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51.
证明了热传递规律q∝△(1/T)时,内可逆三热源制冷循环仍可视为一个内可逆卡诺热机驱动一个内可逆卡诺制冷机的等效联合循环,从而进一步揭示了三热源循环与二热源循环之间的内在联系,并讨论了联合循环的优化性能。  相似文献   
52.
本文提出一种新的软件测试策略,这种策略是一种自适应性的方法,它利用前面的测试路径引导新的输入选择,并能保证对具有n个判定节点的程序只需经过O(n)级测试,就能达到总的分支复盖。  相似文献   
53.
Constraint pushing techniques have been developed for mining frequent patterns and association rules. How ever, multiple constraints cannot be handled with existing techniques in frequent pattern mining. In this paper, a new algorithm MCFMC (mining complete set of frequent itemsets with multiple constraints) is introduced. The algorithm takes advantage of the fact that a convertible constraint can be pushed into mining algorithm to reduce mining research spaces. By using a sample database, the algorithm develops techniques which select an optimal method based on a sample database to convert multiple constraints into multiple convert ible constraints, disjoined by conjunction and/or, and then partition these constraints into two parts. One part is pushed deep inside the mining process to reduce the research spaces for frequent itemsets, the other part that cannot be pushed in algorithm is used to filter the complete set of frequent itemsets and get the final result. Results from our detailed experi ment show the feasibility and effectiveness of the algorithm.  相似文献   
54.
对于价格测算模型(I—AT)P=Y,给出了几个具有不同形式的存在性定理,并在此基础上,对于I—A有非负可逆矩阵的充分必要条件给出了更为简捷的证明。  相似文献   
55.
56.
通过对自伴矩阵的深入分析和讨论,给出了自伴矩阵的特征值及特征向量的性质;证明了自伴矩阵一定可以酉相似于对角阵;得到了Hermite二次型可通过可逆线性变换化为标准形的一般方法以及Hermite二次型正定的几个充要条件.  相似文献   
57.
N-咔唑二硫代甲酸异丙苯酯的合成及应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
以咔唑和α-甲基苯乙烯为原料,合成了以咔唑为Z基团的可逆加成-断裂链转移试剂——N-咔唑二硫代甲酸异丙苯酯(CCBD),该化合物合成简便,可以经重结晶提纯.以CCBD为可逆加成-断裂链转移试剂对苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸乙酯单体进行了RAFT聚合,该聚合具有活性聚合特征,聚合物相对分子质量随转化率升高而增大,并得到相对分子质量分布窄的聚合产物,研究表明CCBD具有很好的RAFT聚合控制能力.  相似文献   
58.
周兴建 《科技资讯》2007,(35):126-127
我们知道:“分块矩阵是处理级数较高的矩阵的常用方法“,本文就是通过大量的例子来说明了:分块矩阵可以使矩阵的结构看得更清楚,从而使<高等代数>中的大量习题迎刃而解.  相似文献   
59.
主要介绍直流电机位置伺服系统计算机控制输入输出信号的处理,可逆计数器的使用及数的读取方法,输出数字信号的转换.  相似文献   
60.
报道一种可逆转换的分子基电双稳薄膜器件,Al/BN4/Al/BN4/Al.其中功能层为有机/金属/有机的夹层结构,而中间金属层要非常薄.该器件在较低电压作用时呈现高阻状态,阻值在106~109Ω;而当电压超过某一阈值时,器件导电态发生改变,由高阻态跃迁为低阻态,阻值约为102~105Ω.两种状态的电阻值比为103~105.另外,还比较了不同功能层厚度器件的性能.  相似文献   
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