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采用Schottky结源漏结构是克服传统MOSFET器件短沟效应的一种有效方法.不同于常规的固相反应形成硅化物的方法,该文利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物CoSi2,
并首次对其与Si所形成的Schottky结特性进行了研究.结果表明850 ℃退火1
min后已形成CoSi2硅化物晶相,且结深易于控制.电流特性表明p型衬底得到了较好的Schottky结,势垒高度为0.48
eV, 理想因子为1.09, 而n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大,需进一步改进工艺. 相似文献
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用扫描电镜KYKY－1000、能谱仪观察分析了38CrMnMo钢（调质热处理）拉伸实验后的异常断口，结果表明：钢中冶金夹杂物是导致38CrMnMo钢异常脆性断裂的主要原因。 相似文献
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合成金属有机(高分子)铁磁体 总被引：1，自引：0，他引：1
本文介绍了纯有机(高分子)磁体及金属有机(高分子)磁体的种类、结构和发展慨况,并概述了近年来我们所合成的常温稳定二茂铁型有机(高分子)铁磁体及其应用前景. 相似文献
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化合物溶解度问题不论在理论上还是实践上都有很大的意义。但到目前为止，还滑统一定量的为衡量各种物质的溶解能力。通过一些基本假设的实验事实，从微观和宏观两个方面物质溶解本质作一些探讨。 相似文献
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本文研究了在不同pH值下吐温—80.Tritonx—100.SLS三种表面活性剂四—(对-三甲铵苯基)卟啉Soret带的影响。 相似文献
19.
本文提出一个计算金属原子半径新的近似公式，并计算了５８种金属的原子半径，其结果与实验测定值非常接近。 相似文献
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