气溶胶浓度分布平面探测系统的仿真分析

为了实现气溶胶分布的成像探测,根据平面激光诱导荧光技术的基本原理,对气溶胶浓度分布平面探测系统单个像元的探测能力进行了理论分析.以荧光素作为目标粒子,对波长为450 nm的连续激光在探测平面内的分布和衰减变化进行了计算,并根据波长范围为500～600 nm的荧光信号和sCMOS相机单个像元输出信号的信噪比公式,分析了不同系统参数变化对单个像元可探测最低粒子数的影响,以及在探测平面内的分布差异,从而了解不同系统参数对气溶胶平面成像探测准确度的影响规律,为研究气溶胶分布的平面探测提供有效方法和理论参考.     

改进位姿估计环节的ORB-SLAM稠密建图算法

为了提高ORB-SLAM2系统的位姿估计精度并解决仅能生成稀疏地图的问题,提出了一种融合ICP算法与曼哈顿世界假说的位姿估计策略并在ORB-SLAM2系统中加入稠密建图线程来实现稠密建图。首先通过ORB特征点法、LSD算法和AHC方法进行点、线、面特征的提取,其中点、线特征跟上一帧匹配,面特征在全局地图中匹配。然后采用基于surfel的稠密建图策略将图像划分为非平面与平面区域,非平面采用ICP算法计算位姿,平面则通过面与面的正交关系确定曼哈顿世界从而使用不同的位姿估计策略,其中曼哈顿世界场景通过位姿解耦实现基于曼哈顿帧观测的无漂移旋转估计,而曼哈顿世界场景下的平移以及非曼哈顿世界场景位姿采用追踪的点、线、面特征进行估计和优化;最后根据关键帧和相应位姿实现稠密建图。采用TUM数据集对所提建图方法进行验证,实验结果与ORB-SLAM2算法比较,最终均方根误差RMSE平均减少0.24cm,平均定位精度提高7.17%,验证了所提方法进行稠密建图的可行性和有效性。     

双点源干扰诱偏被动雷达导引头性能分析

以经典的双点源干扰模型为基础,简要说明了在双点源干扰下导引头的静态跟踪误差。在此基础上,研究了动态下的攻防对抗,建立了数学模型并仿真,得出了攻击误差。仿真分析了双干扰源功率变化时导弹的攻击轨迹和误差,以及功率不相等时干扰源间距和天线波束宽度对诱骗效果的影响。仿真结果表明:只要参数合适,非相干双点源干扰可以很好的诱骗导引头,达到保护目标的目的。     

Cr^3＋在AgX（X=Cl,Br）四角晶位中的零场分裂和g因子

用双自旋－轨道耦合模型研究了Ｃｒ３＋在ＡｇＸ（Ｘ＝Ｃｌ,Ｂｒ）四角晶位中的零场分裂Ｄ和ｇ因子．研究表明,中心金属离子和配体（Ｃｌ,Ｂｒ）对络合物ＥＰＲ参量的贡献都应考虑．     

钴络合物催化双羰化氯苄合成苯丙酮酸

α－酮酸是合成α－氨基酸和α－羟基酸的中间体．在Ｃｏ２（ＣＯ）８或Ｃｏ２（ＣＯ）８－Ｃｏ（ＰＰｈ３）ｍＸｎ催化下,苄基卤经双羰化合成苯丙酮酸,并初步研究了其反应机理．     

用B样条曲线构造几何物体模型的方法

根据Ｂ样条曲线原理,提出了先用若干个截平面去切割几何物体,得到一组与几何物体轮廓线相交的点。根据这些点,再用Ｂ样条曲线去构造几何物体的近似轮廓线,从而得到几何物体模型。该方法方便、精确,便于在计算机几何造型系统中应用。     

用定积分计算曲线｛x=a0t^3＋a1t^2＋a2t＋a3,y=b0t^3＋b1t^2＋b …

给出了和定积分计算曲线｛ｘ＝ａ０ｔ３＋ａ２ｔ＾２＋ａ２ｔ＋ａ３,ｙ＝ｂ０ｔ＾３＋ｂ１ｔ＾２＋ｂ２ｔ＋ｂ３（ａ０,ｂ０不全为零）围成的平面图形的面积时,积分下、上限ｔ１、ｔ２应满足的一个一元次方程,从而使这类积分的积分限的确定,变得简便易行。     

含双二苯基膦戊烷铜(Ⅰ)配合物的合成与性质

室温,氮气氛下,铜（Ⅱ）盐和双二苯基膦戊烷（ｄｐｐｐ５）在溶液中通过还原取代反应合成了８种铜（Ⅰ）配合物（１．［Ｃｕ（ｄｐｐｐ５）］２（ＢＦ４）２,２．［Ｃｕ２（ｄｐｐｐ５）２（Ｃ８Ｈ３Ｏ２ＳＦ３）２］,３．［Ｃｕ２（ｄｐｐｐ５）３］（ＣＣｌ３ＣＯＯ）２,４．［ＣｕＢｒ（ｄｐｐｐ５）］２,５．［Ｃｕ２（ｄｐｐｐ５）Ｃｌ２］,６．［Ｃｕ２（ｄｐｐｐ５）３］（ＣＨ３ＣＯＯ）２,７．［Ｃｕ（ｄｐｐｐ５）（ＮＯ３）］,８．［Ｃｕ２（ｄｐｐｐ５）３］（ＣｌＯ４）２）。通过元素分析、红外光谱、热重、摩尔电导测定对其进行表征,表明这是一种行之有效的有机膦配合物的合成方法。     

中厚板平面形状控制中的GM-AGC系统

阐述了对中厚板平面形状控制系统的基本要求和提高中厚板成材率的关键技术内容,研究了中厚板平面形状控制ＧＭ－ＡＧＣ系统的基本结构,着重分析和研究了成形轧制阶段变截面轧制的控制特点,以及提高平面形状控制精度必须考虑的几个问题,对ＧＭ－ＡＧＣ系统应采用的改进措施。     

自催化反应模型的行波解

运用常微定性理论的相平面分析方法讨论了自催化反应中的Ｋａａｓ－Ｐｅｔｅｒｓｅｎ模型,得到了行波存在的各种可能结果。