相转移催化合成苄叉丙酮

本文利用相转移催化剂十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)催化合成苄叉丙酮,最佳反应条件为:醛酮摩尔用量比为1:2,反应时间为40min,催化剂的用量为2.5g,收率达94.6%。实验证明,相转移催化合成对该反应是高效、低成本和实用的方法。     

分光计最优化调节探析

指出了分光计调节中传统操作存在的问题,提出了控制变量法调节的思想,实现了载物台调平螺丝和望远镜高度调节螺丝的分离控制调节,优化了调节操作,大大降低了分光计调节的难度,使初学者能在较短的时间里完成调节任务.     

轧机万向接轴叉头中贯通油孔对其强度的影响

采用三维有限元法计算,分析了轧钢机滑块式万向接轴叉头中贯通油孔对其强度的影响。结果表明：（１）各油孔边缘均存在不同程度的应力影响。在油孔周边附近,随着离孔心距离的增加,这种应力影响迅速减小,在远离孔心部位,其应力不受小孔影响;（２）在叉头上圆弧段中部横截面上,贯穿其中的两向油孔对该截面上传力侧局部区域的应力分布产生了严重影响;（３）油孔边缘的应力影响,一般表现为应力集中,但有时亦会产生“应力消散”。还对小孔的应力影响进行了定量分析。     

HEDP与Co（Ⅱ）的配位化合物的研究

1 前言1—羟基乙叉—1,1—二磷酸简称 HEDP(以 H4L 表示),它属有机多元磷酸多齿配合剂,由于磷酸基特殊的结构和特性使之在即使在强酸介质中也能与金属离子形成稳定的配位化合物,电位滴定结果表明,过渡金属离子与 HEDP 能形成多种形式的配合物,本文合成了钴与 HEDP 的双核和单核的单配体以及单核的双配体配合物,并用元素分析,差热热重分析和红外光谱作了表征.     

非均匀传输线的宽带3分贝耦合器设计

利用非均匀耦合传输线的奇、偶模S-参数特性,提出了一种宽带3 dB耦合器的设计方法.用级连ABCD矩阵对所设计出的耦合器的分布参数特性进行仿真,结果表明非均匀耦合传输线可以有效适用于宽带方向性耦合器设计.     

N—2—羟在苄叉对氯苯胺及其铜配合物的合成

合成了新化合物席夫碱N－2－羟在苄叉对氯苯胺及对甲基苯氧基二硫代甲酸铜。用红外光谱对所合成样品进行了表征。将席夫碱分别与丙二酸铜,邻苯二甲酸铜,对甲基苯氧基二硫代甲酸铜及与二乙基二硫代氨甲酸铜4种铜盐配位后溶于乙醇中生长晶体。通过对所得晶体进行元素分析后发现,该席夫碱与4种铜 盐的配位方式不完全相同,由于邻苯二甲酸铜的螯合性能较强,只有一个席夫碱分子与其配位,而其他3种铜盐与席夫碱反应时,有2个席夫碱与铜离子配位,且席夫碱上的羟基取代了原理铜盐上的阴离子。     

贵州剑河八郎“清虚洞组”叉尾虫科Dorypygidae三叶虫

贵州剑河八郎松山“清虚洞组”中产有包括软躯体化石在内的特异埋藏化石群,三叶虫是其中的主要类群.本文描述的叉尾虫科三叶虫有2属2种1相似种2未定种:副合格拟油栉虫Olenoides paraptus,湖北拟油栉虫O.hubeiensis,横宽拟油栉虫(相似种)O.cf.transversus,库廷虫(未定种)Kootenia sp.1,K sp.2.Olenoides的丰度、分异度较高,其中O.paraptus和O.hubeiensis2个种均见于上覆地层凯里组,O.cf.transversus与产于凯里组的O.transversus很相似,两者组合特征相似,说明凯里组叉尾虫科主要分子Olenoides层位已下延至“清虚洞组”.Olenoides的出现,不仅为“清虚洞组”的三叶虫组合及生物地层提供了新信息,也为叉尾虫科三叶虫在“清虚洞组”至凯里组形成期间的分类及演化研究提供了新材料.     

改进分光计的调节提高实验效率

分光计中的目测粗调以及望远镜光轴垂直于中心轴的调节过程,一直是分光计调节中的难点.通过大量实验操作经验的总结,归纳出的一种改进的分光计调节方法,克服了传统调节方法中的偶然性和盲目性的弊端,提高了分光计的调节效率     

小型化宽阻带多层宽带频率选择表面研究

介绍了一种叉指电容加载的小型化周期结构的多层频率选择表面设计,提出了工作带通且具有超宽阻带频率特性的叉指电容加载结构的小型化频率选择表面.阐述了分布参数叉指加载的小型化宽阻带带通频率选择表面的组成结构,分析了这种宽阻带带通频率选择表面的机理.对分布参数叉指电容加载结构的周期小型化频率选择表面,采用了等效电路分析法和三维仿真软件进行了分析和仿真设计,仿真结果具有超宽阻带和带通的频率特性;提出的叉指结构分布参数电容加载的频率选择结构单元具有较好的容差性,在0°～60°不同入射角下具有良好的频率稳定性.根据设计的叉指电容加载的小型化频率选择表面制作并测试了频率特性,实测和仿真结果一致性较好,中心频率为2.4 GHz,阻带为3～39.6 GHz,阻带宽度超过中心频率的16倍.整个阻带内的抑制度大于15 dB,其中3～15 GHz内的阻带抑制度大于40 dB,相对带宽为10%,带内插损小于0.5 dB.     

基于叉指结构的平面分形电容研究

以基于叉指结构的平面分形电容为研究对象,电容由激光刻蚀法制得,在测得其S参数后,利用ADS仿真工具进行了一阶等效电路参数提取及分析.结果表明,随着共面叉指电极间距的相对减小,电极间的耦合增大,相应的寄生电感也增大;而分形设计可以在保证电极间距不变的情况下,改善电容的工作稳定性.最后制得的分形平面电容的电容值在1~7 pF之间,电容稳定工作频率可达2.5 GHz以上,显示了较好的可调性和稳定性.