技术扩散过程的几类限制性因素

本文认为技术的扩散作为一种会导致社会的每一层面都发生变化而具有广泛关涉性的社会现象，影响其进程的就不仅仅有经济上的因素，还有来自身等多方面的限制。技术扩散问题需要在对技术体系及其与经济、政治、文化等社会体系的关系的深入理解的基础上方才能够得出较为全面的把握。     

Ruin Probability with Variable Premium Rate and Disturbed by Diffusion in a Markovian Environment

We consider a risk model with a premium rate which varies with the level of free reserves. In this model, the occurrence of claims is described by a Cox process with Markov intensity process, and the influence of stochastic factors is considered by adding a diffusion process. The integro-differential equation for the ruin probability is derived by a infinitesimal method.     

Pb-Sn-Bi三元系α相固溶体的点阵参数

应用X射线衍射法测定了Pb-Sn-Bi三元系Pb基α相固溶体的点阵参数,发现点阵间距与成分呈线性变化,对两批实验数据分别进行回归分析,得到点阵参数-浓度关系的统一解析式: α=0.49495X_(Pb)+0.47813X_(Sn)+0.50629X_(Bi)。其F检验置信度大于99.9％,残余标准差σ=6.4×10~(-5) nm,分析点阵畸变的影响因素表明尺寸效应是控制固溶体点阵行为的主要因素。     

偏最小二乘法校正火焰原子吸收光谱干扰

用偏最小二乘法（ＰＬＳ）校正火焰原子吸收分析中Ｍｎ４０３．３０７ｎｍ对Ｇａ４０３．２９８ｎｍ干扰。实验结果表明，ＰＬＳ法是谱线重叠干扰的有效校正方法，同时预示着该法可成为用一种元素空心阴极灯同时测定谱线重叠的二种元素的分析方法。     

原子态的确定

本文提出了三种较简单的确定等效电子原子态的方法。第一种方法可直接给出等效电子的原子态,但比较复杂;另外两种方法,虽然要利用非等效电子的原子态才能给出等效电子的原子态,但方法简单。我们以np~2组态为例说明这三种方法。     

MeV Pb离子在非晶Si中的射程离散──离子束混合和增强扩散的影响

１．０ＭｅＶ２０８Ｐｂ离子在非晶Ｓｉ中的投影射程ＲＰ和射程偏差ΔＲＰ作为注量和温度二者的函数用背散射法进行测定．注量的变化范围为５×１０１３～７×１０１４ｃｍ－２．注入是在室温和ｔ＝－１２０℃下完成的．由由实验所确定的投影射程，射程偏差与注量或温度无关，并且分别等于２９５和７２．２ｎｍ．与ＴＲＩＭ８６的计算结果相比较，发现ＲＰ的偏离为１８％，而ΔＲＰ的偏离为３６％．ＲＰ和ΔＲＰ二者与注量及温度的无关性，排除了所观察到的与ＴＲＩＭ的矛盾是由于注入期间辐射增强扩散或离子束混合效应而引起的解释。     

一维单原子链空位的一种新统计方法

视一维单原子链中原子为谐振子，运用玻尔兹曼分布给出了空位的一种新统计方法．     

激光开槽、埋槽电极硅太阳电池

报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在ＡＭ１．５，２５℃，１００ｍＷ／ｃｍ２的条件下，以面积为４５ｃｍ３的３６片硅片研制的硅太阳电池的输出参数的平均值为ＪＳＣ＝３６．１ｍＡ／ｃｍ２，Ｖ∞＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ．＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后分析了种高性能硅太阳电池的设计特点。     

格氏试剂的生成及格氏反应机理刍议

一、格氏试剂的生成。 对于格氏试剂的生成,似乎公认为是由表面镁到相邻的RX的单电子转移引发的,然后形成和表面镁自由基阳离子结合的阴离子: