陶瓷先驱体聚硅烷的合成与表征

以甲基氢二氯硅烷为单体,利用超声波条件下Wurtz聚合的方法,合成了可溶性聚硅烷,研究了对二溴苯和萘对反应的影响,并用红外光谱(IR)、凝胶渗透色谱(GPC)、X射线衍射(XRD)对产物进行了表征.结果表明:对二溴苯和萘均能使聚合反应平稳进行;在含有对二溴苯的反应体系中,所得聚硅烷的分子量较大,聚硅烷的陶瓷产率较高.对聚合机理作了初步探讨.     

木材陶瓷制备多孔SiC的研究

椴木木粉／酚醛树脂复合材料经高温碳化制成木材陶瓷，然后经熔融Si反应性渗入制成了多孔的SiC陶瓷．借助X射线衍射、傅里叶红外吸收光谱和扫描电子显微镜等方法对木材陶瓷和多孔SiC的物相组成、微观结构和基本性质进行了研究，利用阿基米德法和三点弯曲法测定了木材陶瓷和多孔SiC的显气孔率和弯曲强度．结果表明，木材陶瓷是非晶碳材料，含有C—O—C醚键、C—C双键及C—H结构等，多孔SiC是由主晶相β-SiC和少量第二相Si组成的复合材料；多孔SiC遗传了木材陶瓷的多孔结构；木材陶瓷向SiC陶瓷的转变使弯曲强度从12．6MPa提高到73．8MPa，显气孔率从64．1％降至53．2％。     

Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTi3x]O3-δ陶瓷微波介电性能研究

研究了添加B2O3的Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTi3x]O3-δ(0≤x≤0.2)(CLNT)陶瓷的微波介电性能.在整个组分范围内检测到单一的正交相.随着x从0增加到0.2,介电常数(k)将从30增至89,Qf值则下降到3820GHz,谐振频率温度系数(TCF)从-16×10-6/℃增加到22.4×10-6/℃.当B2O3添加1.0%时,CLNT陶瓷的烧结温度可以从1150℃降至970℃而不降低微波介电性能.940℃烧结后,x=0.1试样的微波性能为k=50,Qf=6500GHz,温度系数为-7.6×10-6/℃.     

CePO4基与ZrO2基陶瓷的坯体连接及其界面特征

为实现复杂形状陶瓷构件的低成本制备，以含粘结剂的料浆为连接材料，在坯体状态下对ZrO2基与CePO4基陶瓷进行无压同体及异体连接。微观分析表明，接点的颗粒尺寸小于母材的尺寸，接点及邻近区域的结构与母材相比更为致密，没有明显的裂纹、气孔及其他缺陷存在。其连接机理为烧结过程中母材与连接材料间的扩散反应，以及界面处颗粒间的相互镶嵌，力学性能测试显示接点的强度和母材的相近。     

吉祥陶瓷理论与生产发展(续七)

本文分析与探索了吉祥艺术与吉祥陶瓷形式的历史渊源和理论基础，对吉祥陶瓷创作厦生产的现状与发展进行了归纳、剖析与论述。文中内容虽针对吉祥陶瓷而言．其精神对于分析民间工艺形成的理论与生产发展，对于吉祥艺术、以及绘画、文学、建筑、雕塑等多门艺术的理论探索，对于众多类型的陶瓷工业和民间工艺生产，均有一定的参考价值。     

氮化硅陶瓷刀具的发展和应用

文章介绍了氮化硅陶瓷刀具的发展现状 ,阐述了氮化硅陶瓷刀具的切削性能及其在实际应用中须注意的问题 ,为在机械加工行业中推广应用陶瓷刀具作了初步的探讨     

牙科CAD/CAM可加工微晶玻璃的体外表面抗腐蚀性

按牙科陶瓷国际标准ISO6872推荐标准对一种新型的牙科计算机辅助设计加工(CAD/CAM)陶瓷进行了体外表面抗腐蚀性研究．该材料表现出与其他牙科陶瓷相同的现象，在玻璃相出现孔洞，这些孔洞在负载时成为破坏的起点，导致材料强度降低．     

原位生成法半固态连接Si3N4复相陶瓷的接头组织

为探索陶瓷材料的有效连接途径,提出一种原位生成增强颗粒的半固态钎焊陶瓷材料方法。采用自制钎料对Si3N4复相陶瓷进行钎焊试验。采取分步焊接的方法,在1023K下使钎缝内生成一定数量的AlCu2Ti金属间化合物,然后在1173K下对陶瓷材料进行半固态连接。显微观察表明:钎缝组织由低熔点的钎料基体和高熔点的金属间化合物组成,金属间化合物均匀分布在钎料基体中,有利于改善接头性能,降低接头的热膨胀不均匀性。     

纳米Ni-Al2O3金属陶瓷粉末热压致密化过程

采用粒径小于100 nm,金属Ni包覆Al2O3得到的纳米Ni-Al2O3化学包覆粉为原料,将Ni含量不同的几种纳米Ni-Al2O3(粒径约为38 nm)金属陶瓷复合粉末首先采取模压成形方式压制成直径为30 mm的圆片,然后放在石墨模具中在热压机上进行热压,研究热压(HP)温度和Ni含量对致密化过程的影响.研究结果表明:当Ni含量为20%和热压温度为1 400℃时,制品密度和显微硬度最高;在1 400℃热压2 h,Al2O3-Ni2O烧结体的相对密度最高,达到99.6%,Al2O3-Ni5的显微硬度HV达到1 690.9kg/mm2;随着Ni含量的增加,制品硬度降低,当Ni含量超过20%时,硬度降低非常显著,Ni含量为50%时HV降至1 316.7 kg/mm2;烧结体中Ni颗粒均匀分布在基体中,且大部分位于三角晶界处,有效地阻止了Al2O3基体晶粒的长大.     

(Ba, Pb)TiO3半导体陶瓷的特殊敏感性及其机理

研究了具有多孔网状结构(Ba,Pb)TiO₃半导体陶瓷的电阻温度特性, 发现在空气中长时间放置的(Ba, Pb)TiO₃陶瓷在居里点以前有一段电阻值随温度升高而增大的反常阻温特性. 进一步的研究结果表明(Ba, Pb)TiO₃陶瓷反常的阻温特性与其湿敏性相关, 在11%~93%相对湿度范围内, 电阻值变化3个数量级, 而且在单对数坐标中其湿阻特性曲线接近线性. 结合表面吸附、晶界势垒、铁电-顺电相变, 综合分析了(Ba, Pb)TiO₃陶瓷的特殊敏感性机理, 并给出定性解释.