酸型奥氏体焊条锰过渡系数的探讨

本文就酸型渣系高合金奥氏体焊条，通过渣系物理化学性能、渣系碱度和金属粒度的改变试验，探讨焊接冶金过程中锰的过渡和过渡系数的变化规律，试图获得满足技术要求，综合工艺性能良好的新型酸性渣奥氏体焊条的合理配方．     

凹陷式平封头过渡圆角的应力集中系数

采用有限单元法研究凹陷式平封头过渡圆角处的应力分布规律，并求出应力集中系数的简化计算式。     

强场图象中的Trees修正

本文推导了d~2、d~3、d~4组态强场图象中的Trees修正。     

N－一羧乙基－邻菲啰啉的合成及其过渡金属配合物的研究

本文报道了Ｎ－一羧乙基一邻菲啰啉的合成及其过渡金属（Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ）配合物的制备方法，经化学和元素分析确定了它们的组成，测定了配合物的摩尔电导、溶解性；用红外光谱、紫外光谱、热谱等方法对配合物的结构进行了研究。     

B位元素掺杂对Y-Ba-Cu-O系ABO_3化合物超导电性影响的研究

自高T_c氧化物超导陶瓷出现以来,已提出了许多可能与超导电性相关的因素。为探讨这些因素对超导性的影响,对元素掺杂的研究有着重要的意义。按照容许因子公式的要求,我们选择了满足ABO_3化合物中B位要求条件下的过渡族元素,将它们掺入(YBa)CuO_3中时,能部分取代Cu的位置而处于B位上。这样利用B位元素的少量掺杂,可以作为“结构探针”引出与周围O的2P电子、氧缺位及Cu、稀土离子等相互作用信息的变化,有助于对超导微观机理的了解;又因为ABO_3化合物     

N—异丙基邻甲苯胺催化合成——芳胺N—烷基化研究（Ⅱ）

本文研究了以硫酸为主催化剂、镍系过渡金属为助催化剂的中压液相催化法合成N－异丙基邻甲苯胺。这种共同催化法不仅反应条件温和而且收率达到了73.7%。比现行工业上采用的硫酸催化法收率提高了16％，同时对影响反应的助催化剂、反应物的配比等进行了分析与讨论。     

凹陷式平封头过渡回角的应力集中系数

采用有限单元法研究凹陷式平封头过渡圆角处的应力分布规律，并求出应力集中系数的简化计算式．     

多元渗硼层形态质量和抗蚀性的研究

通过对多元渗硼层形态、质量和抗蚀性的研究，从理论上和工艺上探索了单元渗硼易剥落的原因。经多次试验，证明多元渗硼层形态质量及抗蚀性都优于单元渗硼层．     

有限元-界面元混合模型及其应用

推导得出了一个简化过渡界面单元的单元刚度矩阵．采用界面元-有限元的混合模型来模拟三堆土-结构体系，并采用一致边界来模拟波向无穷远城地基的传播作用．然后壕制了一个可用于进行三堆土-结构非线性地震反应分析的程序，并用谊程序对一框架结构进行了考虑土-结构相互作用影响的地震反应分析．最后总结了各种非线性因素和土-结构相互作用效应时结构地震反应的影响规律．图11。参9．     

TiO2过渡层对BiFeO3薄膜微结构和铁电磁性质的影响

研究了TiO2过渡层对BiFeO3薄膜微结构和铁电磁性质的影响.采用溶胶-凝胶法分别在Si（100）和Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上制备了BiFeO3薄膜.通过加入约10 nm厚度的TiO2过渡层,在两种衬底上均制备出了纯相BiFeO3薄膜,而未加过渡层的薄膜均有杂相存在.与未加TiO2过渡层相比较,BiFeO3/TiO2薄膜表面颗粒大小更加均匀、致密、平整.在室温10kHz下沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的薄膜的损耗从0.094下降到0.028;而薄膜的介电常数变化不大,分别为177和161.在室温下同时测得了薄膜的电滞回线和磁滞回线.BiFeO3/TiO2薄膜的饱和磁化强度为16.8 emu/cm3,在600kV/cm电场下,剩余极化强度为9.8μC/cm2.研究表明,TiO2过渡层能够有效地抑制Bi FeO3薄膜杂相的生成,提高薄膜的表面平整度以及耐压性.