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151.
采用静态阻垢实验考察了静电场与ESA/AMPS共聚物共同作用时的阻垢性能。实验结果表明,静电场与ESA/AMPS共聚物对碳酸钙和磷酸钙有协同阻垢作用,静电与ESA/AMPS共聚物对CaCO3的协同阻垢率比药剂单独作用时最大可提高19%;静电与ESA/AMPS共聚物对Ca3(PO4)2的协同阻垢率比药剂单独作用时最大提高量可达73.3%。利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对CaCO3垢样进行了观察。结果表明,ESA/AMPS共聚物对垢样晶形有扭曲作用,而静电与ESA/AMPS共聚物协同作用时,与共聚物单独使用时的垢样没有太大改变。 相似文献
152.
氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究 总被引:5,自引:0,他引:5
利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析,用该法可生长出正化学比的ZnO,不过生长的ZnO薄膜存在孔隙,工艺还有待进一步改进。 相似文献
153.
利用快中子核反应的全γ辐射测量技术研究了 14 9MeV中子与天然铜反应在 5 5°和90°这 2个角度上的分立γ射线谱 ,由高分辨γ分析程序识别了 10 7条谱线 ;定出了每条谱线在这 2个角度上的微分截面以及相应的反应类型和跃迁能级 ,发现谱线主要来自6 3 Cu(n ,2nγ) 6 2 Cu ,6 5Cu(n ,2nγ) 6 4Cu ,6 3 Cu(n ,n′γ) 6 3 Cu等反应道 .通过分析天然铜的活化本底谱 ,可以看出它是快中子核反应中的最理想的屏蔽材料之一 . 相似文献
154.
选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,器件的暗电流密度随之减小 ,同时击穿电压也相应减小 .为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度 ,还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触 .对减薄后的器件进行I V特性测量 ,由于工作电压大幅降低 ,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小 .同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大 ,将器件温度降低到 - 15℃时 ,暗电流密度可降低到 1nA·mm- 2 以下 . 相似文献
155.
本文报告了γ(4,5二苯基2叩恶唑基)丁酸的合成.由于使用了吡啶催化剂,合成的总产率比文献值〔1〕提高了17%.并给出了产物及中间体的物理常数和光谱数据,对中间体合成的最佳反应条件进行了研究 相似文献
156.
以生产实际作应用背景,依据多相模糊统计识别方法,建立了灰分论域下的“低灰分煤”、“高灰分煤”、“矸石”三相模糊糊隶属函数,并提出了一种实用的模型调整算法,应用表明,该方法分选率达到90%,能够满足生产要求。 相似文献
157.
本文用大量观测数据在[1]的基础上证明:太阳耀斑中不但存在来自pep过程的单能(~12.5keV)的X射线源发射,而且存在来自d+ed+过程的单能(~25keV)的X射线源发射。并根据理论模型提出关于耀斑X射线谱测量的建议。 相似文献
158.
本文用大量观测数据在「1」的基础上证明:太阳耀斑中不但存在来自p-e-p过程的单能的X射线源发射,而且存在来自d^+-e-d^+过程的单能的X线射源发射。 相似文献
159.
近十几年来Wilkens利用位错分布理论对于Warren-Averbach(WA)付氏分析法中弯勾现象,嵌块尺寸及微观应变等问题提出了自己的见解。认为这些方面出现的误差是由于WA理论本身必然造成的,本文没有从理论的根源去解释这些矛盾的出现,而是从WA付氏分析中数学归一出现的错误,提出了自己的修正,简单地用一个参数m来说明Wilkens用几个参数说明的问题,从而定性地说明两种理论模型表面上有所不同, 相似文献