并结合对合金结合能的计算结果—— Si降低合金的结合能而Mn的作用相反, 阐述了Mn降低而Si升高马氏体相变温度的物理原因. 在不同方向上施加应力时, 合金的电子结构发生变化, Fermi能级处的总态密度有明显提高. 从Fermi能级附近的能谱变化可看出, 应变使能隙减小, 能级的简并性提高. 在同一方向上施以不同的应变, 中心原子的3d和4s轨道上的电子数减少, 3d局域态密度变窄, 且峰值增加. 对比电子密度的变化, 在应力方向上的成键轨道有减弱的趋势, 而在垂直于应力的方向上出现增强, 导致FCC结构的稳定性降低. 这是外场(应力)作用下合金的马氏体相变温度提高的重要原因.     

类锂离子（Z=11—20）1s^2s—1s^25p的跃迁能和振子强度

利用全实加关联(FCPC)方法计算了类锂离子(Z=11-20)激发态1s^25p的能级及精细结构劈裂，在此基础上计算了1s^2s-1s^25p的跃迁能和振子强度，相对论和质量极化效应对能量的修正用微扰论计算。还估算了来自量子电动力学效应的修正，所得到的理论结果与现有的实验数据符合得很好。     

一类非谐振子的相干态描述

利用相干态和正规乘积对一类微扰项为^↑H^1=λ^↑X^1的非谐振子进行了讨论，得到了^↑H^1矩阵元的精确解和^↑H^1对非谐振了能级的一级修正值，为处理非谐振子的微扰问题提供了一种新的方法。     

二维稀磁Ising亚铁磁体基态性质

用有效场理论研究了二维稀磁Ｉｓｉｎｇ系统的基态磁性质和基态能量，计算了基态时相变补偿点随磁原子浓度的变化情况，得到了基态相图，给出了基态时磁化强度曲线，得到和相图自洽的结果，同时还给出系统基态能量曲线。     

极性晶体中强耦合慢运动磁极化子的有效质量

本文利用线性组合算符法和么正变换研究了极性晶体内强耦合慢运动磁极化子的特性。导出了磁极化子的基态能量、有效质量和回旋共振频率，作了数值计算，结果表明：磁极化子的基态能置随磁场B的增加而减少，有效质量和回旋共振频率随磁场B的增加而增大。     

原子光电离势形共振的研究

在计算原子光电离截面时，涉及到光电离跃迁过程的初态波函数与末态波函数的选择。在已有的计算结果中，原子光电离的初态和末态波函数均选择为ＨＦＳ自洽场波函数。本文将选择ＨＦ自洽场波函数作为初态，在改进初态波函数的情况下，对原子光电离截面的势形共振进行计算，并把改进前后的相应的计算结果进行了比较     

应用fermion—spin理论研究t—J模型的基态性质

应用ｆｅｒｍｉｏｎ－ｓｐｉｎ理论，研究了氧化物超导材料的基态性质。平均场结果说明在没有掺杂的半满情况下，系统处于磁性的π－ｆｌｕｘ状态。在掺杂情况下，讨论了系统的动能、相分离、与掺杂有关的反铁磁长程序等问题，结果与实验及数值模拟结果符合较好。     

用TASO—MO模型解释SiF4和XeF4等分子的几何构型

运用ＬＣＡＯ－ＭＯ的简化形式，建立ＴＡＳＯ－ＭＯ模型，根据价电子在ＭＯ中的填充情况，解释ＡＦ４类非金属化合物如ＳｉＦ４和ＸｅＦ４等分子的稳定和几何构型。