脉冲激光沉积(PLD)晶态4H-SiC薄膜

<正>碳化硅因具有许多独特而优异的物化性能,长期受到广泛重视,特别是作为光电、半导体材料更受到青睐。然而,由于碳化硅制备优质单晶材料的困难,使得其应用受到阻滞。故探索制备大面积高质量晶态碳化硅薄膜的研究成为重要的课题。寻求新的较低温度下制备优质晶态碳化硅薄膜的方法和条件将具有重要意义。     

陶瓷与金属的氧化物封接料制备及其封接工艺

用混合熔烧的方法，制备出一种氧化物封接料．该封接料能在７００℃下对氧化铝瓷与铜及铜合金进行气密性封接．在封接中，只需将封接料涂在陶瓷体的封接面，套上金属件，在马弗炉中以５℃／ｍｉｎ升温到７００℃后保温１０ｍｉｎ即可．对封接体所作的拉伸强度和气密性质量检测表明，封接界面的抗拉强度高于陶瓷本体强度，界面对空气的漏率小于１．４×１０－９Ｐａｍ３／ｈ，满足工业部门对封接质量的要求．     

聚电解质在压敏显色微胶囊原位聚合法中的应用

在以三聚氰胺—甲醛树脂为壁材,用原位聚合法合成压敏显色微胶囊时,聚电解质是必不可少的.文中的聚电解质MS是由马来酸酐和苯乙稀共聚合成,它的大分子碳氢主链以多羧酸和多芳基取代为特征.在胶囊化过程中,聚电解质MS通过电荷效应,使能生成胶囊壁材的三聚氰胺—甲醛预缩体聚拢在胶囊核心的表面,进行原位聚合,所生成的不溶性产物逐步固化为壁材.阐述了该聚电解质的乳化、稳定、催化和定位效应,以及不同马来酸酐—苯乙烯合成比的聚电解质对于微胶囊颗粒大小、气密性、包容量和显色性的影响.     

ZnO－Bi_2O_3－Sb_2O_3BaO系压敏陶瓷组成相的显微分析

用Ｘ射线衍射及电子探针微区成分分析技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ为基的压敏陶瓷的显微结构．除通常的ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ２和Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４晶相之外，发现了一新的晶界相．分析表明，新的晶界相是固溶有微量Ｚｎ的ＢａＳｂ２Ｏ６晶相；它以颗粒状夹杂于弥散的Ｂｉ２Ｏ３晶界相中；随钡含量增加，ＢａＳｂ２Ｏ６相的数量增多，粒径也增大，相应地Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４相的数量则减少．同时还发现，晶界层中组分及结构的这种变化，使压敏陶瓷在长期电负荷下工作的稳定性得到改善．     

超低膨胀陶瓷磷酸锆锶钾系统的高温X射线衍射研究

热膨胀是陶瓷材料重要的物理性能.具有超低膨胀特性(α<1×10~(-6)/℃)的陶瓷材料在许多高技术领域有着重要的应用.80年代中期发现了以NaZr_2P_3O_(12)为母相的Na_2O—ZrO_2-P_2O_5-SiO_2系统超低膨胀陶瓷.由于它们还具有优良的抗热冲击性能、低的导热系数和适当的强度,有希望发展成理想的热机部件结构陶瓷材料.这些化合物通常具有磷酸锆钠型结构,属六方晶系(三方晶系,空间群R(?)c).其热膨胀参数可用两个主热膨胀系数α_α和α_(?)即垂直和平行于六方c轴的热膨胀系数来表示.这种由PO_4四面体和ZrO_6八面体共用顶角氧联结形成的开放式骨架结构,其某些离子可被广泛替代,形成一系列类似结构具有相异性能的化合物.本文研究不同组成的磷酸锆锶钾系统陶瓷材料的各个热膨胀系数随温度的变化及各向异性性质,以寻找零膨胀陶瓷的组分及探讨该类陶瓷何以具有超低热膨胀性能的本质.1 实验     

压敏显色微胶囊的合成及性能研究

本文应用原位聚合方法,并以部分醚化的六羟甲基三聚氰胺(简称PEHMM)作为缩聚反应的单体,在含有聚电解质的水溶液中合成压敏显色微胶囊。文中对压敏显色微胶囊的气密性,包容量,胶囊粒径分布及其平均粒径等性能的影响因素作了探讨,指出PEHMM的用量和加入方式是影响胶囊气密性和包容量的主要因素,而均化时间和速度决定着胶囊的平均粒径及粒径分布。     

现代仿古钧瓷的穆斯堡尔谱研究

利用穆斯堡尔谱分析技术，配合热分析，扫描电镜，能量色散Ｘ射线分析等方法，对现代仿古钧瓷的釉料和胎料进行了分析与研究，得到了现代仿古钧瓷的釉料和胎料在烧制过程中的相变规律；并初步了天兰钧瓷的呈色机理。     

陶瓷粒子增强的锌铝基复合材料的摩擦学特性

以陶瓷颗粒碳化硅、氮化硅、三氧化二铝为增强体，锌铝合金ＺＡ－２７为基体，通过对陶瓷颗粒进行预处理、机械搅拌和合金化等技术，将陶瓷颗粒与熔融状态的锌铝合金复合成均匀的浆料，用挤压铸造法挤压成型，得到陶瓷颗粒锌铝合金复合材料铸件。在金属基体上，均匀分布着陶瓷颗粒。在有润滑和无润滑的情况下，复合材料的耐磨减摩性能均比ＺＡ－２７有较大幅度提高     

晶须增韧陶瓷基复合材料强韧化机制的评述

综述了晶须增韧陶瓷基复合材料的强韧化机制。近年来报道中常见的晶须的强化机制是载荷转移和基体预应力，韧化机制有裂纹偏转，晶须桥接和拔出，这些机制均决定于晶须／基体界面的性质。最后指出这一研究领域存在的问题     

Si_3N_4-SiC纳米复合陶瓷材料的研究

用粒度为 ５０～７０ ｎｍ的纳米级 ＳｉＣ粉体与微米级的 Ｓｉ３Ｎ４粉体复合来制备 Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ纳米复合陶瓷材料，对纳米ＳｉＣ含量不同的Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ纳米复合陶瓷材料的微观组织结构与性能的关系进行了研究。结果表明：纳米ＳｉＣ质量分数为１０％时，经热压烧结法制备的Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ纳米复合陶瓷材料的抗弯强度为 ８４４ ＭＰａ，断裂韧性为 ９． ７ ＭＰａ· ｍ１／２。微观组织结构的研究还表明，纳米ＳｉＣ的不同含量影响着基体Ｓｉ３Ｎ４的晶粒形貌，从而决定了复合材料的性能。探讨了纳米级ＳｉＣ在基体中的形态、分布及其对基体强化增韧的新机制。