中频反应磁控溅射制备具有光致亲水性TiO2薄膜

采用中频反应磁控溅射方法在玻璃表面制备了TiO2薄膜,为使薄膜获得理想的化学配比和较高的沉积速率,使用了等离子体发射光谱监控法(Plasma Emission Monitor,PEM)对溅射过程进行控制。对部分样品进行了退火处理。利用台阶仪测膜厚,X射线衍射(XRD)对薄膜的沉积速率及结构进行测试分析,并对部分沉积态和经过热处理的薄膜样品进行了透光性测试和光照实验。研究了温度,PEM工作点等不同工艺条件对薄膜光致亲水性等性能的影响。部分薄膜经过1h左右的紫外光照射,得到了很好的亲水性效果,其表面的水接触角达到了小于1°的水平。     

磁控溅射法制备PET基纳米TiO2抗菌薄膜的研究

利用磁控反应溅射法在PET基底上制备了纳米TiO2抗菌薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)对制得的溅射膜的微观形貌进行了表征，发现采用磁控溅射法在很短的时间内即可在基底上得到一层致密均匀的由纳米粒子组成的薄膜。采用光—氧抗菌实验方法，研究了溅射薄膜的抗菌性能。实验结果表明溅射后的薄膜比未溅射样品具有明显的抗菌性能。     

Low-field positive and high-field negative magnetoresistances in multiphase Fe-oxide thin films at room temperature

Multiphase Fe-oxide thin films are fabricated on glass substrates by a facing-target sputtering tech- nique. X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy reveal that Fe, Fe3BO4, γ -Fe2BO3B and FeO coexist in the films. High resolution transmission electron microscopy shows the well-defined colum- nar grain structure with the unoxidized Fe as the core and iron-oxide as the shell. The low-field positive and high-field negative magnetoresistances coexist in such a system at room temperature, which can be explained by considering a shell/core model. Nonlinear current-voltage curve and photovoltaic effect further confirm the tunneling-type conduction.     

射频反应磁控溅射制备氧化铬薄膜技术及性能

研究了采用射频反应溅射方法制备氧化铬耐磨镀层的技术和薄膜的性能.结果表明,采用金属靶材进行射频反应溅射时,由于靶材与反应气体的反应,会出现两种溅射模式,即金属态溅射和非金属态溅射,非金属态溅射模式的沉积速率很低.氧化铬薄膜的硬度主要决定于薄膜中Cr2O3含量,在供氧量不足时会生成低硬度的CrO,制备高硬度氧化铬薄膜需要采用尽可能高的氧流量进行溅射.采用在基片附近局域供氧,可以实现高溅射速率下制备出高硬度的氧化铬薄膜.     

直流反应溅射动力学模型的研究

提出了一个反应溅射的物理溅射动力学模型，基于捕获效应，并考虑了参数间相互影响，计算出的溅射参数与实测值相符。模型较好地描述了靶初始覆盖度与溅稳定态之间的关系，说明了从金属溅射区向氧化物溅射区转变与从氧化物溅射区向金属溅区的转变的反应气体流量阈值的大小为什么不同。真空室氧分压对靶面氧化物形成速率的影响是引起氧化物分数与氧流量关系曲线不连续点的主要原因，靶面氧化物覆盖度初始值的不同导致了氧流量阈值的多     

Effects of helium on titanium films and the helium diffusion

Using direct current-magnetron sputtering, Helium-trapped Ti films with a He/Ar mixture was studied. The relative helium content, helium depth profiles for the Ti films and crystallization capacity were analyzed by Enhanced Proton Backscattering Spectrometry （EPBS） and X-ray diffraction （XRD）. It was found that helium diffusion enhanced as more helium trapping into Ti films, and the He holding ratios were 95.9%, 94.9%, 93.9%, 82.8% when the Ti films with the He/Ti of concentrations of 9.7 at.%, 19.5 at.%, 19.7 at.%, 48.3 at.% were measured again 4 months later, respectively. The diffraction peaks became weak and wider, the peak of （002） plane was shifted to smaller diffraction angles and the relevant interplanar spacing d（hk,） increased gradually as more helium trapping into Ti films. The main peak was made trending to the （101） plane by both higher deposition temperature and more helium trapping.     

ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究

论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率 ,甚至同时降低其光电性能 .实验结果表明 ,当Ar流量为 4 0 2cm3 ·min-1、温度为 36 0℃和旋转溅射时间为 90min等参数保持不变时 ,ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为 0 4 2cm3 ·min-1,溅射气压为 0 5Pa ,溅射电流 0 3A(溅射电压约为 2 4 5V ) ,所得薄膜的方块电阻为 5 7Ω、波长为 5 5 0nm的绿光透过率达到 88 6 % (洁净玻璃基底的绿光透光率为 91 6 % ) .     

纳米晶Fe-Ti-N软磁薄膜的研究

用射频反应溅射法制备了含Ti量高低不同的两种Fe Ti N合金薄膜 .研究发现 ,沉积态低Ti含量的薄膜是α Fe的多晶体 ,晶粒尺寸约 2 0nm ,沉积态高Ti含量的薄膜则是非晶结构 ,经适当热处理后 ,纳米晶α Fe从中晶化生成 ,晶粒尺寸约 10nm .和低Ti含量Fe Ti N薄膜相比 ,高Ti含量Fe Ti N薄膜显现出良好的软磁特性     

磁控溅射法制备PET基纳米TiO_2抗菌薄膜的研究

利用磁控反应溅射法在PET基底上制备了纳米TiO2 抗菌薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)对制得的溅射膜的微观形貌进行了表征 ,发现采用磁控溅射法在很短的时间内即可在基底上得到一层致密均匀的由纳米粒子组成的薄膜。采用光 -氧抗菌实验方法 ,研究了溅射薄膜的抗菌性能。实验结果表明溅射后的薄膜比未溅射样品具有明显的抗菌性能