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811.
利用TEM和X射线衍射仪对固溶态、固溶空冷态和固溶冰水淬火态亚稳奥氏体Fe-Cr-Mn(W,V)合金(84), 以及固溶态、固溶 + 拉伸变形态稳定奥氏体Fe-Cr-Mn(W,V)合金(85N)γ→ε中转变与层错之间的关系进行了研究,并对影响γ→ε马氏体转变的合金元素进行了分析,提出了进一步提高合金相稳定性的措施. 相似文献
812.
C和Ti双注入H13钢抗腐蚀钝化层的形成 总被引:4,自引:0,他引:4
用多次扫描电位法研究了金属Ti与C双注入抗腐蚀和抗点蚀钝化层生成的条件,用扫描电子显微镜观察了腐蚀坑,发现注入层表面已经形成了具有一定厚度钝化层.这种钝化层既能抗酸性腐蚀,又具有优良的抗碱性点蚀特性.测量结果表明,在C注量不变时,增加Ti注量可使抗腐蚀特性增强;而在Ti注量不变时,增加C注量可使抗点蚀特性增强. 相似文献
813.
首次研究了两类多模薛定谔猫态(MSCS)光场:|Ψ(2)+〉q和|Ψ(2)-〉q的不等阶Nj次方Y压缩特性.结果揭示了两态之间具有压缩相似及简并的性质;在各模压缩阶数Nj(j=1,2,3,…,q)分别取4mj、4mj+1、4mj+2以及4mj+3(mj=0,1,2,3,…)的情况下,随着各模初始相位的变化,加上其它某些量子化或连续性条件,两类MSCS均可呈现出周期性变化的任意不等阶Nj次方Y压缩效应.说明态|Ψ(2)+〉q与|Ψ(2)-〉q是两种典型的多模非经典光场. 相似文献
814.
磁性多层膜中SiO2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层,利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析,并且对获得的Ta4f和Si2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析,结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应;15SiO2 37Ta=6Ta2O5 5Ta5Si3,该反应使得界面有“互混层”存在,从而导致诱发NiFe膜(111)织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加。 相似文献
815.
816.
通过理论分析及典型实例计算,分析了包层及衬底均为非线性Kerr型介质、芯区为线性均匀介质的三层平板波导的TE0模出现均匀场分布的条件及其归一化形式.给出了自聚焦和自散焦情况下对称三层平板波导TE0模的归一化场分布曲线以及功率随归一化模折射率变化曲线. 相似文献
817.
在总体比例的Bayes估计中,引入超先验,得到总体比例的分层先验分布,在此先验下,给出总体比例的分级Bayes估计量,当总体比例值较小时,Bayes估计量是分级Bayes估计量的一个特例。 相似文献
818.
刘妮 《陕西师范大学学报(自然科学版)》2002,30(3):10-13
研究了L拟序集中的层次收敛与完备性,在L-拟序集上引入了三种关系,并讨论了它们之间的关系及性质;定义了Cauchy网及层次Cauchy网,从而把Cauchy网列与层次Cauchy列的概念推广到网的水平,证明了序列的层次极限的等价刻画对网的层极限仍适用,并给出了层次Cauchy网的层极限的一个重要性质,得到了偏序集和Frame作为L-拟序集是层完备且完备的。 相似文献
819.
Ti6Al4V表面HAP/聚乙酸乙烯酯杂化陶瓷膜层的电化学合成 总被引:1,自引:0,他引:1
应用电化学共沉积技术制备HAP/聚乙酸乙烯酯杂化陶瓷膜层,XRD、XPS、SEM表征结果指出,由电化学共沉积制备的复合膜层中无机相以HAP为主,有机物含量达4%。HAP陶瓷膜层的表面结构形貌因引入有机高聚物而发生显著改变。力学拉伸实验表明HAP/聚合物陶瓷膜层与金属基体的结合力比单一HAP相有明显提高。 相似文献
820.
核纤层蛋白及其基因的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
核纤层是细胞核内极其重要的结构.近年来有关核纤层蛋白及其基因的研究取得了较大进展.文中就国际上有关该领域研究的新进展并结合作者所在实验室近年来的有关研究结果,从核纤层蛋白成分及功能、核纤层蛋白基因及其起源分化等方面进行了较系统的介绍和探讨,并提出了一些值得深入研究的新问题. 相似文献