Low melting point nanocrystalline Sn–Ag solder synthesized by a refined chemical reduction method

The commercial market of Sn-Pb solder is gradually decreasing due to its toxicity, calling for Pb-free substitute materials. Sn-Ag alloy is a potential candidate in terms of good mechanical property. The major problematic issue of using Sn-Ag is their high melting temperature, consequently this study is dedicated to lowering the melt- ing temperature of Sn3.5Ag （wt%） alloy by developing nanomaterials using a chemical reduction approach. The resultant nanocrystalline Sn3.5Ag is characterized by field emission scanning electron microscope. The size dependence of the melting temperature is discussed based on differential scanning calorimetry results. We have reduced the melting temperature to 209.8 ℃ in the nanocrystalline Sn3.5Ag of （32.4± 8.0） nm, compared to ～221 ℃ of the bulk alloy. The results are consistent with the prediction made by a relevant theoretical model, and it is possible to further lower the melting temperature using the chemical reduction approach developed by this study.     

碳纳米管应用研究的现状和未来

综述了碳纳米管的潜在应用前景，并提出随着碳纳米管合成技术的成熟，有关碳纳米管的研究重点应转向大批量生产碳纳米管及其应用领域的开拓上。     

阴极射线电子激发下Sr5(PO4)3Cl:Eu2+ 蓝色荧光粉的发光研究

Eu²⁺激发的氯磷酸锶荧光粉一直是一种传统的灯用荧光粉, 合成了蓝色荧光粉Sr₅(PO₄)₃Cl:Eu²⁺, 并研究了在电子激发下的发光特性, 此外还对碱土金属Ca²⁺, Ba²⁺等共同掺杂之后对发光性能的影响及原因进行了分析, 当在中-低电压工作下, 对其在不同电流密度的电子束激发下的发光亮度和饱和特性进行了测量.     

纳米ZnO阵列场发射性能研究

目的 为了进一步提高ZnO纳米阵列的场发射性能指标.方法 采用掺杂n型杂质元素Al和衬底预处理的方法生长ZnO纳米阵列,对相应样品的场发射性能进行比较分析.结果 和结论采用Al掺杂和衬底镀Au处理均提高了ZnO纳米阵列场发射的性能,降低了阈值场强.其中衬底镀Au并在此衬底上生长的Al掺杂ZnO纳米阵列开启电场小于0.5 V/μm、阈值电场为4.5 V/μm.     

Analytical optimization for field emission of carbon nanotube array

To optimize field emission （FE） property of carbon nanotube （CNT） array on a planar cathode surface, the Fowler-Nordheim formula has been used to discuss the maximum of the emission current density with the floating sphere model in this paper. The emission current density is dominating as the analytical Fowler-Nordheim function of the intertube distance, and the maximum of the emission current density is deduced and discussed. The results indicate that the intertube distance in CNT array critically affects the field enhancement factor and the emission current density, whose maximum occurs at the intertube distance approximating a tenth of the tube height. Considering the emission current density and the field enhancement factor, the FE can be optimized analytically when the intertube distance is about a tenth of the tube height.     

四角状纳米ZnO的制备及其场发射性能

利用热蒸发法制备出了新颖的四角状ZnO纳米棒. 研究了四角状纳米ZnO的场发射特性. 场发射测试表明四角状ZnO纳米棒具有较好的场发射特性, 开启电场为2.9 V/μm, 阈值电场为5.4 V/μm. 这一结果表明四角状ZnO纳米棒是一种性能优良的冷阴极电子发射源.     

金刚石薄膜的制备、表征和场发射性能

系统研究了在微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统中,甲烷浓度、沉积气压、气体流量比、衬底的预处理等参数工艺对金刚石薄膜质量的影响,不同样品的扫描电镜(SEM)图片表明上述参数工艺对金刚石薄膜的微观形貌如:晶粒尺寸、均匀性、膜的连续性、致密性等具有重要影响.金刚石薄膜样品尖锐的1332cm-1Raman峰表明金刚石膜具有很高的晶化质量,与SEM图片一致.最后研究了样品的场发射特性,获得了较低的发射阈值电压4.4V/μm,电压为650V时,得到较高的约128mA/cm2的发射电流密度.     

纳米金刚石阴极的均匀性及场发射特性研究

目的研究纳米金刚石阴极电泳工艺对场发射电流的均匀性、稳定性以及场发射特性的影响。方法用金相显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱观察了涂层的形貌和结构,经过高温真空退火后测试场发射性能,分析样品发光照片与涂层均匀性的关系,探讨热处理后场发射性能提高的机理。结果基底钛预处理要保持适当的平整度及光滑度,过度粗糙及过度光滑都不利于涂层的均匀性沉积。在同样的工艺条件下采用异丁醇溶剂配方后的金刚石涂层表面均匀性最好,场发射阈值电场最小,为5.5V/μm;当电场强度为15V/μm时,场发射电流密度为85μA/cm2,而且场发射电流的稳定性最好,发光效果最佳。结论异丁醇分散的电泳液制备的纳米金刚石阴极涂层均匀性最好,热处理后场发射性能最佳。     

两步法制备性能优良的ZnO纳米线

利用热蒸发和溶液浸泡两步法制备了性能优良的ZnO纳米线,研究了这些ZnO纳米线的光致发光和场发射特性.与直接采用热蒸发方法生长的ZnO纳米线相比,由该方法得到的ZnO纳米线表现出了更好的紫外发光特性,同时发生5 nm的蓝移,场发射测试表明其开启电场和阈值电场分别达到2.3 V/μm和6.8 V/μm.该方法适用于制备光致发光和场发射性能优良的ZnO纳米线.     

ZnO纳米线在外加电场下的生长及场发射性能

在外加电场条件下,利用化学气相沉积法制备出了长径比为400:1的四角状ZnO纳米线.利用多功能场发射测试仪对ZnO纳米线进行了场发射特性测试,研究了外加电场对ZnO纳米线生长的影响,讨论了ZnO纳米线在强场下的场发射电流强度饱和现象产生的原因.结果表明:外加电场大大促进了四角状ZnO纳米线在一维方向上的生长,外加电场下制备的ZnO纳米线在电流密度为0.1 mA/cm2的开启场强仅为2.25V/μm,ZnO纳米线在强场下的场发射电流强度饱和现象归因于强场下电子输运速度的饱和.