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981.
文畅平  周建普 《科学技术与工程》2005,5(22):1763-17651769
选取合适的应力函数,计算分析路基产生不均匀沉降时的半刚性基层的应力情况。计算分析表明,刚性路面板下半刚性基层顶面产生不致引起基层破坏的压应力,路基不均匀沉降引起基层破坏的力学机理是基层底面拉应力超过半刚性材料抗拉强度所致。半刚性基层底面产生的拉应力随基层厚度增加而增大,随路基不均匀沉降量的增加而增大。基层厚度(15~16)cm时,抵抗路基不均匀沉降的能力最佳。  相似文献   
982.
通过构造适当的单胞函数对一类带有阻尼项小周期结构热力耦合的偏微分方程组进行双尺度渐近展开,得到了对应问题的均匀化方程和均匀化系数,并分析了均匀化解的存在唯一性.  相似文献   
983.
利用燃料电池流道简化方法和压力速度耦合算法,研究了U形和Z形2种结构的电堆空气分布,以及歧管宽度和燃料电池单体数量对空气分布的影响.结果表明:由于U形和Z形结构的歧管出口压力分布不同,导致2种结构的空气分布不同,Z形结构的空气分布要比U形结构好;歧管尺寸增大时,空气分布的均匀性得到了明显改善,当空气分布差异不大时,再增...  相似文献   
984.
针对受非平稳高斯随机激励下的线性时不变系统,基于连续时间AR模型,提出了一种时域模态识别的新方法,这种方法仅从响应数据就能够识别系统的物理参数.为了对参数进行估计,把结构动力学方程看作一个连续时间AR模型,并给出了它的状态空间形式,其中的状态方程就是一个随机微分方程;接着利用在非常短的时间段内均匀调制函数接近于一个常数矩阵的事实,得到均匀调制函数的估计;然后再利用Girsanov定理,得到物理参数的精确极大似然估计;最后进行特征分析,从而实现线性系统模态参数的识别  相似文献   
985.
采用Vlasov-Poisson数值模拟方法,研究了非均匀离子背景下、大范围变化的电子密度扰动振幅对冷等离子体振荡过程的影响,得到了波破裂发生时相空间的电子分布情况.当电子密度扰动较小时,电子等离子体波的影响较小,波破裂主要由背景离子的不均匀性引起.电子密度扰动中等大小时,电子等离子体波导致的波破裂发生在早期阶段,但比...  相似文献   
986.
We investigate computationally the attenuation and reflection of Terahertz (THz) wave using targets coated with plasmas. The simulators are the Wentzel-Kramer-Brillouin (WKB) method and finite-difference timedomain (FDTD) method. The relation between the frequency of the incident electromagnetic (EM) wave and the attenuation caused by unmagnitized plasma is analyzed. The results demonstrate that the amount of absorbed power is a decreasing function of the EM wave frequency and the plasma collision frequency. For THz band incident wave, the attenuation that is caused by plasma is small when the plasma has common density and the collision frequency. This conclusion has fine applying foreground for plasma anti stealth.  相似文献   
987.
显示器磁化现象是显示器故障中比较常见的。本文就此较详细介绍磁化的成因和对应的解决办法。  相似文献   
988.
一种基于蜂王交配的求解复杂问题的演化算法   总被引:4,自引:0,他引:4  
在对传统演化算法分析的基础上,提出了一种基于蜂王交配的求解复杂优化问题的演化算法(QMSGA).它的特点在于:模拟自然界中蜂王的交配方法,并引入均匀杂交和平均矢量偏差变异因子策略来达到种群分布的多样性,最终求出复杂优化问题的全局最优解.实验结果表明,对于求解复杂的多峰优化、陡峭函数优化等问题,该算法比传统的演化算法具有更好的精确度和收敛速度.  相似文献   
989.
微型NiFe条形薄膜元件在反磁化过程中的磁畴活动   总被引:1,自引:0,他引:1  
该文应用Bitter粉纹技术系统地观察,并从能量分析了微型40nm厚度NiFe薄膜条状元件在难轴方向反磁化过程中,磁畴结构的特性和变迁过程。研究表明,元件中的Barkausen跳跃是畴壁合并,壁态转变和塞漏畴转变等不可逆磁畴结构变化过程的结果。  相似文献   
990.
亥姆霍兹线圈磁场均匀区的理论计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文从毕一萨定律出发,导出了过亥姆霍兹线国轴线平面内任意一点的磁感应强度表达式,并在计算机上算出了任意一点的磁感应强度的大小及与线圈中心点相比的相对误差,并以图形形式画出了亥姆霍线国内的磁场均匀区。  相似文献   
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