具有完全单Г—核的Г—半群

证明了：如果一个Г－半群的某一相关半群具有完全单核，则它的每一相关半群的均有完全单核。引入半讨论了引入并讨论了Г     

用DC—SQUID模型解释高温超导结中的“亚谐波”台阶

利用高温超导Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ２Ｏ７多晶样品制备了颗粒边界弱连接结，并对其传输特性进行了测量。实验观察到在有外磁场和微波幅照时，结的Ｉ－Ｖ特性曲线上出现了“亚谐波”感应台阶，台阶序号为１／２、３／２等半整数。     

关于固体的焓H和自由能G的讨论（Ⅱ）

按照弹性理论中的贝蒂定理，推出了各向同性固体的流体静力学压力为Ｐ０＝１３（ＰｘＡ＋ＰｙＢ＋ＰｚＣ）和Ｐ０＝１３［１２Ｐｘ前Ａ前＋１２Ｐｘ后Ａ后＋１２Ｐｙ左Ｂ左＋１２Ｐｙ右Ｂ右＋１２Ｐｚ上Ｃ上＋１２Ｐｚ下Ｃ下］．给出了焓Ｈ和自由能Ｇ的表达式，在此基础上，讨论了一些与压力有关的问题     

Slater函数的双中心交换积分

采用复型Ｓｌａｔｅｒ轨道，推导了双中心交换积分公式，讨论了交换积分的一种特殊情形．对实际计算中的一些问题进行了讨论，给出了一部分计算结果．     

双原子分子低能级分子轨道成键性质分析

在ＳＴＯ－６－３１１Ｇ从头计算基础上，利用自编程序计算了部分双原子分子的分子轨道成键能Ｅｂ（ｉ）［１］．发现第二周期双原子分子能量最低的１σｇ，１σμ或１σ，２σ分子轨道均为非键轨道，并非一个成键轨道一个反键轨道；ＨＦ分子的２σ轨道是强成键分子轨道，而不是非键轨道，且与ＨＦ的光电子能谱相一致．     

回转类零件自由曲线CAD／CAM集成的实现

运用面向对象技术，研究了回转类零件中自由曲线ＣＡＤ／ＣＡＭ集成方法。     

马铃薯双单倍体及在育种中应用研究进展

用大量资料论述了马铃薯双单倍体、四倍体再合成、２ｎ配子在育种中应用研究进展概况．并论述了近１０年２ｎ配子育种成就．     

GaAs／AlGaAs双势垒结构间接电子隧穿的研究

研究双势垒ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构在与时间有关的交变电场的作用下电子间接共振隧穿的几率和隧穿电流密度。采用转移矩阵方法给出电子在不同空间位置的波函数，用微扰的方法求出电子波函数的含时系数，最终给出电子隧穿几率和隧穿电流密度、计算结果表明电子隧穿几率曲线中出现附加的隧穿峰和隧穿峰变低，并且随穿电流密度曲线巾出现附加的隧穿台阶，隧穿峰变低和展宽，这主要是由于外加突变电场与Ｅ±ｎω的电子态耦合，为电子隧穿提供间接的通道和路径、这也是设计双势垒电子隧穿器件不可忽略的、上述方法也可以推广到多量子阶系统。     

有关双群结合环的几个结果

本文阐述几个有关双群结合环与Г－环关系以及表现双群结合环特性的结果。     

双纱纺成纱区几何状态和单纱捻度的试验研究

在双纱纺纱中,交汇区中的单纱捻度和交汇角对成纱的性能有很大影响,我们将相隔一定距离的两股黑白复丝从前罗拉后方喂入加捻卷绕机构来模拟双纱纺纱过程,并利用高速照相对纺纱过程中的纱线进行动态摄影,分析了一些主要纺纱工艺参数对纺纱过程和纺捻线性能的影响。