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121.
本文对 30℃至 1 2 0℃温度范围内的光折变晶体Mn∶Fe∶LiNbO3的前向双光束耦合的温度特性进行了实验研究 .发现在 5 0℃、70℃和 1 0 5℃附近出现异常峰值 .  相似文献   
122.
空心箔式电抗器高频损耗的计算分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种新的等效耦合电路模型,该模型可用于计算分析空心箔式电抗器的阻抗和损耗等参数.采用张量法,成功解决了大规模方程组的求解问题.分析了电力电子中常见频率范围(20~100kHz)内空心箔式电抗器的高频损耗问题,并研究了箔的电导率对线圈的交流有效电阻和直流电阻之比的影响.通过样机的对比分析,证实了本文方法的有效性,从而为空心箔式电抗器的设计计算奠定了基础.  相似文献   
123.
推导了电容式微机械加速度计的悬臂梁在加速度作用下可能出现的两种挠度情况,分析了在制造过程中残余应力对于加速度计造成的影响,推导了电容式微加速度计的工作原理,并推荐了相应的工作模式.  相似文献   
124.
热作模具钢连轧过程力学参数的有限元分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用三维热力耦合弹塑性有限元软件及其接触分析技术,在准确制定相关边界条件基础上对Φ200mm规格的热作模具钢二机架热连轧过程的金属三维流动进行了有限元模拟,准确地计算了力学参数(如轧制力和力矩)的分布情况并对轧辊强度进行了分析,从中确定了安全可行的轧制方案。  相似文献   
125.
信道化接收机中10~12GHz微带交指滤波器的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对信道化接收机的10~12GHz滤波器,研究微带交指滤波器的实现,提出一种设计微带交指滤波器的方法.根据微带线中电流的对称性,将微带交指滤波器分成互相独立的平行耦合节.通过平行耦合节阻抗综合过程,可以简单、准确地计算出各平行耦合节的参数,从而确定微带交指滤波器的参数,并根据计算结果用ADS进行了软件仿真和优化.该方法设计简单,硬件容易实现.测试结果表明,该方法可行有效,适合于工程应用.  相似文献   
126.
采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/非磁金属隔离层/FeMn多层膜, 研究了交换耦合场Hex相对于非磁金属隔离层厚度的变化关系. 实验结果表明: 随非磁金属隔离层厚度的增加, 以Bi和Ag为隔离层的Hex薄膜急剧下降, 以Cu为隔离层的薄膜的Hex下降较缓慢. 对Cu而言, 它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同且晶格常数相近, Cu层以及FeMn层都可以相继外延生长, FeMn层的(111)织构不会受到破坏, 因此, Hex随Cu沉积厚度增加缓慢下降. 对Ag而言, 虽然它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同, 但晶格常数相差较大, Ag层以及FeMn层都不可能外延生长, FeMn层的织构将会受到破坏, Hex随Ag沉积厚度增加迅速下降. 对Bi而言, 不仅它的晶体结构与NiFe层的不同, 而且晶格常数相差也较大, 同样, Bi层以及FeMn层也不可能外延生长, FeMn层的织构也会受到破坏, 因此, Hex也随Bi沉积厚度增加迅速下降. 但是, X射线光电子能谱研究表明: 极少量的表面活化原子Bi沉积在NiFe/FeMn界面时, 会上浮到FeMn层表面, 因而Hex下降很少.  相似文献   
127.
纳米双相钕铁硼永磁合金的织构及磁畴   总被引:3,自引:1,他引:3  
为开发纳米复合永磁材料高磁能积的潜力,用熔体快淬法制备各向异性的纳米双相快淬带。X光衍射结果表明,Nd9Fe85-xNbxB6(x=0,0.5,1.0)快淬带中存在垂直于带面的Nd2Fe14B[00L]织构,其自由面上的织构强于贴辊面。x=1.0时,在15m.s-1的快淬速度下的择优取向度为94%。磁力显微镜观察表明晶粒间存在强烈的交换耦合作用。x=0.5时的快淬带具有较强交换耦合作用及高织构度,因此具有最佳磁性能。其剩余磁极化强度为1.130T,内禀矫顽力为519.8kA.m-1,最大磁能积为121.2kJ.m-3。  相似文献   
128.
混流式转轮静强度和振动特性分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
为大型水轮机组的安全、稳定运行,研究了转轮在水介质中的动力特性。运用顺序耦合的方法,分析了在三维旋转流动所产生的水压力作用下转轮体的静强度特性;运用全流固耦合的三维有限元方法进行了转轮在水介质中的模态分析。强度分析结果表明,应力集中的部位与裂纹实际产生的位置完全吻合,但最大等效应力远小于材料的极限破坏应力;模态分析得到转轮在水中的自振频率和振型等振动特性,指出了发生共振的可能性。结果证实了导致裂纹产生的原因不是静应力而是动载荷的作用。  相似文献   
129.
采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致.  相似文献   
130.
应用激光—线阵CCD成像技术,提出了一种高速、高精度热轧机辊形检测方法,阐述了激光—线阵CCD工作原理及CCD视频信号图像处理技术,介绍了激光—线阵CCD热轧机辊形检测系统。采用新的自适应快速边缘聚焦法。有效地降低了噪音对成像质量的影响,提高了处理数据的速度,使图像得到有效增强,成功地解决了除噪、边缘检测和特征信息提取等关键技术,并通过实验进行了验证。  相似文献   
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