硼掺杂对SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料合成温度及性能的影响

采用固相法合成了系列掺硼SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料。通过测试分析合成粉体的物相组成、激发光谱、发射光谱和余辉时间,研究了硼掺杂对SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料合成温度与发光性能的影响。实验结果表明,添加硼一方面做为助熔剂可以降低合成温度,另一方面当硼摩尔分数小于30%时,增加硼含量可以延长余辉时间,但硼含量的变化对激发和发射光谱峰值没有明显影响。     

3种钌配合物与DNA相互作用的瞬态发光特性研究

以3种新合成的钌配合物[Ru(bpy)₂(7-CH₃-dppz)]²⁺, [Ru(bpy)₂(7-F-dppz)]²⁺, [Ru(phen)₂(7-F-dppz)]²⁺为研究对象, 采用时间分辩的发光光谱技术分别测量了这3种钌配合物与小牛胸腺DNA(ctDNA)相互作用时的瞬态发光动力学过程. 结果表明: 钌配合物的发光来源于配合物分子中的电荷转移态到基态的辐射跃迁. 通过钌配合物与DNA的相互作用, 使得配合物激发态分子的无辐射弛豫几率减小, 从而导致发光寿命的增加. 配合物分子与DNA相互作用越强, 激发态分子的无辐射弛豫几率越小, 发光寿命也越长, 最终导致高的发光效率. 配合物的分子结构对配合物分子与DNA的相互作用具有重要的影响. [Ru(bpy)₂(7-CH₃-dppz)]²⁺的发光寿命最长(约382 ns), 而[Ru(bpy)₂(7-F-dppz)]²⁺的发光寿命最短(约65 ns). 讨论了上述过程产生的机理.     

白色发光二极管用荧光粉研究进展(Ⅰ)——蓝光或近紫外光发射半导体芯片激发的荧光粉

综述了近三年来半导体白色发光二极管(WLED)用荧光粉的研究进展。主要从蓝光芯片激发和近紫外光芯片激发的角度分别介绍了红粉、绿粉、黄粉、蓝粉以及单基质白色荧光粉的研究概况,对性能较好的荧光粉作了重点推介,同时也综述了WLED器件的最新进展。指出了目前该领域存在的问题并对其发展趋势作了简要展望。     

量子点中的界面极化子和多孔硅发光现象

量子点中的极化子效应是当前量子点研究中的重要问题，其特征急需了解，提出了量子点中量子限域极化子的概念，可能性和能量随尺寸的变化规律，指明本征声子和外来声子都可能对其形成有贡献，利用此模型分析了多孔硅体系中的光谱特征。发现表面覆有氧化层的纳米硅的行为十分符合量子限域极化子的特征。     

复合电子发光薄膜中非晶二氧化硅层的电流密度计算

给出了一个用来计算复合电子发光薄膜中非晶二氧化硅层的电流密度的力学模型，利用此模型和蒙特卡洛模拟，可以得到电子在不同的电场下通过非晶二氧化硅层时所需要的时间，然后给出了一些参数的经验值，计算得到了与实验基本相一致的理论结果。     

PHLC型a-C∶H发光特性模型

提出一种ＰＨＬＣ型ａ－Ｃ∶Ｈ发光特性模型。认为此类膜材料特有的发光行为是由于膜中ｓｐ２簇能隙Ｅｇ的分布所致，激发光子能量Ｅ处的信号由相应的吸收系数α和簇数量所确定。     

镓酸锌掺杂锰发光材料的制备进展

本文详细介绍了镓酸锌掺杂锰发光材料的制备进展,分析了各种制备方法的优缺点,并对无机发光材料的发展趋势进行了展望。