Cu双晶循环形变饱和位错结构

用透射电子显微镜研究了３种Ｃｕ双晶循环形变饱和位错结构，双晶标记为「１３５」／「１３５」，「２３５」／「２３５」以及「３４５」／「１１７」／。观察表明，双晶的饱和位错结构和其循环应力应变响应一致。。在「１３５」／「１３５」，「２３５」／「２３５」平行晶界双晶循环应力－应变曲线平台区，饱和位错结构基本上由驻留滑移 梯状结构和基体的脉络结构组成。     

双晶衍射研究O2^＋注入Si

本文用双晶衍射给出了Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ的摇摆曲线．用Ｌｅｖｅｎｂｅｒｇ—Ｍａｒｇｕａｒａｔ法模拟实验曲线，根据ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ后，晶格应变随注入深度、注入剂量和退火温度的变化．我们还给出了Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ的椭偏参数、△，并将它们换算成折射率ｎ．结果表明，Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ引起晶体微观结构的变化—晶格应变与晶体宏观光学性质—折射率的变化基本上一致．     

Ge_xSi_（1－x）／Si应变超晶格的质量鉴别

采用分子束外延（ＭＢＥ）方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格．利用Ｘ射线双晶衍射、小角衍射和宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线．运用Ｘ射线运动学理论和动力学理论，分析、模拟了样品的实验曲线，得到了精确的定量结构参数数据．并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价．     

X射线衍射和散射光束线设计

介绍了装备在合肥扭摆磁铁光源上一条Ｘ射线光束线的设计,包括光学系统,设计参数,光束线上的两台主要设备前置环面聚焦镜和双晶单色仪．该光束线建成后将用于生物大分子晶体结构分析、高分辨Ｘ射线粉末和单晶衍射、多层膜结构以及在特殊条件下的Ｘ射线衍射与散射研究     

小型脉冲管制冷机上的高温超导谐波混频

设计了与小型脉冲管制冷机配套的微波耦合及中频测量混频系统。制备了高温超导YBCO／YSZ双晶结。利用此结在小型脉冲管制冷机上进行了 谐波混频实验。在小型脉冲管制冷机上实现了YBCO／YSZ双晶结在8mm波段36次谐波混频。对系统的噪声进行了评价并提出了改进意见。     

MOCVD生长源流量对p型GaN薄膜特性影响的研究

利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长p型GaN:Mg薄膜,对不同二茂镁(CP2Mg)流量和Ⅴ族和Ⅲ族摩尔(Ⅴ/Ⅲ)比生长的p型GaN:Mg薄膜特性进行研究。研究表明,增加Ⅴ/Ⅲ比,可以降低螺旋位错密度,提高p型GaN晶体质量。当Ⅴ/Ⅲ比为3 800时,Cp2Mg流量最高为170sccm,获得p型GaN(002)面峰值半高宽(FWHM)最窄为232"。同时研究发现,单纯提高Ⅴ/Ⅲ比对降低刃型位错影响较不明显。     

铜双晶水平与垂直晶界压缩形貌观察与分析

对含水平和垂直晶界的铜双晶进行了等应压缩,并对变形后的显微形貌进行了观察.结果表明:在等应变压缩条件下,相比于水平晶界双晶体,垂直晶界双晶体中晶界附近的应力更高,孔洞和裂纹数量多于水平晶界的,孔洞和裂纹分布位置更集中于滑移线上或临近滑移线某一侧.     

生长模式控制对MOCVD生长GaN性能的影响

采用MOCVD以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究．用X射线双晶衍射、电化学CV技术对GaN的结晶性能和电学性能进行了表征．研究表明，GaN的生长模式对其电学性能和结晶性能影响很大．在高温GaN生长初期，适当延长GaN的三维生长时间，能明显改善GaN薄膜的结晶性能，降低薄膜的缺陷密度和本底载流子浓度，使GaN质量明显提高．     

多层结构的X射线双晶衍射研究

用Ｘ射线双晶衍射术研究了玻璃薄层－铂膜－α－Ａｌ＿２Ｏ＿３多层结构。发现不同材料的玻璃层，使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。对铂薄膜电阻器件的测量结果表明：应力引起器件的电阻值变化；不同的应力状态，产生不同方向的附加电阻。选择适当材料的玻璃层，使热失配在铂膜内产生相反的应力，从而造成相反的附加电阻。以这种应力补偿方法提高了薄膜铂电阻的可靠性。     

对黄铜渗硅后所形成的特异结构的探讨

一系列C_u-Z_n合金放入密封的坩埚中进行渗硅,坩埚内的粉末包括70ωt%si,28ωt%Al_2O_3和2ωt%NH_4Cl,坩埚加热到1050℃保持5小时并慢冷至室温后,此时发现了一些极不寻常的显微组织,它呈现出锯齿形薄层的网状物,式样经X光衍射法,测出有α,β,γ和一个未决定的相,又用电子显微分析测试样成分,用扫描电镜观察其显微结构细节,又用扫描透射电镜研究特异结构微细部分。本文研究目的是测定合金会出现什么棚及产生“特异结构”的机理。