1,8-萘啶类化合物及其配合物的研究进展

1，8-萘啶类化合物及其配合物是当前国内外研究的热点，具有特殊的抗菌活性、催化及光学特性，极具应用潜力。本文综述了该类化合物及其配合物结构、性质以反应用等方面的研究进展。     

仙客来(Cyclamen Persicum Mill)胚性愈伤形态和组织结构的动态观察

用仙客来（Cyclamen persicum Mill)成苗叶柄作为外植体，培养在附加2，4－D和KT的1／2MS培养基上诱导体细胞胚性愈伤组织的发生，对体细胞胚性愈伤组织发生过程中外部形态和组织细胞学结构进行了 动态观察。结果表明，叶柄组织发化的起始部位在维管束的维管束鞘细胞，启动时间是培养后2d；叶柄外植体培养至20d左右，愈伤组织呈松散透明状态，胚性细胞出现，标志着进入胚性愈伤组织阶段，胚性细胞多发生在所形成的愈伤组织的表层或近表层细胞，细胞大而壁薄，与非胚性细胞联系疏松，细胞核大，并位于细胞中央，细胞质浓厚，分别观察有单细胞、二分体和四分体状态。     

六溴环三聚磷腈的合成及结构表征

报道了六溴环三聚磷腈的实验室合成方法，讨论了工艺条件对反应的影响，介绍了六溴环三聚磷腈分离、提纯方法，并用^31PNMR谱、IR谱和MS谱对产物结构进行了表征。结果表明，所得六溴环三聚磷腈的纯度在98％以上，总转化率可以达到90％。     

内存数据库查询优化

基于一种广泛接受的内存数据库系统基本概念及内存数据库中的SB-树索引结构，提出了更方便关系代数操作的SB^*-树．在此基础上，提出了优化的关系代数操作的实现算法．根据这些算法和关系代数等价定理，给出了对关系代数查询树进行逻辑优化的规则，并证明了逻辑优化的正确性．最后给出了代价评估模型，实验表明提出的内存数据库查询优化算法相对于传统的优化算法具有更好的时间及空间性能．     

高性能CMOS LVDS I/O接口单元的设计研究

提出了一种适用于笔记本电脑平板显示器接口的高性能CMOS LVDS I／O接口单元，着重分析了高性能CMOS LVDS I／O接口单元电路结构及其工作原理，基于TSMC的3．3V0．25μm CMOS SPICE模型，在Cadence的环境下用Spectre仿真器进行模拟，仿真结果充分体现了该LVDS I／O接口单元的高速率、低功耗及低噪声等高性能．     

永磁操作机构电磁设计及其动态特性分析

根据双稳态永磁操作机构的结构特点及其工作原理，利用等效磁路法建立了该类操作机构的磁路及其各电磁量之间的物理关系，同时建立了合闸和分闸操作过程中的电磁方程和动铁心的运动方程，并讨论了其电磁设计的基本方法．结合实验样机，分别给出了操作过程的动态特性计算和实测结果．     

核衣壳蛋白VP39结构分析与杆状病毒的进化研究

在测定了BmNPV—Ch(中国株)和HaMNPV vp39基因序列的基础上，推导出相应的氨基酸顺序，并与AcMNPV、OpMNPV、LdMNPV、BmNPV—Ja(日本株)的VP39蛋白的氨基酸顺序进行了比较。分析结果表明：在已知的各种杆状病毒中，VP39蛋白是一个保守性较强的蛋白质，Bm—NPV—Ch VP39蛋白与AcMNPV、OpMNPV、LdMNPV、BmNPV—Ja和HaMNPV VP39蛋白的氨基酸同源性分别是93．7％、58．2％、39．9％、97．1％、92．8％。HaMNPVVP39蛋白与AcMNPV、OpMNPV、LdMNPV、BmNPV—Ja和BmNPV—Ch VP39蛋白的氨基酸同源性分别为97．3％、59．0%、40．2%、93．1％、92．8％。通过氨基酸亲水性分析比较，探讨了VP39蛋白结构与杆状病毒进化间的关系。     

变频电机绝缘材料破坏机理的探讨及新型绝缘材料的制备

对变频电机中电磁线绝缘材料过早破坏机理的研究现状进行了总结，并对影响变频电机电磁线绝缘材料寿命的最主要的影响因素进行了讨论．通过纳米材料改性制备了一种新型绝缘材料，改善了电磁线的耐电晕性能，提高了电磁线的耐变频寿命．     

偶联表面活性剂与传统表面活性剂混合溶液的双水相

研究了偶联表面活性剂(Geminis，l2—3—l2，2Br)和传统表面活性剂(SDS)混合体系双水相的性质。结果表明：该系统在很低的总浓度下(0．03mol／L)能够形成双水相。双水相约区域非常狭窄，且分相溶液中正负离子表面活性剂的比值随着表面活性剂总浓度的变化而线性改变。双水相的表观现象也因表面活性剂总浓度的不同而异。采用冷冻蚀刻技术、负染色技术及透射电子显微镜观察得到的结果表明，双水相中两相的微观结构明显不同，胶团和囊泡可以共存。偏光显微照片显示该系统有独特的液晶结构。     

等价鞅测度模型在外汇期权定价中的应用

在随机利率下，分别就单因子模型和双因子模型两种情况展开讨论，利用等价鞅测度模型给出欧式外汇期权定价的一般公式。