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241.
鲍永恒 《中国新技术新产品精选》2014,(5):123-124
荧光探针技术是一种灵敏度非常高,选择性非常好而且快速简便的检测金属离子的重要手段。而罗明类化合物的荧光量子产率很高,能很好的应用于光谱检测,具有优越的光谱性能,且是一类结构较为简单的化合物,便于修饰,是探针化合物设计中常用的荧光基团。 相似文献
242.
通过对ABS工作过程中制动液流量的分析,确定了ABS电机的基本工作要求.结合ABS电机的工作特性,采用基于逻辑门限值的PWM控制方法控制电机.运用DSpace搭建快速原型试验台,对比在不同电机工作转速、PWM控制频率下的噪声和制动踏板感觉,优化逻辑门限值大小,得出合理的工作方式,使电机既能满足控制要求,又有较长的寿命.通过在不同路面的试验结果对该控制方法的两个关键参数进行了优化.最后进行不同工况的试验,结果表明:通过优化控制参数的PWM控制方法,具有较强的鲁棒性,能够满足ABS在任何工作条件下对电机的要求. 相似文献
243.
244.
245.
排气污染物排放限值是判断在用车辆达标的标准。随着江苏省车用汽油标准的提高、汽车发动机水平、污染物控制技术的发展,现有标准《在用点燃式发动机轻型汽车稳态工况法排气污染物排放限值》(DB32/966-2006)已经难以起到严格控制机动车污染排放的需要,标准修订迫在眉睫。 相似文献
246.
发射度补偿线圈是光阴极注入器中获得低发射度高品质束流的重要设备.由于通过的直流电流功率较大会致使线圈温度过高,必须使用水冷系统对其进行冷却,因此导致装置体积过大.考虑到电子枪产生的电子束团脉冲宽度一般为ps量级,重复频率为10Hz,针对补偿线圈提出了使用脉冲电流替代直流电流的设想,并对其温升进行了理论计算.结果表明:通过合理设计,使用脉冲电流,补偿线圈可以省掉水冷系统,从而能降低成本,实现实验装置的小型化. 相似文献
247.
为了减小边坡可靠度计算在模型建立、参数估计和算法选取上的误差,建立了基于极限分析上限定理的边坡可靠度分析模型,采用最大熵原理推断边坡结构参数的统计特征,并采用Monte Carlo模拟法计算边坡的结构可靠度上限值。最后将结果与其他方法进行了比较。研究结果表明:利用最大熵原理、Monte Carlo模拟法和基于上限定理的边坡可靠度分析模型所计算的可靠度值是边坡可靠度的一个严格上限值,该模型与极限平衡法模型、R.Jimenez-Rodriguez等模型计算的结果比较接近。 相似文献
248.
249.
岩石内部裂隙缺陷对新裂纹的萌生扩展有显著影响,导致岩石强度大幅降低甚至破坏.研究内置缺陷岩石裂纹的萌生、演化与微破裂分布,有助于揭示岩体渐进破坏规律,具有重要的工程意义.采用细观损伤数值方法对单轴压缩下内置裂隙岩石的破坏进行研究,再现不同均质度岩石微破裂萌生、发育、扩展、贯通直至破坏以及整个过程的声发射分布.将数值试验同物理实验比较,结合前人研究进行分析.结果表明,内置三维裂隙岩石裂纹扩展和破坏过程与相应物理实验总体上一致;在较均质岩石中观察到反翼型裂纹,揭示出反翼型裂纹主动偏向翼型裂纹扩展的现象;鱼鳍状裂纹在椭圆裂隙扩展试验中极易出现,并在均质岩石中表现为翼型裂纹与反翼型裂纹以卷曲面形式扩展形成包裹状破裂面;岩石非均匀性对其应力场,强度,声发射和破坏形式有显著影响,均质性差的岩石易沿着内置斜裂隙发生单截面剪切破坏;细观损伤数值方法可以模拟岩石破裂全过程并揭示微破裂空间位移、聚集规律,研究结果可为研究岩石破坏机理的物理实验和理论分析提供借鉴. 相似文献
250.
The GaAs material is a major semiconductor material, and it has high electron transfer rate and direct transition energy band structure. The devices and inte-grated circuits fabricated on the GaAs substrates have a lot of advantages such as high speed information processing. Small perturbations in the manufacturing of GaAs materi-als can lead to defects. The defects in the GaAs materials can degrade the performance of materials. A new method is presented in this paper for detecting the micro-defects in GaAs materials by using time resolved emissions. In this method, the micro-defects in GaAs materials are detected by making use of the photon emission features of micro- defects. The strength of the emitted photons from the micro-defects is increased by applying the electric current or the periodic pulse signals to GaAs materials. The single-photon detector is used to detect the photon emissions of the micro-defects. The time resolved photon emissions and single-photon detection are used to record and compare the amounts of the emitted photons that come from the given regions of the normal GaAs materials and the defective GaAs materials. A lot of experimental results show that the micro-defects in the GaAs materials can be detected by using the method proposed in this paper. 相似文献