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31.
通过对双流体模型方程进行简化,得到了双曲型两相流非线性控制方程组.进而导出了该方程组的特征线方程,利用有限差分及特征线方法求解了特征线方程,考察了界面扰动随时间在空间的发展状况,并与实验和线性稳定性分析结果进行了比较.  相似文献   
32.
为了解决大功率发光二极管(LED)散热效率低、可靠性差等问题,提出将无压烧结纳米银膏作为芯片固晶材料,应用于大功率发光二极管封装.对纳米银膏的热学行为及烧结后的晶体结构进行了表征,分析了烧结温度对电阻率和孔隙率的影响.利用纳米银膏封装大功率发光二极管,分析了不同固晶温度下发光二极管器件热阻及其结温变化,并与传统锡膏材料进行了对比.结果表明:随着固晶温度升高,纳米银膏的导电性和导热性逐渐提高.纳米银膏在200℃烧结后的电阻率为6.49μΩ·cm,界面孔隙率为11.5%,封装后的大功率发光二极管样品固晶层热阻为7.45 K/W,比采用SAC305和Sn42Bi58焊膏封装的发光二极管样品固晶层热阻分别降低15.4%和28.9%,芯片结温则分别降低2.9%和21.2%.此外,实验还测试了三种发光二极管封装样品的出光功率和工作温度,结果表明纳米银膏作为芯片固晶材料可为大功率发光二极管提供良好的散热通道,降低芯片结温并提高器件可靠性.  相似文献   
33.
探讨松辽盆地南部大安地区上白垩统姚家组第一段(姚一段)特低渗砂岩中相对优质储层成因,为预测“甜点”储层分布和开发提供地质依据。综合物性、压汞、薄片、X射线衍射等多种数据,在姚一段成岩作用特征及对物性影响分析基础上,利用多种成岩强度参数进行特低渗砂岩成岩相划分,系统研究各成岩相特征及差异成因。结果表明:姚一段特低渗砂岩经历了压实成岩、胶结成岩、溶蚀成岩和胶结-交代成岩等4个阶段。姚一段岩石粒度细、黏土含量高、抗压实能力弱,强烈的压实作用是破坏物性的主要原因;多类型、多期次的胶结作用使孔隙结构复杂化,是导致特低渗的重要原因;长石、岩屑溶蚀有效改善了物性,是形成优质储层的关键。根据视压实率、视胶结率和视溶蚀率等成岩作用强度参数关系,将姚一段分为5种成岩相,各成岩相主要成岩作用类型和强度差异使孔隙沿不同路径演化,形成各自的孔隙组合,是导致其物性差异的根本原因。弱胶结中溶蚀相和弱压实中溶蚀相孔隙结构和物性最好,是有利储层类型;强压实弱胶结相和弱压实强胶结相孔喉细小、连通性差,为不利储层类型。  相似文献   
34.
二维材料因其独特的性质在众多研究领域备受关注,而异质结是减小带隙、促进空间电荷有效分离的重要手段,因此构建二维异质结构是提高材料光催化性能的一种关键途径.基于第一性原理方法,可以有效地设计出合适的异质结构.该文通过第一性原理计算系统地研究了几种不同的石墨相氮化碳/蓝磷(g-C3N4/xBlueP,x=1,2,3)异质结...  相似文献   
35.
邻硝基苯胺( 1〖STBZ〗, 4〖STBZ〗)与芳香醛( 2〖STBZ〗〖WTHZ 〗a 〖WTHZ〗c )在连二亚硫酸钠存在下共热,发生还原关环反应, 一步即可合成苯并咪唑类化合物( 3〖STBZ〗〖WTHZ〗a 〖WTHZ〗c〖WTBZ 〗, 5〖STBZ〗〖WTHZ〗a 〖WTHZ〗c ).当起始物中含有不止一 个 硝基时,连二亚硫酸钠对硝基的还原有选择性.反应以乙醇 水为溶剂,水可加速反应进程.  相似文献   
36.
采用扫描电镜、能谱、X-射线衍射及透射电镜等技术分析了一种无金属催化辅助下制得的SiC纳米线的生长过程及生长机制.结果表明:在生长初期SiC纳米线端部就形成凝固熔滴.凝固熔滴在随后的纳米线择优沿[111]方向生长过程中不断地向前推进.凝固熔滴中除了含有Si和C以外,还含有O.SiC纳米线的生长机制因属于气-液-固机制,反应气氛中的氧代替金属催化剂参与了SiC纳米线的形核及生长.  相似文献   
37.
陆继东教授     
<正>陆继东(Lu Ji-dong),汉族,江苏常熟人。1978年进入华中工学院(现华中科技大学)连续完成了本科、硕士、博士3个阶段的学习,于1988年6月获得工程热物理专业工学博士学位。  相似文献   
38.
颜子 《科技信息》2010,(1):34-34,334
本文选取了两种参数计算比较简单的方法,利用相渗曲线和矿场资料,对胜利油田中高渗透油藏的波及系数进行了计算。  相似文献   
39.
蓝燕妮 《科技信息》2010,(35):96-96,84
浆固碎石桩由于施工简单、噪音小、节省投资等优点,现已在公路工程中得到了应用。目前浆固碎石桩复合地基的理论研究工作远远落后于工程实践。本文在前人工作的基础上,主要介绍了浆固碎石桩复合地基的作用机理,然后对相关的加固施工技术工艺做了探讨和阐述。  相似文献   
40.
科研简讯     
<正>化学与生物技术学院胡秋芬教授主持申报的反相微孔树脂新固相萃取材料在铂、钯富集分离中的应用及机理研究获得国家自然科学基金会2009年度立项资助(209610012),研究年限:201001~201212;  相似文献   
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