磁性研磨感应器电磁线圈的两种计算

对用电压线圈法和电流线圈法计算电磁线圈参数两种方法进行了比较,并建议电磁感应器的电磁线圈应尽量采用电流线圈.     

断路器跳闸线圈烧毁的原因分析及预防

文章分析了电磁操动机构的断路器跳不开闸、跳闸线圈烧毁的原因、现象及预防措施。     

消弧线圈分散补偿研究

分散补偿消弧线圈控制系统由主站消弧线圈控制器和多个开闭所消弧线圈控制器等共同组成。主站消弧线圈控制器与多个开闭所消弧线圈控制器通过通讯模块实现一对多的数据通讯。主站消弧线圈控制器通过智能软件,统一控制主站消弧线圈和多个开闭所消弧线圈的档位调节、电流补偿程度。     

LDGMI测试线圈等效电路模型研究

为便于理解纵向驱动巨磁阻抗(LDGMI)效应的物理机制,对HP4294A阻抗仪的驱动线圈进行了讨论,忽略线圈漏磁场(LMF)的影响,在低频信号下可将磁芯线圈等效为RL串联电路模型,在高频信号下可等效为RLC并联电路模型。     

面向虚拟介入手术的单线圈接收端电磁定位新模型

面向虚拟介入手术导丝导管三维定位需求，针对狭窄脑血管等对更小体积传感器的要求，提出了单线圈接收端的电磁定位新模型。基于电磁学理论和几何学原理，设计了三正交线圈组阵列的电磁场发射端，以及比现有感应器尺寸更小的单线圈接收端。基于毕奥-萨伐尔定律实现了接收端到线圈组几何中心的距离计算，并基于球交点公式实现了接收端的空间坐标求解。设计了两轮精度提升算法进一步减小误差，选择优化的发射端线圈组拓扑并拟合修正距离计算值。通过在COMSOL Multiphysics多物理仿真平台的实验和脑血管介入的应用实例，验证了新模型0.05 cm的定位精度和29 Hz的定位频率，为小型高精度电磁定位传感器制造提供了理论基础。     

追K行动(二)

正~~     

匝间无绝缘的超导磁体线圈研究及性能测试

分析了匝间无绝缘的超导磁体线圈的结构,主要测试了线圈总层数和每层匝数对其等效总电阻的影响以及线圈的励磁退磁性能.实验结果表明:当总层数为奇数和偶数时,等效总电阻的变化趋势完全不同,但量级均为相邻匝间接触电阻的几倍.等效总电阻大小直接影响着线圈的励磁、退磁过程.线圈总电阻越大,则励磁时间越短,但同时感应电压也越大,焦耳热也会增加.所以,对于无绝缘超导磁体线圈的设计,选择合适的线圈等效总电阻及匝间的无绝缘填充材料尤为重要.     

一种新型自动跟踪补偿消弧线圈原理分析

本文在分析消弧线圈补偿原理基础上,重点介绍了一种新型二次调感式自动跟踪补偿消弧线圈的工作原理,该消弧线圈实现了接地变压器和消弧线圈固定补偿二合一,低压侧采用TCR调节方式实现了感性补偿电流的连续可调,采用电网自身不平衡电流及调谐原理实现了电网系统电容电流的连续跟踪,具有占地面积小,调节精度高,做到了预补偿与无级调节的完美结合。     

土层圆柱形扩大头抗浮锚杆施工技术

文章通过工程实例介绍了在常规抗浮锚杆成孔工艺的基础上,当锚杆钻机钻孔至设计底标高后,将传统的一径到底钻头更换为自行研制的三翼扩底钻头(常闭式)进行扩底成孔施工,以达到机械扩孔的目的,有效增加了锚杆扩体端头的承载面积和锚杆扩体段桩周摩阻,锚杆的抗拔力显著提高,从而节省抗浮锚杆工程造价.     

采用双等离子体制备非晶态碳膜的研究

采用直流金属磁过滤阴极真空弧(FCVA)制造出Ti和乙炔(C2H2)气体的双等离子体在单晶硅(100)上制备非晶态碳膜.重点研究了乙炔气体和过滤线圈电流对非晶态碳膜的结构、形貌和机械性能的影响.研究结果表明,薄膜中主要成分是TiC,并以(111)作为主晶向;随着过滤线圈电流的增大,薄膜的晶粒度越来越小;薄膜表面的粗糙度逐渐减小,变得更加平整;薄膜的应力减小,可以下降到2.5 GPa.薄膜的显微硬度和弹性模量随着C2H2体积流qV(C2H2)的增大而降低,硬度和弹性模量分别可以达到33.9 GPa和237.6 GPa.非晶态碳膜的摩擦因数在0.1～0.25之间,大大低于衬底材料单晶硅片的摩擦因数0.6.随着过滤线圈电流增大,摩擦因数减小.