混配型杂多酸掺杂聚苯胺的制备与表征

混配型杂多酸掺杂聚苯胺的制备与表征龚剑王东仁瞿伦玉（东北师范大学化学系,长春,１３００２４）本文报道了用化学制备法制得的四种掺杂聚苯胺,经元素分析可知其最简式分别为：（Ｃ６Ｈ４５Ｎ）１２５（Ｈ４ＰＭｏＶＯ４０·５５Ｈ２Ｏ）（Ｓ１）;（Ｃ６Ｈ４...     

铬掺杂钙铌酸的制备及其光催化性能

通过高温固相反应制备铬掺杂的钙铌酸钾系列样品,并用离子交换反应制备出对应的铬掺杂钙铌酸样品.采用X-射线衍射、紫外-可见漫反射光谱、扫描电镜等方法,对所制得的样品进行表征.在甲醇为电子给体,Pt为助催化剂的情况下,研究铬掺杂的钙铌酸系列催化剂,在波长大于290 nm紫外光辐射下分解水产氢的光催化活性.结果表明,适量的掺杂铬可有效地提高钙铌酸的光催化分解水的活性.最后,讨论引起催化剂活性差异的可能原因.     

不同形貌掺杂态聚苯胺纳米半导体材料的界面法合成

利用界面自组装聚合法,用FeCl3作氧化剂,成功地合成了不同形貌掺杂态聚苯胺(PANI)纳米半导体材料.用透射电镜(TEM),红外光谱(FT-IR),X射线衍射(XRD)及四探针等手段对所得各种PANI纳米半导体材料进行了表征.实验表明,通过控制甲酸的浓度可以得到不同形貌的甲酸掺杂的聚苯胺(F/PANI)纳米材料,进一步加入不同种类的表面活性剂十六烷基三甲基溴化胺(CTAB)和十二烷基硫酸钠(SDS)也可使共掺杂CTAB/F/PANI和SDS/F/PANI纳米材料的形貌发生改变,表面活性剂的加入还可使PANI的导电性能有很大的改善.     

磁控溅射Cr/CrN/CrAlSiN复合涂层高温氧化行为研究

采用等离子增强磁控溅射(Plasma Enhanced Magnetron Sputtering,PEMS)技术通过改变Al靶功率成功制备了不同Al含量Cr/CrN/CrAlSiN多层纳米复合涂层。本实验先将试样在900℃下保温15 h后随炉冷却至室温,分别采用X射线衍射仪(XRD)、场发射电子扫描显微镜(FESEM)以及能量散射X射线能谱仪(EDS)分析了涂层氧化前后的晶体结构,表、截面形貌及化学元素种类、分布,另外使用原子力显微镜(AFM)表征了涂层的三维形貌与粗糙度。随着Al含量的增加,涂层晶粒尺寸、膜厚度及表面粗糙度均逐渐增大,晶粒沿着CrN(200)晶面呈现出择优取向。氧化后涂层表面形成了致密的Al_2O_3、SiO_2及Cr_2O_3混合氧化物薄膜,可有效抑制氧的进一步扩散。多层涂层对基体具有良好的保护作用,且Al含量为15.18%时,纳米复合涂层的综合性能最佳。     

多面体双壳层 Co$_{bf 3}$O$_{bf 4}$-ZnO 及其 CO 传感性能

以甲醇为溶剂, 静置沉淀法合成 Co 掺杂的 ZIF(zeolitic imidazolate framework)-8, 将其在管式炉中空气氛围下退火得到多面体双壳层 Co$_{3}$O$_{4}$-ZnO. 通过 X 射线衍射仪(X-ray diffraction, XRD)、扫描电子显微镜(scanning electron microscope, SEM)、透射电子显微镜(transmission electron microscope, TEM)、热重分析仪(thermal gravimetric analyzer, TGA)手段对合成材料的组成、形貌和热稳定性进行了表征. 结果表明, 纯 ZIF-8 在较低的退火温度下保持稳定, 更高温度的退火使 ZIF-8 生成结构坍塌的 ZnO. 4% Co 掺杂的 ZIF-8 在较低温度下退火后得到多面体双壳结构的 Co$_{3}$O$_{4}$-ZnO(CZO-4), 表明 Co 在 ZIF-8 的氧化过程中提供了催化氧化的活性位点, 降低了 2-甲基咪唑的氧化反应能垒. 同时, 较低的退火温度给予 ZnO 充分的成型时间, 使其保持菱形十二面体结构而不坍塌. 由 Co 元素催化由外而内的氧化生长过程, 最终使 ZnO 生长为双壳层结构. 而将 Co 的载量提高到 8%, 得到的双壳层则变得不明显(CZO-8). 在对 CO 气敏测试结果分析中发现, 相对于 CZO-8 和 ZnO, CZO-4 具有更优异的 CO 传感性能, 具有高灵敏度($R_{rm a}$/$R_{rm g}$=21.8@100$times $10$^{-6}$ CO)、 高选择性(达到 H$_{2}$ 灵敏度的 8.7 倍)和长期稳定性(在42 d 测试中信号平稳). 这是由于 CZO-4 具有较大的比表面积和气体传输通道, 以及 Co 作为活性位点对 CO 催化氧化作用带来的气敏性能的提升.     

Zn1-xSrxS:Cu薄膜电致发光特性的研究

首先我们制备了结构为：ITO／SiO2／ZnS:Cu／SiO2／Al的薄膜电致发光器件,其电致发光为绿色的宽带发射．然后将发光材料换成Zn1-xSrxS：Cu,制备同样结构的薄膜电致发光器件．结果发现电致发光光谱由原来的550nm单个峰的宽带发射变成了双峰发射．峰值位置分别为430nm和530nm左右,而且随Sr浓度的变化而不同．该体系Cu离子的蓝光发射主要是由于Sr的掺入使ZnS基质的禁带变宽以及蓝色发光中心能级上的电子不易被离化到导带所致．     

混合稀土掺杂对非枝晶合金电化学性能的影响

本文研究了对非枝晶结构拉弗斯相阴极贮氢合金的混合稀土掺杂，以期进一步改进合金的动力学性能ＸＲＤ、ＥＰＭＡ及金相分析表明，混合稀土在合金中形成分散的Ｍｍ－Ｎｉ微小合金颗粒，在强碱性电解质的作用下，合金表面偏析出的疏松的混合稀土氢氧化物Ｍｍ（ＯＨ）。有利于镍原子簇对氢电极反应的催化作用     

Yb2+掺杂Zr1-xSiO4长余辉发光材料性能及其发光机制研究

运用高温固相法合成Zr1-xSiO4:xYb2+蓝绿色长余辉发光材料,对材料进行X-射线粉末衍射(XRD)、荧光、热释、余辉衰减等结构及发光性能进行测定.材料在400～560 nm有一个很宽的发射峰,主峰位于480 nm处,归属于Yb2+和Zr4+共同贡献,而516 nm肩峰由Yb2+及材料中的Si-O缺陷所贡献.Yb...