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71.
在弹性圆筒理论和剪滞模型基础上提出了考虑界面相与界面层效应的力学简化模型。据此对纤维增强陶瓷复合材料完成了I型加载条件下的应力分析,它有以下特点:①引进界面层,各项分析所得结果均含有界面层材料性能及几何参量等信息,因而能更好地用于材料设计与界面调控工艺;②不仅给出界面剪应力,还可给出界面正应力(或剥离力),因而更适用于分析界面分离,界面脱粘,基体开裂临界应力和纤维桥联增韧效应 相似文献
72.
高储能密度电容器复合介质材料的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对高储能密度电容器复合介质材料作了研究。采用介电陶瓷/有机聚合物作复合介质材料的实验中,研究了复合材料的介电系数与组成成分的关系,研究发现,ε随陶瓷成分的增加而增大,并且存在一个临界组。 相似文献
73.
LiNbO_3陶瓷溅射靶材的制备工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用改进的陶瓷烧结工艺,研究了用于射频磁控溅射工艺的大尺寸薄型LiNbO3陶瓷靶材的烧结工艺,解决了烧结过程中Li2O的外逸造成成分偏差和Li2O含量偏低时不易得到致密陶瓷的问题,探讨了Li2O在烧结过程中的作用,制备出了高强度的LiNbO3+Li2O系列陶瓷靶材. 相似文献
74.
NiTi形状记忆合金表面多层梯度陶瓷膜的制备 总被引:2,自引:1,他引:2
在NiTi形状记忆合金表面采用三步法制备了多层梯度钛酸铅陶瓷薄膜。第一层膜采用原位水热法制备,第二层膜以醇热法制备,第三层膜应用溶胶-凝胶法制得。X射线衍射研究确认最外层薄膜具有四方钙钛矿结构。扫描电子显微镜观察表明,薄膜总厚度约为3μm;由里及外三层膜中的晶粒尺寸依次约为0.1μm、0.2μm和0.3μm。在陶瓷膜与记忆合金基体的界面处可观察到明显的根状结构,而且在三层陶瓷膜之间的界面处也观察到 相似文献
75.
ZnO压敏陶瓷在工作电压长期作用下,会产生电流蠕变现象,使Schotky势垒不稳定.用正电子湮没技术(PAT)证实:ZnO在适当温度下的氧化热处理,使氧离子O-或O2-吸附于晶界层内并有利于提高ZnO性能稳定性 相似文献
76.
四方氧化锆相变增韧、碳化硅晶须补强、碳化钛粒子弥散强化,同时引入一个新的陶瓷基复合材料系统中产生了叠加的强韧化效果。热压ZTA-SiCw-TiC复相陶瓷材料与Al2O3-SiCw-TiC相比具有更高的综合机械性能。碳化钛在基体中形成连续的骨架阻碍晶粒的长大,随着碳化钛含量的增加,基体的硬度明显增加。主要强韧化机理有相变增韧、晶须拔出、载荷转移、裂纹偏转等。基体的主要断裂方式为穿晶解理断裂。 相似文献
77.
林书玉 《陕西师范大学学报(自然科学版)》2006,34(1):27-31
对轴向极化压电陶瓷薄圆盘振子径向振动进行了理论和实验研究.推出了其机电等效电路,得出了振子共振和反共振频率方程,探讨了振子共振和反共振频率与材料参数之间的依赖关系,给出了压电陶瓷薄圆盘振子的共振及反共振频率与其泊松系数之间的解析关系.实验结果与理论计算符合较好. 相似文献
78.
V2O5和Li2CO3共掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷烧结行为及微波介电性能的影响 总被引:3,自引:1,他引:3
采用固相法,制备了Mg4Nb2O9(MN)微波介质陶瓷,研究了V2O5和Li2CO3共掺杂对MgaNb2O9陶瓷烧结行为、相结构、显微结构和微波介电性能的影响.结果表明,采用1.5%V2O5和1.5%Li2CO3共掺杂,能够将Mg4Nb2O9(135O℃)陶瓷的烧结温度降至925℃,且有助于Mg4Nb2O9单相的形成.3.0%(V2O5,Li2CO3)共掺杂样品在925℃空气中烧结5h可获得良好的微波介电性能(介电常数为13.7,品质因数为77975GHz). 相似文献
79.
以Nb2O5为烧结助剂,通过无压烧结制备氧化铝陶瓷.研究了Nb2O5对氧化铝陶瓷的致密化和显微结构的影响.结果表明,少量的Nb2O5对氧化铝陶瓷的致密化具有明显的促进作用,当Nb2O5的添加量为1%时,可使氧化铝陶瓷在1 500℃获得致密.显微结构上,Nb2O5对氧化铝的晶粒生长也具有显著的促进作用.Nb2O5对致密化和晶粒生长的促进作用主要是通过它在氧化铝晶粒中的固溶来实现的.力学性能测试表明:加入Nb2O5后能够在不影响力学性能的前提下降低烧结温度. 相似文献
80.
采用传统固相法合成了亚微米级PZT95/5粉末,根据超细粉末难以烧结的特点,利用等静压技术的成型优点,通过选取合理的烧结制度,1200℃实现烧结,成功制备了系列孔隙率的多孔PZT陶瓷,制品晶粒尺寸为2~3μm,孔隙率为5%~28%。研究发现,合成粉料性质、成型工艺及烧结气氛与孔结构的形成密切相关。 相似文献