用共线性离子束—激光光谱学研究NdⅡ能级的超精细结构

共线快离子束－激光光谱学具有选择性激发,测量精度高等优点而被用于研究原子、分子和原子的同位素位移,激发寿命和超精细结构,介绍了利用快离子束－激光共线技术测量ＮｄⅡ亚稳态４ｆ＾４５ｄ＾６Ｋ１３／２和激发态（２５５２４）１３／２°的超精细结构,并定出相应的超精细相互作用常数。     

钠分子激发态（2^1Пg）有关能级的动力学参数测定

0引言共振多光子电离光谱技术因其具有极高灵敏度和很强的选择性,在简化复杂分子光谱、研究分子结构方面获得了广泛的应用。目前,它已广泛用于研究分子的激发态、三重态和高位里德堡态,包括研究这些态的电离截面、能级结构、寿命、驰豫以及化学反应等【l－3］,本文采用等频观光子共振三光子电离技术,测得了钠分子2‘几态在特定波长范围内电离信号激发谱,标识了其中三条谱线,并通过理论计算［引证实了我们标识的正确性,然后根据谱线波长选定激光波长输出,测出话线对应的电离流时间衰减曲线,用计算机进行拟会和计算卜］,首次报导了…     

二能级和∧型三能级系统中粒子布居的完全转移

采用缀饰态理论和能级交叉技术，分析了二能级和∧型三能级系统的Stark快速绝热过程（Stark-Chirped Rapid Adiabatic Passage，简称SCRAP），SCRAP过程使用了两束激光脉冲，一束为近共振的泵浦脉冲，把粒子从基态驱动到激发态；另一束为远离共振的强Stark脉冲，它调节两能态之间的玻尔频率，使其与泵浦跃迁频率达到共振，产生两个交叉点．结果表明，适当选择脉冲间的延迟时间，可使泵浦脉冲在一个交叉点周围足够强，在另一个交叉点周围足够弱，粒子从基态转移到激发态的效率可以达到最大值1。     

CO分子振动态的理论研究

文章利用时域有限差分法对基态CO(X∑g^ )的振动能级进行了量子力学的计算．并对势函数进行了具体的讨论。     

GaAs0.55P0.45发光二极管中的无辐射陷阱

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管深能级.结果表明,有B陷阱的GaAS0.55P0.45红色发光二极管亮度比有C陷阱的低;并对B陷阱深能级位置的真实值进行了详细计算.     

量子阱中束缚光学极化子

采用线性组合算符及幺正变换方法研究了量子阱中强、弱耦合束缚光学极化子的性质．导出了量子阱中束缚光学极化子的基态能量与库仑束缚势、电子-LO声子的耦合强度和阱宽的变化关系．通过数值计算结果表明：基态能量因电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势的不同而不同，它随电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势的增大而增大，当电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势取某一定值时随阱宽的增大而增大．     

半导体表面态的研究与展望

半导体表面的研究是半导体物理中极为活跃的一个分支，因为半导体器件的体积越来越小，靠近半导体表面附近的物理性质越来越重要。笔者系统地对半导体表面态进行了综述。认为当波矢K取复数时局域于表面附近存在表面电子态，其波函数体内、体外都衰减。同时对半导体表面研究的发展历程、现状以及前景进行了展望。     

He原子基态能量与波函数的变分计算

在He原子模型研究的基础上,采用了一种包含坐标张弛系数的试探波函数,对He原子的基态能量和解析波函数进行了变分计算,得到了比较理想的结果,其中在波函数取N=11时,氦原子基态能量与实验值相比,误差仅为0.014‰.     

类锌离子精细结构能级和辐射寿命

用全相对论多组态自治场方法，计算了类锌离子Mo XⅢ和Fm LXⅪ的1s，2s，2p_，2p，3s，3p_，3p，3d_，3d，4s，4p_，4p，4d_，4d，4f_，4f，5s，5p_，5p，5d_，5d，5f_，5f，5g_，5g,6s，6p_，6p，6d_，6d，6f_，6f，6g，6g，6h_，6h，7s，7p_，7p7d_，7d轨道的475个精细结构能级和辐射寿命以及各种跃迁参数。能级的计算值和实验值符合得很好。还发现了一些寿命较长的亚稳态能级。     

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。