离子色谱分离—电导/紫外检测测定土壤中常见可溶性无机阴离子

称取 10g新鲜土样,加 C(NaHCO_3)/C(Na_2CO_3)=2.4mmolL~(-1)/1.9mmolL~(-1)的混合淋洗液50ml作为提取剂于研体中,间歇研磨半小时,用布氏漏斗双层滤纸过滤,弃去前10ml,接取后续滤波,再经0.22μm微孔滤膜抽滤。滤液进行离子色谱分离——电导/紫外检测测定F~-、Cl~-、NO_2 ~-、HPO_4 (2-)、NO_3 ~-、SO_4 ~(2-),相对标准偏差为0.8-5.2％,加标回收率为92.0-101.2％。与经典测定方法相比,除 F~-之外,各离子含量的平均相对误差在 5％以内,对氟含量的测定应考虑有机酸根的干扰。     

以六氨合钴(Ⅲ)为探针的DNA共振光散射分析

在pH为1.81～4.1的Britton-Robinson(BR)缓冲溶液中,[Co(NH3)6]3+与脱氧核糖核酸(DNA)相互作用并使其共振光散射强烈的增强.在342.0 nm处增强的共振光散射(RLS)强度与DNA的质量浓度在0.01～7.0 mg/L范围内呈良好的线性关系.据此建立了操作简便、灵敏度高的测定痕量DNA的新方法.该方法用于检测小牛胸腺DNA,检出限达到1.6μg/L级.     

铬(Ⅲ)离子催化铈(Ⅳ)离子氧化异丁醇的反应动力学及机理

在酸性介质中用氧化还原滴定法研究了铈(Ⅳ)离子在铬(Ⅲ)离子催化作用下,于25～40℃区间氧化异丁醇的化学反应动力学.结果表明反应对铈(Ⅳ)离子为一级,对异丁醇的表观反应级数为正分数.准一级速率常数kobs随催化剂[Cr(Ⅲ)]增加而增大,亦随[H+]增加而增大,但随[HSO4-]增加而减小.在氮气保护下,反应不能引发丙烯酰胺聚合,说明在反应中没有自由基产生.提出了催化剂、底物和氧化剂间生成双核加合物的反应机理,通过kobs与HSO4-的依赖关系,找到本反应体系的动力学活性物种是Ce(SO4)2+,并计算出平衡常数、速控步骤的速率常数及相应的活化参数.     

过渡金属超常氧化态配离子的存在形式

对晶体和碱性介质中过渡金属超常氧化态配离子的主要存在形式和反应活化中心进行了综述,参考文献63篇.基于对过渡金属超常氧化态配离子氧化某些复杂的有机化合物的研究,提出了以低质子化程度的配离子作为反应活化中心的假设,该假设得到笔者的计算、实验结果的支持,从而否定了印度学者提出的以高质子化程度的配离子作为活化中心的假设.     

塔板液体停留时间分布的模拟

利用马尔可夫过程的理论和方法,模拟多级塔板上的液体随机流动现象,通过建立包含马尔可夫过程的多级塔板液体流动的数学模型,及对该模型进行数学推导,得到描述各级塔板出口液体停留时间分布数学解析式。     

次生栎林酸沉降中SO2-4含量和pH值的变化特征

对下蜀次生栎林不同降水组份中硫含量和ｐＨ 值进行连续的观测与分析;揭示了ＳＯ２ －４ 和ｐＨ 值在不同降水组份中的变化规律以及ＳＯ２ －４ 与其它化学成分的相互关系,结果为进一步阐明本区酸性沉降物对森林生态系统的影响提供了理论依据。     

氮杂大环荧光试剂的合成及应用研究

合成新的荧光试剂Ｎ, Ｎ′, Ｎ″, － 三（３ ,５ － 二硝基苯磺酰基） － １ , ４, ７ － 三氮杂环壬烷（ＴＤＮＢＳ－ Ｔａｃｎ） , 研究了１２ 种稀土离子与ＴＤＮＢＳ－ Ｔａｃｎ 形成１ ： １ 络合物的最佳ｐＨ 范围为２－５～６ , 络合物的最大激发、发射波长λｅｘ／λｅｍ 为３３６ｎｍ／４０８ｎｍ , 络合物荧光强度可稳定４８ｈ ．     

纳豆激酶液体发酵条件的优化

纳豆激酶是从日本传统食品内豆中提取出来的一种具有溶血栓功能的酶。笔者从市售纳豆中分离出一株能产纳豆激酶的菌株,并对之进行液体培养,发现在ｐＨ７．０,接种量为２％,种龄２４ｈ,装液量１０ｍＬ／１００ｍＬ,碳源为木糖,浓度为２％,氮源为大豆蛋白胨,浓度为３％的条件下,接种后第四天为产酶高峰期,最高产酶量可达到７８７．１尿激酶单位／ｍＬ发酵液。     

辉光放电阴极区氮离子（N2^＋）的蒙特卡罗模拟

采用蒙特卡罗方法对氮气辉光放电等离子体阴极区离子（Ｎ２＾＋）的运输过程进行了。考虑了离子（Ｎ２＾＋）与慢分子（Ｎ２＾０）的电荷交换碰撞和弹性散射,利用由实验数据拟合得到了精确依赖于离子能量的电荷交换和动量输运截面,计算了阴极区中离子（Ｎ２＾＋）的能量分布及角分布的空间变化,并与实验结果进行了比较。     

AI~(3 ),Ph~(2 )掺杂提高SIO_2驻极体正电荷贮存性能

运用熔凝工艺在非晶态ＳｉＯ２薄膜驻极体中掺入质量分数为０．２的Ａｌ２Ｏ３和质量分数为０．４的ＰｂＯ．高温恒栅压正电晕充电及等温电荷衰减等实验表明,经Ａｌ(３＋)和Ｐｂ(２＋)离子掺杂改性的ＳｉＯ２薄膜（ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＰｂＯ）具备较好的正极性驻极体性能,其正电荷储存稳定性在２１０ｄ后高于９５％;热激放电（ＴＳＤ）正电荷电流谱成为简明的负向放电曲线,峰值稳定于ｔ＝２９０℃附近;薄膜成形温度降低为８００℃左右,工艺得到简化．这表明有针对性的离子掺杂可以有效改善ＳｉＯ２薄膜体内的微观网络结构,从而提高其电荷注人与存储能力．