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971.
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了Ti/Ba=1.02的掺镍钛酸钡纳米晶粉体及其陶瓷。通过XRD、SEM和TEM对掺镍钛酸钡基粉体及陶瓷进行表征,并测定了陶瓷的介电性能。结果表明:Ti/Ba=1.02的掺镍钛酸钡基粉体约40 nm,主要相组成为立方相钛酸钡,并有少量的碳酸钡,经烧结后全部转化为四方相钛酸钡。掺镍明显降低了钛酸钡基陶瓷的烧结温度(约降低100℃);随着掺镍量的增大,陶瓷粒径先增大后减小,掺镍量mol比为3.0%时陶瓷εm大(5 571),并且tanδ小(0.011);与Ti/Ba=1.00的掺镍钛酸钡陶瓷相比,钛过量掺镍钛酸钡陶瓷粒径细小,ε-T谱峰值降低。 相似文献
972.
这里主要研究了镍基热喷涂层对车轮铸钢材料抗热疲劳的作用机制,分别对有涂层试样和未涂层试样进行了450~20℃温度幅下热疲劳试验.研究发现,镍基涂层试样在涂层表面出现一些腐蚀坑和微裂纹,但具有层状结构的韧性镍基涂层未出现剥落现象,涂层层状结构阻碍了涂层裂纹向基体的传播,镍基涂层很好地避免了基体材料的热疲劳损伤.而在同等条件下,未涂层试样不论是表面还是断口处都已经遭受到了较为严重的破坏. 相似文献
973.
新一代信息技术与制造业的深度融合正推动着制造业向社会化、服务化、互联集成化与平台化发展,面向工业互联网的社群化制造模式契合了当前制造业在智能化转型升级和创建新业态上的愿景.据此,本文在对当前制造模式演变分析的基础上给出了信息-物理-社交互联驱动的社群化制造模式体系架构和运行逻辑,进一步探讨了社交传感器驱动的社群化资源聚... 相似文献
974.
ω-腈基十一酸分离提纯工艺优化 总被引:3,自引:0,他引:3
李林 《湖南文理学院学报(自然科学版)》2004,16(3):26-29,38
以ω-腈基十一酸(11-CUA)的收率(或质量百分含量)及纯度为目标函数,采用液相色谱法与电位滴定法进行相应的分析检测,对自行设计的两种不同的分离提纯11-CUA的萃取与结晶工艺进行对比实验,确定了合理的分离提纯工艺,然后用单因素实验法对所选的合理工艺的部分单元操作进行工艺参数优化.优化工艺参数为:氨气氨化时溶液pH值8.0-10.0、温度25-35℃、搅拌速率120-240rpm,萃取溶剂为甲苯,酸化试剂用硫酸(或盐酸)、酸化剂试用量:H2SO4;HN3为0.6(摩尔分数)、溶液pH值1.5-2.0、温度55-60℃,采用环己烷作为结晶介质,结晶溶液溶质初始质量比为5.00g粗品11-CUA/100.00g环己烷,粗品11-CUA溶解温度50-55℃,粗品11-CUA溶解后结晶前的静置沉降时间20min、结晶温度10℃,结晶母液可以直接重复利用一次. 相似文献
975.
相转移催化合成正丁基苯基醚 总被引:1,自引:0,他引:1
相转移催化剂是一种良好的催化剂.评述了由聚乙二醇、季铵盐、三乙醇胺、聚氯乙烯固载聚乙二醇树脂、聚苯乙烯固载季铵盐树脂、聚苯乙烯固载吡啶树脂、聚苯乙烯固载多乙烯多胺树脂、聚苯乙烯固载三乙醇胺树脂、聚苯乙烯固载二乙醇胺树脂、聚氯乙烯固载多乙烯多胺树脂催化合成正丁基苯基醚的方法和高分子相转移催化剂的重复使用性能. 相似文献
976.
研究了B(H)上的闭值域算子的扰动问题,并把结果推广到框架理论.证明了当{fi}∞i=1分别是H上的Bessel序列、框架或Riesz基,{gi}∞i=1是一个序列,且{fi}∞i=1和{gi}∞i=1满足一定条件时,{gi}∞i=1也分别是H上的Bessel序列、框架或Riesz基. 相似文献
977.
丁晓贵 《安庆师范学院学报(自然科学版)》2004,10(3):85-86,89
水处理系统是一个非线性的系统 ,很难建立其精确的数学模型。本文用径基网络对其建模 ,介绍网络模型的学习算法 ,最后给出实验仿真过程 ,证明该方法切实可行 相似文献
978.
车生兵 《佛山科学技术学院学报(自然科学版)》2004,22(3):23-27
根据芯片生产线等场所的需要和现有人工监控手段以及国外基于支持向量机相关产品的缺陷,本文利用图像的二维矩不变量理论,将实时图像转换成为灰度图像后,用CANNY算子作边缘检测,并计算边缘检测图像的二维不变矩,再利用支持向量机的支持向量回归理论对二维不变矩进行训练和识别,提出了一种基于支持向量机(SVR)与径向基神经网络(RBF)的实时检测系统的设计算法,给出了算法实例和结果。从实验仿真结果和实际运行情况来看,算法的效果是令人满意的。 相似文献
979.
根据兰新铁路兰州段牌坊路平改立(即新建顶进涵)过程中,穿越高含水量、低承载力土层时,选用压力注浆法进行预先加固处理的施工全过程;介绍了该法在深层地基加固工程中的施工工艺及质量控制措施,经检测,取得了良好的效果。 相似文献
980.
21世纪的硅材料--SOI 总被引:1,自引:0,他引:1
SOI是一种在硅材料与集成电路巨大成功的基础上出现的有独特优势.能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术,被国际上公认为是“二十一世纪的微电子技术”。介绍了SOI材料的性能及主要制备技术,对其应用前号也做了详尽的论述。 相似文献