计算等谱可积方族Lax表示的新框架

建立了计算等谱可积方程族的Ｌａｘ表示的一个新框架．作为例子，分别求出了ＫｄＶ型ＴＣ型等谱方程族Ｌａｘ表示的统一显式．     

两种场发射锥尖的制备工艺及电学特性分析

研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备方法，工艺及封装方法等，并分别测试了这两种场发射尖阵列的电子发射特性，分配表明倒金字塔填充型锥尖适用于制备高频器器件，正向刻蚀的硅尖适用于制备高速开关器件。     

光生电压谱方法对ZnSe／GaAs异质结导带偏移的研究

实验采用光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结界面的光跃迁进行了观察，在光子能量略低于ＧａＡｓ带边的地方，光生电压谱出现了一个峰，通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响，指出该谱峰对应着界面处电子从ＧａＡｓ价带顶跃迁至ＺｎＳｅ导带底的过程，表明ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结的能带排列属于错开型，并得出在温度小于７０Ｋ的低温下ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移值为１５０ｍｅＶ±     

一种客观音质评价的新方法

主要讨论了一种使用语音频谱动态特性的倒谱距离测量对通信系统或通信设备进行客观音质评价方法，它是在使用ＬＰＣ倒谱距离评价普通话语音质量的基础上发展起来的，语音频谱动态特性是利用倒谱对时间的回归分析来表示的，这种度量方法中，使用倒谱系数，倒谱回归系数和能量回归系数３个参数的距离测量，在使用了谱包络信息的基础上，考虑了谱包络随时间的变化量及信号能量随时间的变化，比较了４种距离估算方法和主观音质评价（ＭＯ     

功能覆盖膜对场发射阵列（FEA）电子发射性能的影响

为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（ＦＥＡ）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）以及其它淀积技术。在１０＾－６Ｐａ下测量具有不同覆盖膜的硅ＦＥＡ二极管的Ｉ－Ｖ特性，测量结果表明除Ａｕ和Ｍｏ外，其它覆盖材料都对ＦＥＡ电子发射性能有改进，经ＴａＮ覆盖的ＦＥＡ发射电流最大。由Ｆ－Ｎ曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积，从而说明以上所得的实验结果。     

含时Bloch方程的Laplace变换解法

Ｂｌｏｃｈ方程被广泛地应用于磁共振，激光物理等众多领域内，但是求含时Ｂｌｏｃｈ方程的瞬态解是相当繁的。本文利用Ｌａｐｌａｃｅ变换法详细地解出了含时Ｂｌｏｃｈ方程的瞬态解析解，并简析了激光化学中的ＣＩＤＥＰ谱和光学章动问题。     

过渡金属配合物M(mnt)(phen)光氧化反应

ＥＰＲ波谱表征了高压汞灯照射下的低温（１１０Ｋ－２１０Ｋ）Ｍ（ｍｎｔ）（ｐｈｅｎ）氯仿溶液自由基（Ｍ＝Ｆｅ２＋，Ｃｏ２＋，Ｎｉ２＋，Ｚｎ２＋；ｍｎｔ＝马来二腈基二硫代酸根（ｐｈｅｎ＝１，１０－菲口罗啉）。对反应体系自由基的形成过程，提出了一种可能机理。     

合金缺陷伯穆斯堡尔谱研究

由于穆斯堡尔谱学方法具有极高的能量分辨率并可以提供核周围环境的超精细相互作用信息，而合金的特性在晶格缺陷附近会与完整晶体不同，因此，以合适的共振原子作为探针测得穆斯堡尔谱，便可以从中得到有关晶格缺陷的信息。     

硫酸三甘肽的正电子寿命谱研究

配合时域介电谱方法用正电子湮没技术对硫酸三甘肽（ＴＧＳ）的铁电相变过程进行了测量，发现正电子寿命谱有两个较强的成份和一个很弱的成份，后者相应于正电子偶素，各分量在相变点附近很窄的温区出现奇异性质，对其起因作了解释     

高压下MTi2（PO4）3晶体Raman光谱研究

利用Ｒａｍａｎ光谱研究了ＭＴｉ２（ＰＯ４）３（Ｍ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）晶体在高压下产生的压致结构相变。实验结果表明：ＬｉＴｉ２（ＰＯ４）３和ＫＴｉ２（ＰＯ４）３在３ＧＰａ和６ＧＰａ压力附近发生了两次压致结构相变；ＮａＴｉ２（ＰＯ４）３在２．５ＧＰａ和７．５ＧＰａ压力附近发生了两次压致结构相变。