代理服务器中数据缓冲技术的研究与实现

以研究cache技术为主题，介绍了作者开发的代理服务器系统中cache技术的设计方案及采取的各种策略，通过对URL的研究，提出了用三级链表结构来有效地管理缓存中www文档的策略：失效策略为固定生存周期算法；淘汰策略为最近最少使用算法，并阐述了系统中各功能的具体实现。     

国有股减持对证券市场影响的实证研究

以1999年1月—2002年5月上市新股为样本，建立计量模型对其进行实证研究，得出以下结论：①国有股减持价格的确定应该慎重考虑，因为投资者最关注的就是国有股减持的价格；②我国证券市场具有新兴证券市场的特征：投资者普遍关注的是流通盘较小的公司，国有股减持的价格定位的主要影响因素是公司流通股本量，而不是公司的EPS(每股收益)；③国有股的减持不应过分集中，而应分散在相对较长的时期内完成。     

一种对铜离子(Ⅱ)具特征识别能力的敏感器研究

对2,6-双(2-苯并咪唑)吡啶(2)及其衍生物(1)的荧光光谱进行了测定,并分别研究了它们和不同金属离子间的络合作用,发现衍生物(1)有着对Cu 2+ 离子的特征识别能力.相反,化合物(2)则并不呈现出类似的特征性,而能以不同的络合能力和多种不同金属离子相作用.对上述现象进行了详细的分析讨论,认为这一特征识别能力的出现可能和衍生物(1)在极性溶剂二甲基甲酰胺中能形成环状结构有着密切关系.     

黄曲霉素和N-亚硝基化合物借诱发DNA互补碱对交联而启动癌变

致癌机理的双区理论发现,绝大多数环境中的致癌剂,均通过引起DNA股间互补碱对的共价交联而启动细胞的癌变.DNA碱稀释过滤法证明:致癌物中的霉菌毒素即黄曲霉素G 1 ,N-亚硝基化合物中的亚硝基二乙胺,二丁胺,吗啉和四氢吡咯、偶氮染料中的4-二甲氨基偶氮苯和含氮杂环化合物中的喹啉,均剂量相关地引起DNA股间交联.而相应类型的非致癌剂黄曲霉素B 2 、亚硝基二苯胺、4'-溴-4-二甲氨基偶氮苯和异喹啉,均不能引起此种交联.用DNA交联24h修复实验,首次提出测定DNA股间交联中、互补碱对交联比率的方法.证明:DNA非互补碱对交联被完全修复,但互补碱对间的交联则难以修复,而互补碱对交联的比率与其致癌强度相关.致突变谱数据证明:突变即点突变和移码变异都是由交联的互补碱对所指导.因此,双区理论是化学、内源物和物理致癌作用的合理机理.     

双解析函数的齐次Riemann边值问题关于边界曲线摄动的稳定性

讨论了当区域边界L发生微小的光滑摄动时，双解析函数的齐次Riemann边值问题的解的稳定性，并给出误差估计．     

SG921-1型双光束测汞仪测定头发中的痕量汞

用SG921—1型双光束测汞仪测定了头发中痕量汞．结果表明两组发样的回收率分别为101．7％和99．1％，该方法具有灵敏度高、精密准确、操作简便易行等优点．     

偶联表面活性剂与传统表面活性剂混合溶液的双水相

研究了偶联表面活性剂(Geminis，l2—3—l2，2Br)和传统表面活性剂(SDS)混合体系双水相的性质。结果表明：该系统在很低的总浓度下(0．03mol／L)能够形成双水相。双水相约区域非常狭窄，且分相溶液中正负离子表面活性剂的比值随着表面活性剂总浓度的变化而线性改变。双水相的表观现象也因表面活性剂总浓度的不同而异。采用冷冻蚀刻技术、负染色技术及透射电子显微镜观察得到的结果表明，双水相中两相的微观结构明显不同，胶团和囊泡可以共存。偏光显微照片显示该系统有独特的液晶结构。     

等价鞅测度模型在外汇期权定价中的应用

在随机利率下，分别就单因子模型和双因子模型两种情况展开讨论，利用等价鞅测度模型给出欧式外汇期权定价的一般公式。     

电磁场理论中的几何化·数论消发散方法(IV)──双圆杆和双椭圆杆内导体电容系数的数值结果

该文是ＧＮＥＳ方法在微波定向藕合器电容系数计算中的具体应用，讨论了系数矩阵元的高精密计算和线性方程组维数的选择，分析了主要误差来源，具体计算双圆杆内导体在对称和非对称两种情况下的电容系数，并与零级近似下得到的柱对称模型的解析解作了比较。文中还考察了电容系数随各个几何参数改变的情况，并作了定性解释，最后绘出双椭圆杆内导体的电容系数结果。     

低温低氧压下激光法在金属基底上沉积高温超导薄膜的缓冲层钇稳定氧化锆

制备高临界电流J_c的高温超导线材与带材是高温超导走向强电应用的重要课题.与Bi系及T1系相比,YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)的不可逆线低,在液氮温区仍有很强的钉扎力.YBa_2Cu_3O_(7-δ)已在单晶基片上生长出很高质量的薄膜,J.高达(5～6)×10~6A/cm~2.但是单晶基底对强电应用是不利的,为了使YBCO薄膜的优良性能应用于带材,必须把YBCO沉积到可弯曲并且便宜的金属基底上.为防止金属基底与YBCO之间的扩散反应,用钇稳定氧化锆(YSZ)做缓冲层.但是用这种薄膜沉积法得到的带材由于不是外延生长,J_c为 10~3～10~4A/cm~2.近来人们用离子束辅助沉积法(IBAD)在金属基底上得到具有平面内织构的YSZ缓冲层,并在其上外延生长出J_c达到 10~6A/cm~2的YBCO薄膜,这使得IBAD薄膜法成