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871.
872.
钴基高温合金是一种具有较高强度以及良好的耐热腐蚀性能的材料,在生物医疗、航空航天等领域有着广泛的应用。近年来以激光选区熔化技术(selective laser melting,SLM)为代表的增材制造技术快速发展。介绍了SLM技术在钴基高温合金制备中的应用,综述了在SLM过程中不同工艺参数对样品致密度、粗糙度等力学性能的影响,探讨了成形样品是否需要后处理以及后处理所带来的影响等。 相似文献
873.
非晶/玻璃等非平衡态材料在能量驱动下会逐渐“老化”(ageing),体积和能量状态逐渐降低,这是非平衡态材料的本征特征之一。不同于“老化”的自然演化规律,记忆效应是指非晶合金经历先低温再高温两步退火时,焓或体积会先增加而后降低至平衡态。如果材料或体系达到热平衡态,初态和历史的记忆将被彻底遗忘。半个世纪以来,人们对记忆效应的理解局限于诸如Tool-Narayanaswamy-Moynihan(TNM)模型等唯象层面,对其物理起源仍不清楚。通过研究非晶合金在单步和两步退火中的弛豫规律,发现非晶合金中存在从β弛豫向α弛豫的等温转变现象,并进一步发现大激活熵是触发记忆效应的关键。这些结果对理解玻璃等非平衡态材料的物理本质和精准调控其性能具有重要意义。 相似文献
874.
在电子产品的小型化的趋势下,电力电子器件所承受的工作温度、电流密度越来越高,这给封装材料提出了严峻的挑战.一种引线框架材料为C194合金的MOSFET器件,在高电流密度的工作环境下服役3~4年后发生了引脚开裂的现象.针对该失效现象,使用扫描电子显微镜对界面金属间化合物和断口形貌进行了精细的微观表征,确定了电迁移和热迁移的耦合作用是导致引脚开裂的主要原因.具体地,对于器件源极来说, Cu原子的电迁移与热迁移方向相反,且热迁移扩散通量较大,抵消了电迁移的作用从而导致了阳极开裂的反常现象.对于器件漏极来说,Cu原子的热迁移方向与电迁移方向相同,热迁移加速了阴极界面裂纹的萌生与扩展,开裂情况最为严重.为了进一步揭示开裂机理,我们使用电子探针、透射电子显微镜分析发现,在C194合金与金属间化合物界面上,原本弥散分布于C194合金内部的铁晶粒发生了明显的晶粒长大,并富集形成连续层.由于细小铁晶粒组成的富铁层弱化原有的界面结合力,成为薄弱环节.因此,在外加热应力或机械应力下,裂纹总是沿着由铁晶粒形成的富铁层发生开裂.综上,该器件引脚开裂的失效模式为典型的多场耦合作用下的失效形式,相关机理将为产品工艺优化和提高使用寿命提供理论指导. 相似文献
875.
通过密度泛函理论计算,研究了γ′-(Ni1-xCox)3Al1-yTiy(0x1,0.05y0.25)合金体系。合金体系的组分无序性采用相干势近似处理。分析合金在任意化学配比下Ti(5-25at.%),Co(0-100at.%)元素对合金力学性能、磁性以及相稳定性的影响。结果表明:随着Ti含量增加,晶格膨胀,弹性常数增大,形成焓降低,使L12结构更加稳定。Al位的Ti组分增加可以提高剪切模量和杨氏模量,Co组分增多会降低二者的数值。计算结果表明Co元素增强合金延展性,Ti元素增强L12相的稳定性。 相似文献
876.
研究了CuZnAl合金在M(马氏体相)与β_1(母相)共存状态的时效.结果表明,时效后有台阶出现,台阶实质上是M稳定化产生与消除共同作用的结果.随时效时间的延长,台阶变宽.台阶宽度还与M及β_1相的相对含量有关. 相似文献
877.
对混合式格点法作了进一步的改进,并用这一改进方法研究了氧在银或银合金表面上的吸附,结果表明:氧分子在银表面上发生吸附的阈值约为6.5KJ.mol^-1;氧分子动量大于45au或合金中金的质量分数大于0.3时,都不发生分子氧的吸附,另外,处在振动激发态的氧分子比在振动基态的更容易发生吸附。 相似文献
878.
本文研究了高速生长的氢化非晶硅合金(a—Si:H)的光致亚稳变化,即 Stabler-Wrondki(S.W)效应.做了退火态(A 态)和长时间光照后的光浸态(B 态)的光电导温度曲线的测量,并利用一个较合理的缺陷态分布模型对其进行了模拟,从而发现长时间光照的主要结果是引起带隙中悬挂键的增加,带尾态的变化不明显,另外对光电导与光强的关系中的γ因子进行了计算和讨论. 相似文献
879.
快速凝固过共晶铝硅合金粉末特性 总被引:2,自引:0,他引:2
借助多级快冷装置(MSRS)配制了含磷分别为0.04%,0.08%和0.12%(质量分数)的过共晶Al-22Si粉末,通过对粉末形貌、粒度、微观结构及点阵常数变化的研究,以图提高最终材料的塑性。结果表明,不同粒度的粉末组织存在差异,含磷0.04%的Al-22Si合金粉末平均粒度最小,粉末中硅相得到了进一步细化,提高退火温度和延长保温时间导致硅相的粗化,400℃×1h或480℃×30min的退火条件下,硅相长大不明显。 相似文献
880.