低温合成纳米TiO2及其气相光催化氧化性能

以TiCl4为前驱体 ,采用控制水解法 ,在常温下合成出平均粒径为 2 5nm的锐钛型纳米TiO2 ,并在不同温度下进行热处理 .利用XRD、BET、DRS、TEM等手段对纳米TiO2 进行了表征 ,以丙酮作为目标降解物 ,考察其气相光催化氧化性能。结果表明 ,常温下制备的纳米TiO2 具有明显的量子尺寸效应。经过 6 0 0℃热处理的样品活性最好。比表面积与晶化度的适当平衡导致光催化活性的提高     

任意大于25的偶数的一个性质

证明了每个大25的偶数都能表示两个素数的和，并且表示的方法种数为：Dp（N）≥2k－3。     

从电影《英雄 》看 “侠”精神的嬗变与消解

电影《英雄 》用“天下 ”与“和平 ”置换 “武侠 ”主题的同时 ,也对 “侠”精神进行了消解 。     

衍生气相色谱法分析中草药中的草酸

本文将极性强的草酸用甲醇一盐酸酯化，衍生成易挥发且极性低的草酸二甲酯的方法，对部分中草药中的草酸进行了分析，并对酯化条件进行了探讨。本法使用ＦＩＤ检测器，５％ＰＥＧ—２０Ｍ涂渍在ｃｈｒｏｍｏｓｏｒｂＷＡ，Ｗ—ＤＭＣＳ（６０～８０目）的色谱柱（３ｍ×４ｍｍ），Ｎ＿２为载气，柱温１０５℃，草酸二乙酯为内标物。本法灵敏度高，草酸衍生物出峰单一，选择性强，操作简单。回收率在９２．８５％～１０３．５％之间。     

二次互反律的一个新的初等证明

给出数中著名的二次互反律一个新的初等证明，其特点是比常见文献中的初等证明更为简单，并且不使用高斯引理。     

反挤压积极摩擦功率的计算

本文针对现有文献中用相对速度计算积极摩擦功率的问题,提出了准确的概念和计算方法,并结合杯形件反挤压的实例,对积极摩擦反挤压和常规反挤压的上限解进行了分析和比较。     

C5馏分中环戊二烯和双环戊二烯的气相色谱分析

采用气相色谱仪对C5馏分中环戊二烯和双环戊二烯的含量进行了分析，研究表明，选用PEG－400／6201（80－100目）柱，可成功地将环戊二烯和双环戊二烯从C5馏分中的其它烃类分离出来，环戊二烯和双环戊二烯的含量分别为2．0％，20．5％（质量百分比），图谱中出峰数少且峰形好，检测方法简单，快速，重现性好，为C5馏分中环戊二烯和双环戊二烯的利用提供了一种可行，实用的原料分析方法。     

Field Emission of SiCN Thin Films Bombarded by Ar^＋ Ions

SiCN thin films were synthesized by a radio frequency chemical vapor deposition (RFCVD) system on P-type Si (1 0 0) wafers using C2H4, SiH4 and N2 as raw materials.In order to get rid of the oxygen absorbed on the surface and improve the characteristics of electron field emission, Ax^ ions of low energy were used to bombard the samples. The field emission characteristics of SiCN thin films before and after Ar^ bombardment were studied in the super vacuum environment of 10^-6 Pa. It was showed that the turn-on field (defined as the point where the current-voltage curve shows a sharp increase in the current density) decreased from 38 V/μm before bombardment to 25 V/μm after bombardment. And the maximum emission current density increased from 159. 2 to 267. 4 μA/cm^2. The composition before and after Ar^ bombardment was compared using X-ray photoelec-tron spectroscopy (XPS). Our results illustrated that the field emission characteristics were improved after the bombardment of Ar^ .     

影像反求外形CAD系统的研制

影像反求外形CAD系统是以AutoCAD2000为平台开发的一个用于反求设计的专业化、参数化绘图系统，开发以VLISP程序设计为主，给AutoCAD增加用于反求设计的智化，参数化命令，其次对新增命令进行了菜单定制，给系统提供了帮助信息等。试验证明该系统能够快速准确半自动地完成以平面体为主而组合的产品照片的外形反求。