基于工作流技术和B/S结构的办公自动化系统研究

提出了基于工作流管理的0A系统模型，并用Petri网描述了公文审批的工作流程，论述了采用基于B／S结构体系的优势，最后实现了0A系统的开发和应用。     

吴组缃小说的悲剧艺术

本文探讨吴组缃小说悲剧特点的来龙去脉，着重选取吴组缃三十年代颇有代表性的几篇小说，从结构人物、情节、结尾等多方面进行深入剖析，认为吴组缃高超的悲剧艺术完全能跻身同时代第一流小说作家之列，以期引起中国现代文学评论界对吴组缃作品研究的重视，     

Keggin结构过氧钛钨硅杂多配合物~(183)WNMR谱的研究

合成了Keggin结构一，三取代过氧铁钨硅杂多配合物，这两种化合物是：α－K6［SiW11（Tio2）O39］·12H2O和α－K9H［SiW9（TiO2）O39］·12H2O，并对183WNMR谱进行了指认，从而确定了2种过氧杂多配合物的基本结构．     

河蟹生殖系统的形态学和组织结构

对我国的一种重要经济蟹类－河蟹生殖系统的形态学和组织结构进行了较全面的描述。我们发现与过去有关学者描述不同的有：雄性生殖系统的精巢由多数曲精细管盘旋而成；过去划分的输精管可分为输精小管、输精管和贮精囊三部分；输精小管始于近精巢的后端，伸出精巢后的盘曲部分包括输精小管和输精管；贮精囊壁只有薄层环肌，没有纵肌；射精管壁肌肉明显分为两层：外环内纵，环肌较厚，纵肌较薄。雌性生殖系统划分并描述了阴道的组织结     

船闸横拉门绘图软件的软体结构

本文介绍了在Auto CAD平台上开发“船闸横拉门绘图软件”的软件结构.     

四唑及其衍生物的理论研究——Ⅰ.氯代四唑的从头算

用从头算方法,取6-311G基组分别在HF和MP2水平上,计算研究了1H和2H四唑的4种一氯取代物的全优化几何构型和电子结构。4个化合物均取平面构型;环骨架键长趋于平均化,均具芳香性(Ⅱ_5~6)。与1—Cl和2—Cl四唑相比,5—Cl四唑将具较强的酸性,分子总能量也较低,其中5-Cl-2H-四唑分子总能量最低、最稳定。     

单个准分子激光脉冲和位相光栅模板制作表面周期结构

近年来,准分子激光器(excimer laser)以其高能量的脉冲式紫外(193nm或248nm)激光输出特征而被人们用于部分薄膜材料的加工和制备,其原理是用聚焦后的准分子激光脉冲对靶材进行轰击,一定条件下将轰击出来的靶材颗粒均匀沉积在基片上便可以生长出薄膜结构,这种方法又称为PLD(Pulse laser deposition)技术.利用准分子激光器和石英位相光栅模板,人们已经在光敏光纤和光敏光波导中写入了性能良好的Bragg折射率光栅,由于LiNbO_3(LN)和 LITaO_3(LT)这两种重要的光学晶体均对准分子激光波长(248 nm)产生强烈吸收,所以当它们被该激光照射时,激光能量将被晶体吸收并产生热量.如果激光的能量密     

二元羧酸经咪唑啉还原为二醛的新合成方法研究

二醛是重要的有机化工原料,在纺织品、医药、染料、粘合剂、涂料等方面有广泛的用途,二     

对材料科学领域基础研究工作的若干建议

当今材料科学的重要发展趋势是，人们依据现有的信息和知识，力图对材料在微观、介观和宏观各个层次上进行理论设计，积极发展新的材料制备方法，发展各种具有优异性能的亚稳及低维材料。同时，材料科学与生命科学、环境科学等新兴学科相结合也孕育了许多新的研究方向。将材料科学的基础研究和物理、化学、力学、生物等学科紧密相结合，充分发挥学科交叉优势将是材料科学未来发展的重要特色。单一的、光靠大量实验的研究形式已不能满足时代的要求。虽然由于各种形式材料本身的多样性和复杂性，使材料科学基础研究的领域范围非常广泛，但通过…     

GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构量子受限Stark效应的实验研究

半导体量子阱超晶格作为一种新型的人工剪裁结构受到人们的普遍重视.该结构的特点之一就是可以利用在外电场调制作用下光学性质的变化来实现其在光电子学方面的应用,量子受限Stark效应(Quantum confined stark effect,简称QCSE)就是一个例子,它是指在外加垂直电场的作用下,跃迁能级能量的变化,这种能量的变化称为Stark位移.其不仅存在于半导体量子阱的带间跃迁中,同时也存在于子带间跃迁中.在包络函数近似下,利用求解一维Schr(?)dinger方程,研究了GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构中的Stark位移,通过微扰理论计算指出在一定的结构设计下,Stark位移量可以达到方形量子阱结构的两倍.根据理论计算,考虑到生长条件的具体限制,在半绝缘GaAs衬底上外延生长了样品.1μm GaAs缓冲层之上是50 nm的AlAs剥离层,然后是300 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As层,接下来为50周期的阶梯量子阱结构.每个结构单元由 2 nm的 GaAs,8 nm的Al_(0.15)Ga_(0.85)As和4 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As构成.在阶梯量子阱结构之后是200 nm的 Al_(0.3)Ga_(0.7)AS和