MnS粒子对Fe-3%Si合金晶界迁移的影响

统计观察了热变形Fe-3%Si合金中MnS粒子在900℃的析出行为, 并利用过饱和固溶体中第二相粒子析出模型计算了MnS粒子的位错析出与晶界析出的相对关系; 观察和计算都表明, MnS析出以位错形核为主. 在二次再结晶过程中, 晶界上MnS析出粒子的粗化过程决定了晶界的可迁移性; 但在晶粒尺寸效应之外, 晶界两侧晶粒内位错析出MnS粒子密度的差异对晶界迁移的方向也发挥了决定性作用. 观察发现, 迁移晶界两侧晶粒内往往显示出不同的MnS粒子密度, 而晶界则倾向于向粒子密度较低的一侧迁移. 不同取向晶粒内的位错密度等因素会影响到析出粒子的密度, 高粒子密度的Goss取向晶粒易于长大.     

颗粒增强复合材料真实结构有限元建模

提出了一种新的颗粒增强复合材料真实结构有限元建模方法. 对于给定的钨合金扫描电镜照片以及混凝土照片进行复杂图形的边缘提取,进而将该图像矢量化. 将矢量化后的文件导入动力分析有限元软件进行有限元建模,对混凝土在压缩载荷作用下的破坏过程进行了数值仿真. 研究结果表明,该方法可以避免人为建立有限元模型所带来的误差,从而更好地模拟复合材料在不同载荷作用下的力学性能.     

多次熔铸对Ni-Cr烤瓷合金拉伸性能的影响

将铸造后的Ni-cr烤瓷合金处理后再经过4次熔铸,分别得到Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ代铸件(Ⅰ代铸件由新Ni-Cr烤瓷合金直接铸造而成).铸件经万能工具磨床研磨而制成拉伸试件.对所有试件进行拉伸加载直至试件断裂,测试所有试件的拉伸强度、0.2%屈服强度和延伸率.经统计学分析,Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ及Ⅴ代试件与Ⅰ代试件之间的拉伸强度、0.2%屈服强度无显著性差异(P>0.05);Ⅱ代试件与Ⅰ代试件之间的延伸率无显著性差异(P>0.05),而Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ代试件的延伸率则显著高于Ⅰ代试件(P<0.05).     

Ni-Cr-Mo-Cu合金介质腐蚀和电化学腐蚀的性能

在Cr、Mo成分一定的情况下,通过改变Cu的质量分数(1%～5%),研究新型Ni-Cr-Mo-Cu高镍耐蚀合金在氧化性介质、还原性介质、氧化-还原性介质和质量分数6%的FeCl3中的耐蚀性能及其在H2SO4、HCl和FeCl3中的电化学行为.实验结果表明,w(Cu)=1%～5%的Ni-Cr-Mo-Cu合金具有优良的耐介质腐蚀、电化学腐蚀性能,在质量分数80%的H2SO4中钝化明显,在质量分数30%的HCl中自腐蚀电流低,在质量分数6%的FeCl3中有钝化区且未发生点蚀.4种实验材料中w(Cu)=3%的合金综合耐蚀性能最好,在质量分数80%的 H2SO4中有更宽的钝化平台和更低的维钝电流.     

B细化处理对亚共晶铝硅合金力学性能和断口形貌的影响

采用金相显微镜、扫描电镜、电子拉伸试验机等检测手段对B细化处理后的亚共晶铝硅合金显微组织、断口形貌和力学性能进行了研究.结果表明,经B细化处理后,a-Al相枝晶被细化,致使铝硅合金力学性能得到明显改善.其中,B含量为0.036Wt%时,合金组织最理想,其σb、δ比未细化时分别提高了15.2%和67.8%.从断口形貌上看,试样断口形貌均呈现准解理断裂.其中,B含量为0.036wt%时的试样断口韧寄较为深而小,呈现较好的强韧性.     

难处理铜钴合金的氧化酸浸出

采用硫酸和盐酸的混合酸在有氧化剂存在的常压条件下对磨细后的铜钴合金进行浸出.试验结果表明:在溶液初始酸度为5.0～6.5 mol/L,硫酸与盐酸摩尔比较低,酸过量系数φH为1.2,氧化剂加入量ψn为理论量的1.2倍,反应温度为80 ℃,反应时间为70 min,搅拌速度为200～300 r/min的条件下,铜钴浸出率均能达到97%以上,浸出过程中不会有硅胶产生,过滤性能良好,实验重现性好.     

合金元素Ti对Mo合金性能及组织结构的影响

采用粉末冶金方法制备Ti含量为0.3%～1.0%的Mo-Ti合金.通过力学性能实验、光学显微镜观测和SEM分析,对Mo-Ti合金的性能和组织结构进行研究分析.结果表明,在Mo粉中添加TiH2所制备的合金比纯钼金属具有更好的拉伸性能,并且当Ti含量为0.8%时合金的力学性能最好;合金元素Ti除部分固溶到钼基体外,还在晶粒之间和晶粒内部生成(Mo, Ti)xOy弥散相,这些(Mo, Ti)xOy弥散相的生成,一方面净化了晶界氧,使晶粒之间的孔隙减少,同时也阻止晶粒在烧结时的晶粒长大,有利于合金性能的提高;但Ti添加量过多时,会使晶界之间产生过量的(Mo, Ti)xOy质点,使晶粒之间的结合能力减弱,对合金性能产生不利影响.     

高频脉冲电镀镍钴合金的内应力

研究了脉冲频率、硫酸钴浓度对高频脉冲电镀Ni-Co复合镀层微观形貌与内应力的影响.高频脉冲电镀获得的沉积层表面比直流电镀致密、均匀、孔隙率低、内应力低.随脉冲频率的升高,Ni.C0镀层的内应力先减小后增加,并在80 kHz取得最小值.随硫酸钴浓度的增加,镀层的内应力先增大后减小,在30g/L取得最大值.     

硅锗薄膜上低维结构的PL发光的物理模型

采用高温氧化（800℃）和激光辐照低温氧化（300℃）的方法以及用激光直接辐照方法,在硅锗合金薄膜上生成锗纳晶。这两种方法所生成的锗纳晶所对应的光致发光（PL）在可见光范围。其中在606nm处有很尖锐的发光峰。经比较发现：低温氧化的样品所对应的PL光谱比高温氧化的PL光谱有明显的蓝移;在606nm处的PL光谱峰位没有变化;高温氧化的样品在606nm处PL光谱的强度明显增强。提出量子受限和锗纳晶与氧化硅的界面态综合发光模型来解释其PL光谱的产生及变化。     

半固态ZL116合金挤压成形与显微组织

采用电子显微镜、卧式挤压机及电子拉伸机,研究了ZL116合金近液相线铸造的铸态显微组织,进行了触变挤压成形实验,测试了成形件的力学性能.结果表明:用近液相线半连续铸造法可以制备出具有蔷薇状组织的ZL116合金半固态坯料,当在575℃进行二次加热时,有大量细小、分布均匀的硅颗粒出现,有利于合金的半固态成形;利用800 T卧式挤压机,触变挤压飞机用的合金支架,热处理后抗拉强度Rm值达320 MPa,断后伸长率A达到11.4%.