全文获取类型
收费全文 | 129篇 |
免费 | 4篇 |
国内免费 | 15篇 |
专业分类
丛书文集 | 3篇 |
教育与普及 | 11篇 |
理论与方法论 | 1篇 |
现状及发展 | 5篇 |
综合类 | 128篇 |
出版年
2021年 | 2篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 1篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 9篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 3篇 |
2011年 | 4篇 |
2010年 | 11篇 |
2009年 | 6篇 |
2008年 | 11篇 |
2007年 | 19篇 |
2006年 | 15篇 |
2005年 | 12篇 |
2004年 | 6篇 |
2003年 | 9篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 5篇 |
1997年 | 3篇 |
1996年 | 1篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 1篇 |
1989年 | 1篇 |
1987年 | 2篇 |
排序方式: 共有148条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
掺氮碳纳米管阵列的制备及其场发射特性 总被引:6,自引:0,他引:6
使用结构简单的单温炉设备,以二茂铁为碳源与催化剂,三聚氰胺为氮源在硅基底制备出了碳纳米管阵列。所得的碳纳米管为多壁结构,单根碳纳米管的平均直径为50nm,长度为15μm,有着很好的定向性。透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子谱(XPS)分析表明所得的碳纳米管是氮掺杂的。利用场发射显微镜研究了掺氮碳纳米管阵列的平面场发射特性,相应的开启场强为1.60V/μm,场发射图像表明了其有较高的场发射点密度。 相似文献
22.
使用热蒸发的方法在硅基底上制备了非定向氧化锌(ZnO)单晶纳米线阵列。经过热蒸发之后,在硅基底上形成一层均匀分布的 ZnO 点。在这些 ZnO 点上生长出非定向的 ZnO 纳米线阵列,其中的纳米线直径大约在 10 到 20nm 之间。考虑到实用,在制备样品的过程中硅基底的温度始终保持在 500℃ 以下。然后测量了这些非定向 ZnO 纳米线阵列的场发射特性。在 5.5V·μm-1 场强下得到了 10μA·cm-2 的场发射电流密度;同时使用透明阳极技术观察了其场发射中心的分布。 相似文献
23.
24.
本文以我们的研究团队自1995年以来在半导体纳米线材料与物理研究中所做的科研工作为主线,从如何自下而上地规模、可控制备硅等半导体纳米线的开创性研究工作开始,着重介绍半导体纳米线独一无二的物理性质的代表性研究工作,以及它们在高品质真空电子源、新型高效光电器件、新能源器件方面的潜在应用的研究成果.最后,对半导体纳米线的未来发展前景进行了展望. 相似文献
25.
胥良 《曲靖师范学院学报》2001,20(3):34-35,57
对热场发射公式在1 000K以下温度进行了数值计算,发现计算结果与一些文献推导的、用于计算温度在1000 K以下的近似公式计算结果出现偏差,因此不能用简单的近似公式来计算来发射电流密度,而必须用数值计算发射电流密,计算结果对实际工作具有一定的指导意义. 相似文献
26.
低压FED芝人现在存在着一个比较大的问题就是红色荧光粉的阈值电压高,发光效低,本文对一种新型红色压荧光粉(Gd2-mZnm)O3:Eu^3+的低阀值电压特性进行了讨论。 相似文献
27.
研究出的低压蓝色ZnS:Zn,Ph荧光粉的色座标为x-0.145,y=0.166这种荧光粉相近的亮度面,远远大于ZnS:Zn的亮度,当与粒径的二分之一的In2O3混合时,其临界电压可从80V下降到8V,这种荧光粉可用于FED和VFD中. 相似文献
28.
界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond ,AD) .使用阳极覆盖有低压荧光粉的二极管型结构 ,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究 .测试表明 ,衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响 .通过二次离子质谱 (SIMS)测试分析了AD/Ti/Si和AD/Si中界面的成分分布 .由于Ti和C之间的互扩散和反应 ,存在一定的浓度梯度 ,形成了衬底和AD薄膜之间良好的接触 ,有效降低了界面的接触势垒高度 ,使电子容易从衬底进入到AD薄膜中去 ,从而显著改善了AD薄膜的电子场发射性能 .在电场强度E =1 9 7V/ μm时 ,获得的电子场发射电流密度为 0 35 2mA/cm2 ,大大高于同场强下AD/Au/Si和Au/Si的数值 . 相似文献
29.
用机械破碎方法提高印刷碳纳米管薄膜的场发射性能 总被引:8,自引:4,他引:8
提出了一种可显著改善丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜场发射特性的后处理方法,用机械压力通过隔离层对附着于CNTs表面的无机物进行原位破碎,并用高速气流清洁薄膜表面.同其他方法相比,机械破碎方法既不会在处理后的阴极表面留下残留物,也不会使薄膜受损.场发射特性测试表明,与未处理薄膜相比,经过处理的CNTs薄膜的开启场强从2.7V/μm降低到1.7V/μm,同样面积的薄膜(印刷面积为40mm×40mm)在4.2V/μm场强下的发射电流由70μA提高到了950μA,说明机械破碎处理对于提高薄膜的场发射特性有明显作用.该方法在碳纳米管场发射显示器的制作中具有很好的实际应用价值. 相似文献
30.
碳纳米管场发射显示器及其全印刷制造技术 总被引:5,自引:0,他引:5
针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNT-FED)制造技术中存在的工艺复杂、成本过高的问题,提出了用于制造碳纳米管场发射显示器的全印刷制造技术,即采用丝网印刷工艺制备CNT-FED器件内部包括各电极图形、碳纳米管阵列、荧光粉点阵和绝缘支撑层在内的所有结构.同现有的CNT-FED制造技术相比,全印刷技术具有操作简单、成本低廉的优点.采用新技术制造了对角线为14 cm的可矩阵寻址的二极结构CNT-FED,分辨率为160×120像素点阵.该器件在220 V电压下可达到1×104cd/m2的高亮度,工作电压降低到200 V以内,已经可以用现有等离子体显示屏的驱动集成电路来实现控制. 相似文献