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41.
报道了名义上无序GaxIn1-xP(x=0.52)合金的发光瞬态过程,对样品在77K和300K下不同激发强度的时间衰退过程和时间分辨光谱的分析表明,这块名义上无序的合金也存在很微弱的有序度。在77K的高激发强度下,衰退过程符合单指数衰退规律,在低激发强度下,符合双指数衰退规律;而在300K下,衰退过程都符合双指数衰退规律。在77K下的时间分辨光谱里观察到了PL谱峰的蓝移现象和载流子的转移过程。 相似文献
42.
43.
44.
以Ca(NO3)2.4H2O、Mg(NO3)2.6H2O、Na2SiO3.9H2O、Eu2O3为原料,采用化学共沉淀法制备了Ca2MgSi2O7:Eu2+绿色荧光粉.其激发光谱分布在300~480 nm波长范围,谱峰位于310~385 nm,可以被InGaN管芯产生的360~480 nm辐射有效激发;在430 nm激发... 相似文献
45.
采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构和性能进行了表征,并利用发射光谱(OES)对薄膜等离子体生长过程进行了分析.研究结果表明,随着射频功率的增加,等离子体发射光谱中Hβ谱线强度激增,薄膜的红外光谱中Si—O键在1095cm-1处振动吸收峰强度减小,Si—Si键在613cm-1处特征吸收峰强度增加,说明射频功率增加加剧了硅烷的裂解与氧化硅的还原,提高了薄膜结晶度和纳米晶粒的融合度,并降低了沉积薄膜的表面粗糙度. 相似文献
46.
对稀土功能配合物的合成与发光性质进行了详细的评述,并对稀土配合物光物理与光化学给予归纳、分类.对于日益引人注目的笼状稀土配合物、多核稀土配合物和主客体稀土配合物等特殊功能进行了讨论,并预示了集笼状、多核及包结等一体的稀土超分子体系研究的前沿领域. 相似文献
47.
曾慧慧 《萍乡高等专科学校学报》2010,27(6):72-75
采用高温固相法制备了Y2O2S:Eu3+,Si4+,Zn2+红色长余辉发光材料。通过发射光谱、XRD、余辉衰减曲线和热释光谱的测量,研究了在Y2O2S:Eu体系中掺杂Si4+,Zn2+离子对荧光体的发光与长余辉特性的影响。结果表明,Si4+,Zn2+离子的掺杂不影响发射光谱和晶体结构,但显著地影响材料的长余辉特性。当Si4+,Zn2+离子摩尔含量为0.06mol,并且Zn2+和Si4+的摩尔比为1:1时,样品的发光亮度最高,而且它的余辉衰减时间也最长。根据实验结果,探讨了Y2O2S:Eu体系荧光体的长余辉发光机理. 相似文献
48.
Eu~(3+)和CaWO_4共沉淀发光材料的制备及其发光性质 总被引:1,自引:0,他引:1
通过共沉淀技术制备了稀土离子Eu3+和CaWO4共沉淀发光材料,并通过测试样品的红外光谱(IR)、激发光谱、发射光谱,研究了稀土离子Eu3+和CaWO4共沉淀发光材料的结构和发光性能.结果显示:反应产物中有CaWO4生成,在实验过程中加入的有机活性剂基本除净; 样品显示出Eu3+的特征发射光峰位于588nm和612nm,分别属于5D0→7F1和5D0→7F2跃迁,对应的主要激发光谱位置分别是363nm(7F0→5D4),383nm(7F0→5G2),395nm(7F0→5L6),414nm(7F0→5D3),465nm(7F0→5D2),536nm(7F0→5D1),560nm(7F2→5D1),585nm(7F0→5D0).说明稀土离子Eu3+在共沉淀材料中具有良好的发光性能,其含量为0.50%时发光性能最好. 相似文献
49.
合成了一种新型掺Er 离子化合物的上转换发光材料,测量了此材料在短波段的上转换发光光谱和激发光谱,初步研究了它们在短波段的上转换发光过程:短波段的上转换发光分别为三光子或四光子过程.还比较了掺杂敏化剂和不掺敏化剂两种情况下的上转换发光的变化情况 相似文献
50.