首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   50560篇
  免费   1172篇
  国内免费   1892篇
系统科学   1529篇
丛书文集   2191篇
教育与普及   1754篇
理论与方法论   541篇
现状及发展   352篇
研究方法   2篇
综合类   47255篇
  2024年   206篇
  2023年   758篇
  2022年   828篇
  2021年   914篇
  2020年   671篇
  2019年   729篇
  2018年   387篇
  2017年   601篇
  2016年   710篇
  2015年   1106篇
  2014年   2285篇
  2013年   1985篇
  2012年   2484篇
  2011年   2875篇
  2010年   2725篇
  2009年   3318篇
  2008年   3605篇
  2007年   3249篇
  2006年   2582篇
  2005年   2394篇
  2004年   2191篇
  2003年   2496篇
  2002年   2248篇
  2001年   2146篇
  2000年   1650篇
  1999年   1213篇
  1998年   1109篇
  1997年   1058篇
  1996年   884篇
  1995年   740篇
  1994年   723篇
  1993年   547篇
  1992年   476篇
  1991年   436篇
  1990年   459篇
  1989年   405篇
  1988年   194篇
  1987年   126篇
  1986年   60篇
  1985年   19篇
  1984年   6篇
  1983年   7篇
  1982年   4篇
  1981年   7篇
  1980年   3篇
  1978年   2篇
  1962年   1篇
  1958年   1篇
  1957年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 46 毫秒
861.
本文分析英语在词汇和结构方面容易引起歧义的现象,以及如何避免歧义的产生。  相似文献   
862.
文章较详细介绍了瑞典近年来在焊接结构材料,包括超级高强度钢和超级不锈钢以及焊接材料,包括超低氢焊条、药芯焊丝和焊接用混合气体等方面的发展状况,为我国赶超世界先进水平提供了参考  相似文献   
863.
给出了移动滑态变结构控制器的设计方法。多变量不确定性变结构控制系统,其能达阶段对控制系统参数摄动较为敏感。为此,设计了移动滑态变结构控制器,使得控制系统在一开始就进入到所设计的滑动模态中并将其保持,从而降低了系统的能达时间,提高了系统抗参数摄动的能力。数字仿真表明,该方案有效地克服了系统参数摄动对控制系统的影响,验证了本文理论的正确性。  相似文献   
864.
新型灌注沉桩机采用偏心块振动式机构,强迫振动土壤破裂下沉桩管。该机可用于钢筋混凝土、混凝土和白灰三种桩的灌柱。内设捣实机构可使白灰桩承载能力提高20%左右。减振装置与桩机架之间采用滚动接触,延长导轨使用寿命。  相似文献   
865.
综述了牛α-乳清蛋白的来源、功能及其基因非编码区单碱基多态性,并讨论了牛α-乳清蛋白基因非编码区(+15)单碱基多态性同泌乳性能的相关性  相似文献   
866.
讨论了平面四次微分系统的特殊方向及在相平面上国成的角城内,奇点附近的轨线的分布;给出了右多端多项式系数构成的判别准则.  相似文献   
867.
本文介绍了4.4m×6.8m×0.48m焊接空心球棋盘形四角锥三层网架模型的动力试验方法、数据分析方法和测试结果,提出了用一种拟板法求解其自振频率的方法,为三层网架动力分析及地震性能研究提供了实用依据,并验证了其动力分析的计算模型。  相似文献   
868.
在揭示一般教学结构和指出数学教学特点的基础上,对现代系统论的三大基本原理,即整体性原理、反馈性原理和有序性原理在数学教学中的体现进行了具体的分析和探讨  相似文献   
869.
充液圆柱壳中的振动能量流   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究一无限长弹性薄壁充液圆柱壳的自由振动特性,获得了在不同周向波数时充水圆柱壳的频散曲线,讨论了此耦合系统自由振动时的传播波所对应的振动能量流,得出了各内力所传播的能量流之间的相对值。  相似文献   
870.
提出一种完全新型的VDMOS-NMOS全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与VDMOS工艺兼容的对接沟道结构形成NMOS器件,利用VDMOS工艺中p^+区反刻过程形成NMOS器件的有源区,利用VDMOS工艺中刻双扩散口有成NMOS器件的栅区及多晶性互连线。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号