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121.
122.
功能覆盖膜对场发射阵列(FEA)电子发射性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列(FEA)覆盖材料,我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜,薄膜淀积采用离子束辅助淀积(IBAD)以及其它淀积技术。在10^-6Pa下测量具有不同覆盖膜的硅FEA二极管的I-V特性,测量结果表明除Au和Mo外,其它覆盖材料都对FEA电子发射性能有改进,经TaN覆盖的FEA发射电流最大。由F-N曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积,从而说明以上所得的实验结果。 相似文献
123.
ZnO压敏陶瓷在工作电压长期作用下,会产生电流蠕变现象,使Schotky势垒不稳定.用正电子湮没技术(PAT)证实:ZnO在适当温度下的氧化热处理,使氧离子O-或O2-吸附于晶界层内并有利于提高ZnO性能稳定性 相似文献
124.
四方氧化锆相变增韧、碳化硅晶须补强、碳化钛粒子弥散强化,同时引入一个新的陶瓷基复合材料系统中产生了叠加的强韧化效果。热压ZTA-SiCw-TiC复相陶瓷材料与Al2O3-SiCw-TiC相比具有更高的综合机械性能。碳化钛在基体中形成连续的骨架阻碍晶粒的长大,随着碳化钛含量的增加,基体的硬度明显增加。主要强韧化机理有相变增韧、晶须拔出、载荷转移、裂纹偏转等。基体的主要断裂方式为穿晶解理断裂。 相似文献
125.
126.
林书玉 《陕西师范大学学报(自然科学版)》2006,34(1):27-31
对轴向极化压电陶瓷薄圆盘振子径向振动进行了理论和实验研究.推出了其机电等效电路,得出了振子共振和反共振频率方程,探讨了振子共振和反共振频率与材料参数之间的依赖关系,给出了压电陶瓷薄圆盘振子的共振及反共振频率与其泊松系数之间的解析关系.实验结果与理论计算符合较好. 相似文献
127.
V2O5和Li2CO3共掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷烧结行为及微波介电性能的影响 总被引:3,自引:1,他引:3
采用固相法,制备了Mg4Nb2O9(MN)微波介质陶瓷,研究了V2O5和Li2CO3共掺杂对MgaNb2O9陶瓷烧结行为、相结构、显微结构和微波介电性能的影响.结果表明,采用1.5%V2O5和1.5%Li2CO3共掺杂,能够将Mg4Nb2O9(135O℃)陶瓷的烧结温度降至925℃,且有助于Mg4Nb2O9单相的形成.3.0%(V2O5,Li2CO3)共掺杂样品在925℃空气中烧结5h可获得良好的微波介电性能(介电常数为13.7,品质因数为77975GHz). 相似文献
128.
基于随机Lyapunow稳定性理论,利用辅助函数方法研究由可变时滞分布参数随机系统所导出的滑动模运动方程的渐近稳定性问题,获得了一类滑动模运动方程渐近稳定的充分条件。 相似文献
129.
以Nb2O5为烧结助剂,通过无压烧结制备氧化铝陶瓷.研究了Nb2O5对氧化铝陶瓷的致密化和显微结构的影响.结果表明,少量的Nb2O5对氧化铝陶瓷的致密化具有明显的促进作用,当Nb2O5的添加量为1%时,可使氧化铝陶瓷在1 500℃获得致密.显微结构上,Nb2O5对氧化铝的晶粒生长也具有显著的促进作用.Nb2O5对致密化和晶粒生长的促进作用主要是通过它在氧化铝晶粒中的固溶来实现的.力学性能测试表明:加入Nb2O5后能够在不影响力学性能的前提下降低烧结温度. 相似文献
130.
采用传统固相法合成了亚微米级PZT95/5粉末,根据超细粉末难以烧结的特点,利用等静压技术的成型优点,通过选取合理的烧结制度,1200℃实现烧结,成功制备了系列孔隙率的多孔PZT陶瓷,制品晶粒尺寸为2~3μm,孔隙率为5%~28%。研究发现,合成粉料性质、成型工艺及烧结气氛与孔结构的形成密切相关。 相似文献