GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量

提出了一种利用X射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法. 该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度, 此比值与GaN样品厚度在t <2 μm为线性关系. 该方法消除了因GaN吸收造成的影响, 比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高, 更方便可靠.     

X射线分光晶体的本征参数及其测试

简介表征X射线分光晶体衍射特性的三个本征参数:峰值衍射系数(P),积分反射系数(R)及衍射半宽度(W),介绍测量本征参数的双晶衍射仪及其调整要点,以部分测试结果说明晶体衍射本征参数在研制光谱仪时配备适当的晶体和探索晶体元件制作工艺条件等方面的应用。     

约瑟夫森双晶结混频器变频效率测量分析

开展了基于高温超导双晶结混频器变频效率的研究. 采用离子刻蚀法进行刻蚀, 制备出集成天线的结, 进行了3 mm谐波混频的实验, 测量分析了高温超导混频器的变频效率与本振信号功率、微波信号功率、谐波次数、偏置电流等参数之间的关系. 为进一步提高高温超导混频器的变频效率提供了依据, 同时为混频器最佳工作点的选取打下了基础.     

GexSi1—x／Si应变超晶格的质量鉴别

采用分子束外延方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格，利用Ｘ射线双晶衍射，小角衍身宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线，运用Ｘ射线运动学理论和动力学理论，分析，模拟了样品的实验曲线，得到了精确的定量结构参数数据，并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价。     

高铝GaAlAs及其多层结构MOVPE生长特性

本文报导了高铝GaAlAs及其多层结构的生长特性.X光双晶衍射结果表明,多层GaAlAs叠层材料的X光双晶衍射峰呈现多级卫星峰,这表明材料具有良好的晶体完整性和结构周期性.     

小角对称晶界及亚晶界湮没过程的晶体相场模拟

【目的】研究六角相的位错相互作用的情况,以揭示其运动及能量变化规律。【方法】采用晶体相场(Phase-Field Crystal,PFC)模型,模拟小角对称双晶所形成的晶界及亚晶界在应力作用下的湮没机制,并从位错运动及能量变化角度分析该机制。【结果】亚晶界运动分为3个阶段:第一阶段是体系能量增加,反映了位错的攀移和滑移过程,以及生成的亚晶界迁移;第二阶段是体系自由能量降低的阶段,反映了亚晶界位错相互之间靠近吸引,发生湮没的过程;第三阶段是重复前两个阶段,最后位错全部湮没消失,形成完整单晶。【结论】PFC模型能较好地用于研究六角相双晶在施加应力作用下由位错形成的晶界(包括亚晶界)的运动。     

重掺杂硅中的氧沉淀

采用X射线双晶衍射法对重掺硼、重掺锑样品中的氧沉淀行为进行了研究，分析了热处理条件、掺杂剂种类对重掺硅中氧沉淀的影响．实验结果表明：由于氧沉淀诱发缺陷间的相互作用、氧沉淀的重溶以及氧的外扩散等原因，在长时间高温热处理时，晶片表面完整性得到改善；重掺硼样品中的氧沉淀较重掺锑样品中的氧沉淀明显．实验中还观察到了氧沉淀重溶现象，进一步验证了理论分析结果．     

InGaAs/InAlAs/InP异质结结构的X射线双晶衍射研究

Al_xGa_(1-x)As/GaAs材料在高电子迁移率晶体管(HEMT)的应用上已经显示出很好的高频特性。然而,这一系统小导带不连续性(当x=0.3时,△E_c=0.24eV)及较低的二维载流子浓度及饱和速度等因素限制了截止频率的进一步提高和器件应用。而与InP匹配的In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结体系,消除了AlGaAs层,避免了低温持续光电导。且沟道     

Cu双晶的循环饱和位错结构——II.迷宫位错结构

用透射电子显微镜（ＴＥＭ）研究了受循环应变载荷作用的Ｃｕ双晶中的迷宫形态位错结构。实验表明,迷宫位错结构由两组相互垂直的（００１）和（２１０）位错墙组成。其形成不仅与外加应变幅有关,而且取决于晶体中开动的滑移系统,与一组互相垂直的Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量的位错密切相关。     

载气对氢化物气相外延生长厚层GaN基片的影响

采用氢化物气相外延(HVPE)法生长出了高质量的厚层GaN基片。用高分辨X射线双晶衍射仪(DCXRD)及测厚仪对以N2和H2、N2混合为载气生长的基片进行测试。结果表明载气中通入H2可获得较高质量的GaN晶体,同时可以大大降低晶片的弯曲度,便于GaN材料的应用。