基底的平整度对电化学制备BaMoO_4薄膜成核速率的影响

在金属片Mo上用恒电流电化学技术制备了从薄膜开始成核到生长结束不同时间的BaMoO_4晶态薄膜,并利用SEM、XRD等相关测试手段,对这些薄膜进行测试分析,结果发现,在相同的制备条件下,在薄膜生长的开始阶段,由于基底不平整(折叠、划痕、缺陷、凹凸不平)的位置电流密度要比平整处大,使得该处基片的溶解速率加快,形成的有利生长基元的数目就较多,故导致基底上不平整的位置BaMoO_4薄膜成核速率就大。     

O2流量对O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响

研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面.     

压电电子学及其仿生智能传感

在低维压电半导体材料(比如ZnO和GaN)中,压电极化和半导体电子传输特性的耦合可以给器件带来预想不到的性能.这大大提高了研究人员对压电电子学这一新兴领域的兴趣.另外低维压电半导体材料拥有优异的机械特性,可以被集成到能够应对巨大应力的柔性器件中,外部的机械刺激为柔性器件运行中的电荷-载流子传输,载流子的产生、复合以及分离提供了新的调制方法.本综述回顾了压电电子学的基础理论,不同维度材料体系中的压电电子学,压电电子学晶体管的分类,及广义压电电子学晶体管的应用方面的最新研究进展,并对将来的研究方向进行了深入讨论.     

前驱体中Bi含量对Bi_(3.4)Ce_(0.6)Ti_3O_(12)薄膜结构和性能的影响

分别配制了Bi含量为90,100和110mole%的前驱体,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜,研究前驱体中Bi含量对其微观结构和铁电性能的影响.前驱体中Bi含量增加可以有效地改善薄膜的结晶性能和表面形貌.对Pt/Bi3.4Ce0.6Ti3O12/Pt电容结构进行电学性能测量,发现Bi过量10%的前驱体制备的Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜具有较好的性能:室温下,在测试频率1kHz时,其介电常数为172,介电损耗为0.033;在测试电场为600kV/cm时,其剩余极化值(2Pr)和矫顽电场(2Ec)分别达到67.1μC/cm2和299.7kV/cm;同时还表现出良好的抗疲劳特性和绝缘性能.     

透明导电ZTGO薄膜的制备及其光电性能研究

采用射频磁控溅射方法制备了ZTGO透明导电氧化物薄膜,通过紫外-可见分光光度计和四探针仪的测试以及光学表征技术,研究了生长温度(Tem)对样品光学、电学和光电综合性能的影响.结果表明,薄膜样品的性能参数与Tem值密切相关.当Tem为640 K时,样品的电导率为7.86×102 S?cm-1、光学带隙为3.48 eV、U...     

BZT复合对BNT-BT陶瓷铁电性能和退极化温度的影响

钛酸铋钠（BNT）体系作为一种潜在的无铅压电陶瓷材料受到广泛关注,但钛酸铋钠的退极化温度过低限制了其发展前景。笔者通过在钛酸铋钠-钛酸钡（BNT-BT）中引入锆钛酸钡（BZT）的方法,利用锆钛酸钡的高极化强度的特点,提高了钛酸铋钠-钛酸钡的退极化温度。研究发现,随着BZT质量分数的增加,BNT-BT经历了铁电-弛豫铁电-铁电-弛豫铁电的转变,当BZT质量分数为15%时,由于BZT的高极化特性,BZT电畴的定向诱导或阻碍了BNT-BT电畴的翻转,重新建立起已被破坏的压电陶瓷的长程有序性,表现出明显的铁电相,压电常数也在退极化温度为100℃时达到了110 pC/N,且退极化温度由80℃提高到100℃。     

基于STM32的无负荷式睡眠监测系统设计

近年来睡眠健康问题引起了人们的广泛关注。为了科学评估睡眠质量状况,本文基于STM32F407微处理器设计了一种无负荷式睡眠监测系统。系统主要由压电薄膜传感器模块、无线通信模块、OneNET云服务平台模块组成。传感器模块对睡眠过程中的呼吸、心跳、体动、鼾声等信息进行采集,经信号调理电路与A/D转换电路处理后由无线通信模块传输至云服务平台。监测者可通过登录云服务平台查询睡眠状态。本系统软硬件结构清晰,具有较好的应用价值。     

阴阳离子共掺杂ZnO透明导电薄膜的研究进展

ZnO基透明导电薄膜具有成本低、环境友好、抗辐射能力强、对H等离子体耐受性好等优点,是金属氧化物半导体研究领域的一个极为重要的方向.目前,无论阳离子还是阴离子单独掺杂的ZnO透明导电薄膜在电导率、可见光透过率和热稳定性等方面依然不能完全满足光电器件的要求,为此人们开展了阴阳离子共掺杂ZnO薄膜光电性质的研究工作,取得了良好的效果.本文从理论和实验研究两方面,总结了阴阳离子共掺杂ZnO透明导电薄膜的最新研究成果,系统阐述了阴阳离子对ZnO薄膜的光学、电学和热稳定性的影响规律,分析了阴阳离子共掺杂ZnO研究所面临的问题和挑战,为相关领域的研究和发展提供借鉴和参考.     

薄膜荧光传感器的制备及其基底溶胀性能研究

本文以咔唑噻唑盐(BCVTI)为传感元素分子,不同高分子聚合物为基底,采用方法简便价格低廉的分子包埋法制作了多种薄膜荧光传感器,并在几种常见的体系中测试了其溶胀性。结果表明用高分子包埋法制备薄膜荧光传感器时优先选择聚乙烯醇作为基底,可以提高荧光检测速率和材料的重复实用性。     

稀土掺杂Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜取向生长回线动力学研究

稀土掺杂层状钙钛矿结构的Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜具有居里温度高,自发极化大,耐疲劳性好的特点,适用于制作铁电储存器。由于Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的自发极化矢量靠近a轴,近a轴生长的Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜具有大的剩余极化强度。对比研究了随机取向Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜和a/b轴择优取向Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的回线动力学标度。结果表明a/b轴高择优取向度的Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的标度关系为:低频段∝f 0.043E_0~(0.8);高频段∝f-0.21E_0~(0.8)。a/b轴低择优取向度的Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的标度关系为:∝f-0.05E_0~(0.917)。随机取向Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的标度关系在高频和低频统一为∝f-0.07E_0~(1.31)。