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91.
稀土掺杂的高电压梯度ZnO压敏电阻   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用稀土氧化物掺杂改进ZnO压敏电阻的电气参数和结构参数,并解释了稀土掺杂改性的机理.高温烧结时稀土氧化物与Bi,Zn,Mn,Sb等生成新的尖晶石,由于尖晶石的钉扎效应而降低氧化锌晶粒的生长速度,导致压敏电阻的晶粒尺寸减小、电压梯度明显增加.通过添加Co和Mn的氧化物,能有效降低ZnO压敏电阻的泄露电流和增加其非线性系数.试制的压敏电阻样品的电压梯度达492V/mm,非线性系数达76,而泄露电流只有1μA.  相似文献   
92.
采用三维有限元与电路相结合的“场路结合”数值计算方法来分析特高压 GIS避雷器电位分布特性. 通过对多种方案的比较分析表明, 最有效的改善电位分布的方法是提高ZnO压敏电阻的电压梯度. 综合多方面因素, 合适的压敏电阻电压梯度为426 V/mm, 此时1000 kV GIS的电位分布不均匀度可控制在 10%以内. 研究结果为高梯度压敏电阻的研制提供了基本的技术指标.  相似文献   
93.
运用纳米复合技术对工业ZnO压敏电阻避雷器的制备工艺的改进,研制出压敏电压340 V/mm,漏电流小于1μA,非线性系数大于56的压敏电阻器。根据ZnO晶粒生长动力学方程,研究了纳米复合ZnO粉体的烧结过程以及烧结过程中的晶粒生长规律,用扫描电镜和能谱对瓷体显微结构及面扫成分进行了分析,讨论了添加纳米复合粉的ZnO压敏电阻避雷器微观组织与综合性能的关系。实验表明,添加纳米复合粉体是降低大规模生产成本,提高经济效益,并得到综合性能优良产品的有效方法。  相似文献   
94.
量程和温度特性是传感器的两个主要指标,SAW压力传感器的量程由基片材料的结构尺寸决定,温度效应一般采用双端对谐振器来消除,目前关于两个谐振器的位置确定还没有一个确定的方法。通过力学分析得出了圆形石英膜片的半径、厚度、和最大载荷的关系;对石英圆形膜片的应力应变关系进行了有限元数值计算,得出了正负应力在圆形石英膜片的分界点,为设计SAW谐振式压力传感器的物理结构和合理的安排谐振器的位置提供了依据。  相似文献   
95.
本文主要对压敏电阻的磨片工艺进行了探讨,并提出了一种新的磨片工艺:双端面研磨工艺。该工艺采用贯穿送料和连续磨削的方法实现对电阻片的研磨。经试验和批量验证,该工艺有效消除了四道平磨工艺对电阻片边缘的磕碰问题,同时,其效率、成本等与四道平磨工艺相比优势明显,具有优异的性价比。  相似文献   
96.
提出了一种基于FPGA的数据采集系统设计方案.该方案以FPGA为核心,通过SOPC技术将NIOS软核处理器,采集控制逻辑等功能模块集成在FPGA上,然后结合简单的外围电路构建了多通道数据同步采集系统.测试结果表明:该平台功耗低、性能稳定、扩展性强.  相似文献   
97.
探讨不同浓度的健胃消食片溶液对家兔离体小肠平滑肌收缩活动的影响。以家兔为实验对象,制备不同浓度健胃消食片溶液作用于家兔离体小肠平滑肌,通过BL-420S生物机能实验系统分别描记在给不同浓度健胃消食片溶液前后的收缩曲线,观察其对离体小肠平滑肌收缩活动的影响。实验结果是滴加健胃消食片溶液浓度分别为0.08、0.16和0.32 g.ml-1,给药后可明显增大离体小肠平滑肌的收缩幅度(P<0.05),且具有剂量依赖性;而对收缩频率影响不明显(P>0.05)。结论是不同浓度健胃消食片溶液能够增大家兔离体小肠平滑肌的收缩幅度,浓度不同,收缩的幅度变化也不一致。  相似文献   
98.
介绍了基于SOPC及USB键盘的简易电子琴设计和实现。利用ML402多功能接口板作为实现平台,在ML402接口板上的FPGA片内实现一个带有CPU、数据、指令存储器和内部总线的简单片上系统,并且增加USB接口、音频接口等接口控制器,将USB键盘连到USB接口上作为电子琴琴键,以USB主设备的方式使用ML402接口板,通过编写ML402上的FPGA片内CPU指令代码,控制USB键盘值的读入和键盘音符的播放。  相似文献   
99.
为了研究构成I型金属三明治板的基本焊接单元T形接头在焊剂片约束电弧焊(flux bands constrained arc, FBCA)作用下的温度场分布规律,以非线性有限元软件ABAQUS为平台,开发了适用于FBCA焊接T形接头温度场计算的有限元方法.对比了计算结果与测量结果的同时,研究了面板与芯板各自路径上的热量分布情况.结果表明:FBCA焊T形接头面板部位温度场沿焊缝中心呈对称分布,接头热量主要集中作用于面板处.采用复合热源模型计算所得特征点热循环曲线分布规律与实际红外热像仪测量结果重合度较高,计算所得焊缝截面温度分布形貌和热影响区宽度与实际接头形貌相吻合,有效验证了复合热源模型计算FBCA焊接T形接头温度场的准确性.  相似文献   
100.
为了提高氧化锌(ZnO)压敏电阻的电学性能,采用常规烧结并在ZnO压敏电阻中掺杂预先合成的BiSbO4和Zn2SiO4,研究不同掺杂比例对ZnO压敏电阻的微观结构、电学性能、通流能力的影响.结果表明:ZnO压敏电阻在掺杂BiSbO4和Zn2SiO4后,能够有效抑制ZnO晶粒变大,晶体结构变得致密均匀,致密性有所提高,有效提高压敏特性和通流能力.BiSbO4和Zn2SiO4掺杂比例为3∶1的样品综合性能比较优异,样品的致密度为5.58 g·cm-3,压敏电位梯度达到425 V·mm-1,非线性系数为70,漏电流为1.2×10-7 A·cm-2,能量耐受能力达到334.21 J·cm-3,残压比为2.5.  相似文献   
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