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71.
利用PECVD方法及后处理工艺制备了具有室温可见光区光致发光效应的纳米晶硅(n-Si/SiO2)薄膜材料,对其光吸收,光能隙以及电导率等特性参数进行了测试研究。发现该薄膜的可见光区吸收比PECVE方法制备的微晶硅,非晶硅等薄膜的光吸收明显减弱,且光能隙增大。而电导率则大大提高,达到10-1-10-3cm-1Ω-1的量级。该材料光学性能的变化可用量子尺寸效应进行定性解释,但其电导率的大幅度增加还有待进一步的研究。  相似文献   
72.
高性能混凝土高温后残余抗折强度研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
完成了127块100 mm×100 mm×515 mm混凝土棱柱体试块在20~900℃条件下的高温试验和高温后的弯折试验.以C40普通混凝土作为参照,考察了C50,C80和C100高性能混凝土棱柱体试块在火灾中的特点;通过对强度等级、外掺聚丙烯纤维和外掺矿渣与硅灰等因素的对比,分析了高性能混凝土高温后残余抗折强度与经历温度之间的相互关系;提出了高性能混凝土高温后残余抗折强度与经历温度间统计公式.  相似文献   
73.
介绍了硅,钛取代AlPO-1分子筛SAPO-11、TAPO-11的合成方法,采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、热重-差热、氮气吸脱附等手段对合成的分子筛进行了表征,考察了晶化温度和原料比对分子筛合成的影响.结果表明,硅,钛取代AlPO-11分子筛能生成AEL结构的TAPO-11分子筛;SAPO-11与AlPO-11分子筛表观形貌相差不大,而TAPO-11分子筛表观形貌则与AlPO-11分子筛有很大不同;硅,钛取代后分子筛的孔道半径及其孔容有所改变;3种分子筛都具有较好的热稳定性.  相似文献   
74.
以现有的工业ZSM-5作为原料,采用碱处理ZSM-5的浆液或滤液作为硅铝源,与表面活性剂在水热条件下进行自组装得到具有微孔、介孔双孔分布的MCM-41型结构复合分子筛,并采用X射线衍射、N2吸附脱附、红外光谱等测试手段对合成的样品进行了分析表征,考察了主要合成条件对分子筛性能的影响.结果表明,根据ZSM-5碱处理程度的不同,采用浆液得到的样品可能含有少量ZSM-5沸石的晶粒,但随着碱浓度升高或碱处理时间的延长,ZSM-5沸石晶粒的量逐渐减少,而采用滤液合成的样品中不存在独立的ZSM-5沸石的晶粒.  相似文献   
75.
将多芯片LED与恒流源电路进行一体化混合集成电路工艺设计,保证了3~10W的多芯片集成LED在低于100mA的驱动电流下正常工作.恒流源采用跟随浮压技术进行设计,使集成LED的工作电压在2~200V,恒定工作电流在10~100mA选择.其恒流温度漂移小于5μA/℃,发光效率大于17Lm/W,同时简化了工频驱动电源电路的设计,减少远距离供电线路损耗.  相似文献   
76.
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论.  相似文献   
77.
利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心.  相似文献   
78.
掺加矿物细掺料———硅粉是提高路面混凝土使用性能的有效途径。针对重载交通特点,运用正交试验方法,系统研究了硅粉路面混凝土的强度特性,分析了硅粉对混凝土强度的影响,并确定了最优配合比。结果表明,硅粉的掺入虽然对混凝土早期强度不利,但有利于后期强度的提高。在最优配合比条件下,硅粉路面混凝土28d的抗折强度达8.30MPa,而抗压强度达60.83MPa,完全能满足重载交通的要求。  相似文献   
79.
在实验室进行了有水炮泥改性的研究,结果表明,加入适量的硅灰能显著改善炮泥性能,配比合适的炮泥完全能满足某高炉的生产需要.  相似文献   
80.
不同衬底生长ZnO薄膜的结构与发光特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(Al2O3)(0001)和硅(100)衬底上制备ZnO薄膜.通过X-光衍射测量与分析表明两者都沿C轴方向生长,在Al2O3衬底上的ZnO薄膜结晶质量优于在Si衬底上的薄膜样品.然而,由原子力显微镜观测发现在Al2O3衬底上的薄膜晶粒呈不规则形状,且有孔洞,致密性较差;而在Si衬底上的ZnO薄膜表面呈较规则的三维晶柱,致密性好.光致发光测量表明,不同衬底上生长的ZnO薄膜表现出明显不同的发光行为.  相似文献   
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