VDMOS—NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＾＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散口有成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶性互连线。     

散射和结构——量子物理学中的要点和相似性

著名物理学家卢瑟福有一句名言：“如果你不能用简单的、非技术的术语解释一个结果，你就没有真正弄懂它”。作者们认为这样一句名言最恰当地表达了他们撰写本书的目的。     

原子内壳层电离截面研究中薄靶厚度的卢瑟福背散射分析

作者使用^241Amα标准源与卢瑟福背散射相结合的方法，对四川大学原子核科学技术研究所的2．5MeV静电加速器进行了能量刻度，并利用卢瑟福背散射方法测量了一系列A1衬底金属薄靶的厚度，所测结果与称重法进行了比较，作者将卢瑟福背散射方法所测厚度值运用到电子碰撞引起原子内壳层电离截面的测量工作中，取得了满意的结果。     

HR3C奥氏体耐热钢晶界蠕变损伤的电子背散射衍射分析

对不同条件下的HR3C奥氏体耐热钢蠕变试样进行性能测试和微观结构观察,研究奥氏体耐热不锈钢蠕变沿晶破坏行为和损伤特征。电子背散射衍射（EBSD）分析结果表明,不同蠕变速度下材料的晶粒尺寸基本不变,未产生择优取向,但高蠕变速度条件下部分孪晶界演变成一般晶界,而低蠕变速度下原始孪晶结构基本保持不变。EBSD分析结果清楚地反映了微观蠕变应变的不均匀性。沿晶微裂纹和蠕变空洞的产生和扩展是最显著的损伤特征,这些损伤现象与不同蠕变速度下的蠕变机制及晶界性质密切相关。     

针状铁素体晶粒取向差角度的EBSD研究

利用电子背散射衍射技术得到了成像质量图、针状铁素体晶粒取向差角度分布柱状图,表明取向差角度分布出现两个峰值,一个出现在针状铁素体晶粒间的取向差在0~5°范围内,另一个出现在针状铁素体与其邻近的马氏体/贝氏体晶粒的取向差在50°~60°范围内.可以推测这些针状铁素体晶粒可能是从同一个奥氏体晶粒上生长演变形成的,但也可能是针状铁素体晶粒在生长后期合并的结果.     

基于模拟退火的三维集成电路水冷散热网络优化算法

三维集成电路(3D-IC)通过在垂直方向堆叠多层芯片有效提高了芯片的性能和集成度.然而,过高的功率密度和温度成为3D-IC集成度提高的最大障碍.水冷散热技术将冷却液注入两层芯片间的沟道有效解决了3D-IC的散热问题,同时也带来了过高温度梯度的问题以及对散热功耗,芯片可靠性的要求.本文提出一种在有硅穿孔限制下的基于模拟退火的沟道网络优化算法,算法基于温度仿真,对散热沟道进行放置与填充操作,设计出的沟道网络可以有效降低散热功率和温度梯度.实验中,与传统的均匀直沟道的设计方法相比,我们的方法可以在相同最高温和温度梯度限制条件下,降低散热功率达67.0%.     

Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析

Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构，表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎｍ的高密度的晶格损伤区，晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高，其值可达到７７％，并且随深度的增加而下降；第３层则是低密度晶格损伤层，束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。     

相对论粒子在晶格中相关散射

本文采用与粒子运动纵向分量相同的坐标系来考察相对论粒子同晶格原子相关碰撞及其量子辐射。通过相对论变换,使三维运动问题转化为两维问题(轴向沟道运动)或一维问题(面沟道运动),从而大大简化了计算步骤,并以几种典型的相互作用势,讨论了沟道轻粒子在晶格中运动时束缚态之间的跃迁。用Moliere势计算出MeV电子在晶格轴向沟道中运动时发射与韧致辐射不同的量子辐射谱的特征,与实验结果相当符合。     

α粒子散射的量子力学研究

利用量子散射理论———玻恩近似研究α粒子的散射问题,及散射原子核外电子的屏蔽效应和原子核的有限质量对散射截面的影响,对卢瑟福公式不能说明α粒子小角度散射,进行了修正,得到的结果和实验相符合.     

超晶格"锯齿形"势垒的穿透系数

指出了沿生长方向的超晶格沟道不再是直的,而是"锯齿形"形的,对于n层等厚薄膜组成的超晶格,每一个锯齿都可视为一个等腰三角形,而"锯齿形"沟道则由n/2个三角形串联而成.于是"锯齿形"势垒的穿透问题就转化为三角形势垒的穿透问题.假设一个三角形势垒的穿透系数为γ,则n/2个三角形势垒的穿透系数可近似表示为γn/2=γn/2.结果为粒子与物质相互作用研究提供了一种理论描述.