基于密度泛函理论研究一种新型气体传感材料: Pd掺杂的PC6

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Pd掺杂PC₆（PdPC₆）对O₂、CO、NO、N₂O、NO₂、SO₂、H₂S和NH₃的吸附特性,分析了气体分子的吸附对PdPC₆电子和光学性质的影响规律.结果表明,Pd掺杂后的PC₆增强了对气体分子的吸附能,表现出对八种气体分子吸附的敏感性.气体分子的吸附致使体系的电荷分布发生重构,从而导致体系电子性质发生变化.其中,O₂、NO、NO₂和SO₂吸附后,PdPC₆由金属性转变为半导体性,而CO、N₂O、H₂S和NH₃吸附后,PdPC₆仍旧保持金属特性. O₂、CO、NO和SO₂的吸附会诱发体系产生磁性,...     

硒化镉量子点与C60间的光致电子转移动力学研究

结合稳态和时间分辨光谱技术,研究了CdSe量子点与富勒烯C₆₀构成的模型太阳能电池体系中,荧光发射猝灭以及基态漂白恢复的动力学过程,发现二者间的荧光猝灭是由CdSe量子点与C₆₀间的光致电子转移所引起的,并且电子转移的速率随着量子点粒径的增大而减小:4.3×10~9 s^-1(3.0 nm),1.1×10~9s^-1(3.5 nm),0.60×10~9 s^-1(4.0 nm).该结果为设计、构筑以CdSe量子点为中心的光电转化体系,以及提高其光电转化效率提供了实验依据.     

化学反应机制的电子结构计算和动力学模拟?北京师范大学的量子化学

在北京师范大学120周年校庆暨化学学科建立110周年之际,本文将结合量子化学群体的研究工作,概要介绍化学反应理论与机制的研究进展．一方面简要回顾化学键理论和分子轨道自洽场计算,重点关注热化学反应途径、能量分解和价轨道赝势从头算等;另一方面围绕激发态电子结构计算和光化学反应机制,探究其核心科学问题,即多态交叉和非绝热动力学．并对量子计算机时代的量子化学的发展前景进行了展望．      

考虑公平关切的双渠道制造商电子优惠券定价策略北大核心CSCD

针对双渠道制造商通过在线渠道投放电子优惠券的供应链定价问题,构建了考虑公平关切的Stackelberg博弈模型.由此探讨电子优惠券在价格竞争中的作用,分析公平关切对电子优惠券投放及供应链成员利益的影响.结果表明,制造商或零售商的公平关切行为可降低对方收益.制造商越关注公平,其投放的电子优惠券面值越大,在线渠道需求增加,制造商利润增大,此时零售商应制定低价策略争夺市场.零售商公平关切度越大,实体渠道定价越高,需求量越少,利润降低.较大制造商公平关切度、较小零售商公平关切度组合情形的供应链总利润最优.     

基于智能优化灰色模型的电子固废预测

针对已有电子固废产生量预测时存在的建模机理复杂、建模精度低等问题,提出一种分数阶多元灰色模型与神经网络补偿模型相混合的智能建模     

三氢-苯并吲哚啉方酸染料晶体中电荷转移过程的理论研究

由于具有良好的光化学稳定性、在可见光区和近红外区的强吸光性等优点，方酸类染料是目前最具潜力的小分子有机太阳能电池给体材料之一.然而，其空穴迁移机制并不明确，较低的迁移率限制了器件光电转换效率的提升.结合第一性原理计算、Marcus电子转移理论、主方程模拟，系统研究了三氢-苯并吲哚啉方酸(USQ-BI)染料的电子结构、分子堆积模式以及电荷转移性质.结果表明，由于空穴迁移路径上交替出现两种不同的分子堆积模式，驱动力呈现正负交错的特征，克服正驱动力的过程为空穴迁移的决速步.据此，提出了降低驱动力绝对值以增大迁移率的理论策略.进一步研究发现，在一些位点上引入氰基可以显著提高空穴转移耦合强度，从而提高空穴迁移率.最后，对USQ-BI中电子转移过程的研究发现，由于较大的重组能导致较小的电子转移速率，该晶体不能作为好的电子传输材料.     

试论高校电子阅览室“网吧化”现象及应对措施——以南昌工程学院图书馆电子阅览室为例

本文结合多年来在电子阅览室的工作经验,以及学生的上网行为分析,试论电子阅览室网吧化现象产生的原因及电子阅览室和网吧的本质区别,提出了应对网吧化现象的措施。     

珠海格力新元电子有限公司

珠海格力新元电子有限公司是目前中国乃至全球最大的专业化空调生产企业——珠海格力电器股份有限公司下属全资子公司。公司成立于1988年,经过二十多年的发展,现已成长为国内电容器行业的知名企业。公司始终坚定不移地执行＂生产优质产品,争创优良服务,追求顾客满意,实现持续改进＂的质量方针,秉承＂忠诚、友善、勤奋、进取＂的格力精神,     

敬启作者

《中国学术期刊（光盘版）是我国第一部以电子期刊方式连续出版的大型集成化学术期刊全文数据库,本刊为该数据库入编期刊之一。为便于检索、本刊与数据库在格式、体例等方面力求一致。现根据有关规范,对作者提出如下要求。     

电子辐照NTD FZ Si等温退火特性

本文报导了关于高阻Ｎ型区熔ＮＴＤ－Ｓｉ－Ｐ＾＋Ｎ结二极管经电子辐照后的等温退火特性，获得５个缺陷能级：Ｅ１＝０．１６ｅＶ，Ｅ２＝０。．２７ｅＶ，Ｅ３＝０．３１ｅＶ，Ｅ４＝０．３７ｅＶ６和Ｅ５＝０．４２ｅＶ，结果表明Ｅ３和Ｒ４有比其它３个能极更好的热稳定性。