Cu双晶的循环饱和位错结构——II.迷宫位错结构

用透射电子显微镜（ＴＥＭ）研究了受循环应变载荷作用的Ｃｕ双晶中的迷宫形态位错结构。实验表明,迷宫位错结构由两组相互垂直的（００１）和（２１０）位错墙组成。其形成不仅与外加应变幅有关,而且取决于晶体中开动的滑移系统,与一组互相垂直的Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量的位错密切相关。     

载气对氢化物气相外延生长厚层GaN基片的影响

采用氢化物气相外延(HVPE)法生长出了高质量的厚层GaN基片。用高分辨X射线双晶衍射仪(DCXRD)及测厚仪对以N2和H2、N2混合为载气生长的基片进行测试。结果表明载气中通入H2可获得较高质量的GaN晶体,同时可以大大降低晶片的弯曲度,便于GaN材料的应用。     

（112）面CdTe／Cd1—yZnyTe,Hg1—xCdxTe／CdTe和CdTe／GaAs异质结的方向倾斜

用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度 之间的准正弦函数 .为高分辨率透射电子显微镜 ( HRTEM)分析制备了 MBE法生长的 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As( 1- 12 ) B多层异质结的横截面薄膜 .Cd Te/ Ga As异质结的 HRTEM明场象表明 Cd Te( 1- 12 )缓冲层相对于 Ga As( 1- 12 )衬底朝 [1- 11- ]方向倾斜约 3°,并且在 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te异质结 ,Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te( 1- 12 )外延膜相对于 Cd Te( 1- 12 )缓冲层在 [11- 1]方向 ,即 [1- 11- ]的反方向倾斜约 1°.也分析了 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As多层膜之间的倾斜角关系 .     

纯铝双晶中倾侧晶界和扭转晶界的内耗

利用强迫振动模式,在多功能内耗仪上测量含<111>转轴的倾侧晶界和扭转晶界的纯铝双晶内耗,并从晶界结构的角度加以解释,采用耦合模型对晶界弛豫机制进行分析.结果表明：扭转晶界和倾侧晶界的内耗弛豫参数差别明显;当倾侧晶界和扭转晶界的取向差接近于60°时,不出现晶界内耗峰,表明共格和非共格取向差接近于60°的特殊晶界具有较高的力学稳定性.     

白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱

对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测量结果用迁移率理论计算了补偿比．结果表明：ＧａＡｓ中Ｓｉ￣＋注入掺杂，在低剂量注入时，Ｓｉ的两性是影响激活率的主要原因；高剂量注入时，残留间隙Ｓｉ原子的存在是导致激活率低的主要因素。     

双晶体形变的三维有限元分析

本文依据单晶体变形的力学和晶体学特征，建立了双晶体形变的三维有限元模型，并用该方法研究了内界面变形协调条件对双晶体变形的影响，对进一步研究晶界对材料形变、断裂的影响具有积极的意义。     

具有水平狭缝的X射线双晶衍射仪及其应用

本文介绍了我们设计并制造的Ｘ射线双晶衍射仪，在设计中注意了三个关键问题，并首先应用水平狭缝来调试水平零层，文中以测量抛光损伤，双晶貌相和双晶摆动曲线为例，介绍了本仪器的结构特点和如何应用水平狭缝，解决科研工作中在实验技术方面的关键问题。